四氮唑类化合物及其制备方法和应用技术

本发明专利技术涉及一种四氮唑类化合物及其制备方法和应用。该四氮唑类化合物具有式(I)所示结构，其可作为一类新型的键合剂，用于牢固粘合铜/铜合金和树脂，并降低趋肤效应，具有良好的信号传输效果，满足高频高速通讯产品的要求。求。求。求。

【技术实现步骤摘要】
四氮唑类化合物及其制备方法和应用


[0001]本专利技术涉及金属表面处理领域，特别涉及一种四氮唑类化合物及其制备方法和应用。

技术介绍

[0002]在传统印制电路板(Printed circuit board，简称PCB)多层板加工工艺中，目前主要采用棕化处理提升铜面和树脂之间的结合力，棕化是以硫酸/双氧水为基础的铜面微蚀型处理工艺，铜面经棕化处理够会形成均匀蜂窝状结构，提升铜表面粗糙度，增大铜面和树脂接触面积和物理锚固作用，从而提升两者的结合力。
[0003]在高频高速PCB制造领域，由于高频高速信号对信号完整性提出更严苛的要求，同时由于趋肤效应的影响，传统高粗糙度棕化已经不能满足高频高速信号传输损耗的需求，因此PCB多层板加工工艺中，铜面表面处理逐渐向低粗糙度方向发展。铜面粗糙度降低会使铜面和树脂物理锚固作用减弱，导致结合力急剧下降，甚至会出现可靠性风险。因此在低粗糙度条件下增强铜面和树脂结合力成为重要研究课题。
[0004]目前有公开报道的键合剂化合物，主要是硅烷化合物，该分子的结构中一端为杂环结构，可与铜面发生配位反应，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种四氮唑类化合物，其特征在于，具有如式(I)所示的结构：其中：R1分别独立选自：C2～C6烷基，C1～C6烷氧基，C1～C6烷硫基，或各R分别独立选自：C1～C6烷基、C1～C6烷氧基、乙酰氨基或卤素；m为1，2或3；X选自R2选自被取代或未被取代的C1～C20亚烷基或A为取代或未取代的C2～C20亚烷基，n为＞0的整数；*表示连接位点。2.根据权利要求1所述的四氮唑类化合物，其特征在于，所述R1分别独立选自：C2～C6烷基，C1～C6烷氧基，或各R分别独立选自C1～C6烷基、C1～C6烷氧基、乙酰氨基。3.根据权利要求1或2所述的四氮唑类化合物，其特征在于，所述R2选自未被取代的C1～C10亚烷基或A为未取代的C2～C10亚烷基，n为1至10中的任一整数。4.根据权利要求1所述的四氮唑类化合物，其特征在于，具有如下任一所示的结构：
5.一种四氮唑类化合物的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
将环氧化合物、具有式(II)所示的化合物与碱混合，反应，制备具有如式(I)所示的四氮唑类化合物；所述环氧化合物为R1分别独立选自：C2～C6烷基，C1～C6烷氧基，C1～C6烷硫基，或各R分别独立选自：C1～C6烷基、C1～C6烷氧基、乙酰氨基或卤素；m为1，2或3；X选自R2选自被取代或未被取代的C1～C20亚烷基或A为取代或未取代的C2～C20亚烷基，n为＞0的整数；*表示连接位点。6.根据权利要求5所述的四氮唑类化合物的制备方法，其特征在于，所述环氧化合物与具有式(II)所示的化合物的摩尔比为1:(2...

【专利技术属性】
技术研发人员：冼日华，杜小林，叶绍明，刘彬云，肖定军，
申请(专利权)人：广东东硕科技有限公司广东光华科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：