一种手机防水导电膜及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种手机防水导电膜及其制备方法，包括导电基层、光学处理层、防水处理层和复合处理层。本方案在导电膜内设置增加防水处理层，采用PTFE微孔膜作为第一防水层，配合憎水性聚四氟乙烯膜构成的第二防水层可以对导电膜起到双重防水保护的效果，并且在第二防水层的基础上还增设了含异氰酸酯基的预聚体构成的防渗透层，从而提升导电膜的防水防渗透的效果；在导电膜上设置环烯烃共聚物耐热树脂构成的耐热层，可以对导电膜起到耐热保护的作用，同时在耐热层上设置PE高分子纳米防静电膜构成的防静电层，以及防静电层外部的耐磨层，可以提高导电膜的防静电能力和耐磨效果，从而提升对导电膜外部的防护能力，提升使用寿命。提升使用寿命。提升使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种手机防水导电膜及其制备方法


[0001]本专利技术涉及导电膜生产
，更具体地说，涉及一种手机防水导电膜及其制备方法。

技术介绍

[0002]近年来触控式手机盛行，而触控式手机大至可分为电阻式触控面板和电容式触控面板，而其两种皆须设有透明导电薄膜，以透过其导电并控制手机。
[0003]然而，现有技术中的手机导电膜在使用过程中纯在一定的局限，一方面防水效果不好，严重时会导致触屏失灵影响手机的使用，另一方面传统的手机导电膜外部没有保护功能，导致使用寿命都比较短。

技术实现思路

[0004]1.要解决的技术问题
[0005]针对现有技术中存在的问题，本专利技术的目的在于提供一种手机防水导电膜及其制备方法，本方案在导电膜内设置增加防水处理层，采用PTFE微孔膜作为第一防水层，配合憎水性聚四氟乙烯膜构成的第二防水层可以对导电膜起到双重防水保护的效果，并且在第二防水层的基础上还增设了含异氰酸酯基的预聚体构成的防渗透层，从而提升导电膜的防水防渗透的效果。
[0006]2.技术方案
[0007]为解决上述问题，本专利技术采用如下的技术方案。
[0008]一种手机防水导电膜，包括导电基层、光学处理层、防水处理层和复合处理层，所述导电基层和防水处理层之间设有光学处理层，所述复合处理层设在防水处理层的上端。
[0009]进一步的，所述导电基包括基膜层和导电油墨层所组成，所述导电油墨层设在基膜层的下端。
[0010]进一步的，所述光学处理层包括防眩光层、防蓝光层和中间光学层，所述中间光学层设在导电基层的上端，所述防蓝光层设在中间光学层和防眩光层之间。
[0011]进一步的，所述防水处理层包括第一防水层、第二防水层和防渗透层，所述防渗透层设在光学处理层的上端，所述第二防水层设在防渗透层和第一防水层之间。
[0012]进一步的，所述复合处理层包括耐磨层、防静电层和耐热层，所述耐热层设在防水处理层的上端，所述防静电层设在耐磨层和耐热层之间。
[0013]一种手机防水导电膜的制备方法，包括以下步骤：
[0014]S1：选取基膜层后，将导电油墨通过固化温度80
‑
150℃，固化时间为1
‑
8分钟后形成导电油墨层，利用真空镀膜技术将导电油墨层镀在基膜层下端；
[0015]S2：将纳米硅和氧化硅交叠复合得到防眩光层，然后将采用薄膜复合技术将纳米层积防蓝光膜材料和溶胶
‑
凝胶薄膜合成防蓝光层，采用沉积法在射频为13.56MHe的等离子体增强化学气相沉积系统中按比例的SiH4和NH3混合气在硅衬底和石英衬底沉积制得中
间光学层，利用薄膜复合设备将防眩光层和防蓝光层以及中间光学层进行依次进行复合得到光学处理层；
[0016]S3：将ptfe粉料、助剂油及表面活性剂混合并搅拌均匀，然后经熟化、打坯、推挤压延后制备成为含有表面活性剂的压延带，将压延带经三步拉伸，烧结定型形成PTFE微孔膜得到第一防水层，将聚四氟乙烯乳液基材、造孔剂填料氧化锌和氧化铝、交联分散助剂无水硫酸钠和氯化钠混合形成憎水性聚四氟乙烯膜，得到第二防水层，将异氰酸酯、聚醚等经加成聚合反应而成的含异氰酸酯基的预聚体加工制成防渗透层，将第一防水层和第二防水层以及防渗透层通过薄膜复合设备进行合成得到防水处理层；
[0017]S4：再通过利用薄膜复合技术将环烯烃共聚物耐热树脂构成的耐热层和PE高分子纳米防静电膜构成的防静电层进行复合然后在将聚酯薄膜构成的耐磨层复合在防静电层上，即可得到复合处理层；
[0018]S5：将导电基层中的基膜层和光学处理层中的中间光学层面进行真空蒸镀70℃，蒸镀时间10分钟；
[0019]S6：再将光学处理层中的防眩光层和防水处理层的防渗透层面进行真空蒸镀50℃，蒸镀时间10分钟；
[0020]S7：最后将防水处理层的第一防水层面和复合处理层耐热层面进行真空蒸镀60℃，蒸镀时间10分钟；即可得到防水导电膜。
[0021]进一步的，所述S1中导电油墨包括5份的银纳米线、80份的水和15份纤维素纳米纤维。
[0022]进一步的，所述S2中中间光学层的氮氧化硅层的折射率为2.7％。
[0023]进一步的，所述S3中第一防水层的PTFE膜的孔率≥85％。
[0024]进一步的，所述S4中耐热层的厚度为25nm。
[0025]3.有益效果
[0026]相比于现有技术，本专利技术的优点在于：
[0027](1)本方案在导电膜内设置增加防水处理层，采用PTFE微孔膜作为第一防水层，配合憎水性聚四氟乙烯膜构成的第二防水层可以对导电膜起到双重防水保护的效果，并且在第二防水层的基础上还增设了含异氰酸酯基的预聚体构成的防渗透层，从而提升导电膜的防水防渗透的效果。
[0028](2)本方案在导电膜上设置环烯烃共聚物耐热树脂构成的耐热层，可以对导电膜起到耐热保护的作用，同时在耐热层上设置PE高分子纳米防静电膜构成的防静电层，以及防静电层外部的耐磨层，可以提高导电膜的防静电能力和耐磨效果，从而提升对导电膜外部的防护能力，提升使用寿命。
附图说明
[0029]图1为本专利技术的结构示意图；
[0030]图2为本专利技术的导电膜流程图。
[0031]图中标号说明：
[0032]1、导电基层；101、基膜层；102、导电油墨层；2、光学处理层；201、防眩光层；202、防蓝光层；203、中间光学层；3、防水处理层；301、第一防水层；302、第二防水层；303、防渗透
层；4、复合处理层；401、耐磨层；402、防静电层；403、耐热层。
具体实施方式
[0033]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述；显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例，基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0034]在本专利技术的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“内”、“外”、“顶/底端”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0035]在本专利技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“设置有”、“套设/接”、“连接”等，应做广义理解，例如“连接”，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。
[0036]请参阅图1，一种手机防水导电膜，包括本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种手机防水导电膜，包括导电基层(1)、光学处理层(2)、防水处理层(3)和复合处理层(4)，其特征在于：所述导电基层(1)和防水处理层(3)之间设有光学处理层(2)，所述复合处理层(4)设在防水处理层(3)的上端。2.根据权利要求1所述的一种手机防水导电膜，其特征在于：所述导电基包括基膜层(101)和导电油墨层(102)所组成，所述导电油墨层(102)设在基膜层(101)的下端。3.根据权利要求1所述的一种手机防水导电膜，其特征在于：所述光学处理层(2)包括防眩光层(201)、防蓝光层(202)和中间光学层(203)，所述中间光学层(203)设在导电基层(1)的上端，所述防蓝光层(202)设在中间光学层(203)和防眩光层(201)之间。4.根据权利要求1所述的一种手机防水导电膜，其特征在于：所述防水处理层(3)包括第一防水层(301)、第二防水层(302)和防渗透层(303)，所述防渗透层(303)设在光学处理层(2)的上端，所述第二防水层(302)设在防渗透层(303)和第一防水层(301)之间。5.根据权利要求1所述的一种手机防水导电膜，其特征在于：所述复合处理层(4)包括耐磨层(401)、防静电层(402)和耐热层(403)，所述耐热层(403)设在防水处理层(3)的上端，所述防静电层(402)设在耐磨层(401)和耐热层(403)之间。6.一种手机防水导电膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：选取基膜层(101)后，将导电油墨通过固化温度80
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150℃，固化时间为1
‑
8分钟后形成导电油墨层(102)，利用真空镀膜技术将导电油墨层(102)镀在基膜层(101)下端；S2：将纳米硅和氧化硅交叠复合得到防眩光层(201)，然后将采用薄膜复合技术将纳米层积防蓝光膜材料和溶胶
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凝胶薄膜合成防蓝光层(202)，采用沉积法在射频为13.56MHe的等离子体增强化学气相沉积系统中按比例的SiH4和NH3混合气在硅衬底和石英衬底沉积制得中间光学层(203)，利...

【专利技术属性】
技术研发人员：程福军，
申请(专利权)人：新纶精密制造安徽有限公司，
类型：发明
国别省市：