一种晶振用基座及一种晶振制造技术

本发明专利技术公开了一种晶振用基座及一种晶振，在基座上设有限胶结构或者在晶片上设置限胶部，避免胶体在晶片上的不可控的爬升现象。由此，本发明专利技术的晶振用基座及一种晶振，将加工过程中的不可控因素进一步降低，可以提高产品的性能稳定性。性能稳定性。性能稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种晶振用基座及一种晶振


[0001]本专利技术涉及晶振领域，尤其涉及一种晶振用基座及一种晶振。

技术介绍

[0002]晶体谐振器为数字电路提供工作节拍，被称为现代电子产品的心脏，其工作的稳定性决定了电子产品本身工作的稳定性。
[0003]现在晶体谐振器不断的向小型化方向发展，目前贴片式晶振的尺寸已经做到了3.2mm*1.5mm尺寸。晶体谐振器一般由3大部件组成：陶瓷基座、晶片和盖板，其中晶片是决定最终成品工作频率的核心部件。晶片本身的纯度、切割尺寸的精度、固定在基座上的位置、基座内真空度、导电胶的性质、尺寸、位置等等都会影响到晶振的最终性能。
[0004]为了将晶片固定在振荡器或者谐振器的底座内，需要在陶瓷基座内的支撑座的点胶平台上点胶，然后将晶片的一端放置在胶点上，依靠胶点的粘附力实现对晶片的固定。为了确保晶片的固定足够牢固，现有技术一般采用四点点胶法，如图1所示，首先在点胶平台1上点两个胶点，即第一胶点3
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1和第二胶点，将晶片2的一端放置在第一胶点3
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1和第二胶点上，使第一胶点3
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1和第二胶点的一部分位于晶片2的下表面，另一部分位于晶片的端部侧面，再在晶片2的上方，与第一胶点3
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1和第二胶点对应的位置点两个胶点，即第三胶点3
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2和第四胶点，第三胶点3
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2和第四胶点的一部分附着在晶片2的上表面，另一部分在胶点保持胶状的状态下，在重力的作用下沿着晶片2的侧面端部向下流动与对应的第一胶点3
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1和第二胶点融合，形成从晶片2的上表面延伸至下表面的胶体粘坨，最后进入隧道炉进行热固处理，使胶体固化，实现对晶片的牢固固定。
[0005]在隧道炉进行热固处理时，是先升温至使胶体软化，维持一段时间后再缓慢降温，使胶体重新固化，由此使两次施加的胶体完全融合在一块。在生产过程中，我们发现，由于晶片与点胶平台之间的缝隙很小，胶体在热固过程中，胶体加热到软化温度之后，流动性变强，发生沿着晶片表面爬升的现象，现有技术难以控制胶体爬升的幅度，而胶体爬升到晶片上的量不同，影响了晶振最终的工作频率及工作稳定性。

技术实现思路

[0006]本专利技术所要解决的技术问题是：提供一种晶振用基座，以解决热固化胶体的过程中胶体沿晶片爬升的现象。
[0007]为解决上述技术问题，本专利技术所采用的技术方案是：
[0008]一种晶振用基座，包括点胶平台，所述点胶平台上设有限胶结构。
[0009]与现有技术相比，本专利技术具有如下技术效果：
[0010]限胶结构在胶体流动性变大时，对胶体产生阻挡作用，避免其顺着晶片爬升。
[0011]在上述技术方案的基础上，本专利技术还可以做如下改进。
[0012]优选地，所述限胶结构为限胶沟槽。沟槽会产生毛细管效能，可以对流动性较大的胶体产生吸力，避免胶体沿着晶片爬升。
[0013]优选地，所述限胶结构为限胶凸筋。凸筋的设置一方面可以起到对胶体的阻拦作用，另一方面凸筋与平台交接的根部也能产生一定的毛细管效能，可以对流动性较大的胶体产生吸力，避免胶体沿着晶片爬升的情况。
[0014]优选地，所述限胶结构为限胶凸点。
[0015]优选地，所述限胶沟槽为一字型、C字型、波浪线型、折线型中的一种。
[0016]优选地，所述限胶沟槽为纵横交错的线槽型。
[0017]优选地，所述限胶凸筋上设有沟槽。
[0018]一种晶振，包括晶片及前述晶振用基座。
[0019]进一步地，所述晶片上设有限胶部。
[0020]进一步地，所述限胶部为限胶凹槽或者涂覆于晶片上的环形不粘层，所述不粘层为硅油或特氟龙。在晶片合适位置设置环形的不粘层，将胶体与晶片接触的位置进行了精确的控制，避免胶体在加工过程中不可控的爬升现象，本方案将加工过程中的不可控因素进一步降低，可以提高产品的性能稳定性。
附图说明
[0021]图1为现有技术中点胶平台、晶片和胶点的位置关系示意图；
[0022]图2是实施例1结构示意图(设有晶片)；
[0023]图3是图2的局部放大图；
[0024]图4是实施例2结构示意图(设有晶片)；
[0025]图5是实施例4结构示意图(设有晶片)；
[0026]图6是实施例5结构示意图(设有晶片)
[0027]图7是实施例6结构示意图(设有晶片)
[0028]在附图中，各标号所表示的部件名称列表如下：
[0029]1、点胶平台；2、晶片；3
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1、第一胶点；3
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2、第三胶点；4、限胶沟槽；5、限胶凸筋；6、限胶凸点；7、限胶部。
具体实施方式
[0030]以下结合附图对本专利技术的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本专利技术，并非用于限定本专利技术的范围。
[0031]请参照图1所示，其为现有晶振结构中，点胶平台、晶片和胶体的关系示意图。
[0032]实施例1，如图2所示，一种晶振用基座，包括点胶平台，所述点胶平台上设有波浪线限胶沟槽，限胶沟槽会对胶体产生毛细作用，避免胶体沿晶片爬升，图3是其局部结构放大图。
[0033]实施例2，如图4所示，一种晶振用基座，包括点胶平台，所述点胶平台上设有一字型限胶沟槽。
[0034]实施例3，一种晶振用基座，包括点胶平台，所述点胶平台上设有折线型限胶沟槽。由此，限胶沟槽的具体形式并不局限于此，只要是能够在胶点处形成毛细作用，限制胶体忘晶体上爬升均可。
[0035]实施例4，如图5所示，一种晶振用基座，包括点胶平台，所述点胶平台上设有限胶
凸点。限胶凸点呈矩阵式布置于点胶平台上，凸点之间又形成了纵横交错的沟槽，这种结构加大了对胶体的吸附力，避免软化的胶体沿晶体爬升。
[0036]实施例5，如图6所示，一种晶振用基座，包括点胶平台，所述点胶平台上设有一字型限胶凸筋，施胶时，避免胶体施加到图中凸筋的右侧，当位于凸筋左侧的胶体软化扩散时，会被凸筋拦截，同时，凸筋与点胶平台交界处也会形成毛细效应，共同实现对胶体的拦截。
[0037]实施例6，如图7所示，一种晶振，包括点胶平台和晶片，所述晶片上设有环状的限胶部，所述限胶部涂覆有硅油，硅油使得胶体不能在此处聚集，进而相当于将胶体爬升的范围做了明确的限制，使得最终热固化过程中胶体的扩散范围可控，也就控制了后续的产品质量。
[0038]实施例7：一种晶振，包括点胶平台和晶片，所述晶片上设有环状的限胶部，所述限胶部为环状的特氟龙薄膜，特氟龙薄膜与胶体的粘附力低，如实施例6一样，将胶体的扩散范围控制在了特定范围内，避免了胶体不可控的爬升现象。
[0039]当然，实施例6和实施例7是在实施例5的基础上进一步增加了晶片上的纯使用晶片上的限胶部也可以实现对胶体扩散爬升的限制。
[0040]以上所述仅为本专利技术的较佳实施例，并不用以限制本专利技术，凡在本发本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶振用基座，包括点胶平台，其特征在于，所述点胶平台上设有限胶结构。2.根据权利要求1所述的晶振用基座，其特征在于，所述限胶结构为限胶沟槽。3.根据权利要求1所述的晶振用基座，其特征在于，所述限胶结构为限胶凸筋。4.根据权利要求1所述的晶振用基座，其特征在于，所述限胶结构为限胶凸点。5.根据权利要求2所述的晶振用基座，其特征在于，所述限胶沟槽为一字型、C字型、波浪线型、折线型中的一种。6.根据权利要求1所述的晶振用基座，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄屹，李斌，
申请(专利权)人：烟台明德亨电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：