基于硅衬底的LED外延片及其制备方法、LED技术

本发明专利技术公开了一种基于硅衬底的LED外延片及其制备方法、LED，涉及半导体光电器件领域。LED外延片包括硅衬底，设于硅衬底背面的调节层，依次设于硅衬底正面的缓冲层、U

【技术实现步骤摘要】
基于硅衬底的LED外延片及其制备方法、LED


[0001]本专利技术涉及半导体光电器件领域，尤其涉及一种基于硅衬底的LED外延片及其制备方法、LED。

技术介绍

[0002]相比蓝宝石和SiC衬底，硅衬底具有诸多优势，如结晶质量高、尺寸大、价格便宜等。但硅衬底与GaN之间存在着巨大的晶格失配（17%）和热失配（46%）。热失配造成GaN薄膜生长后在降温过程中受到巨大张应力而导致外延片弯曲或者GaN薄膜开裂。使得外延片的成品率低，且发光效率低。

技术实现思路

[0003]本专利技术所要解决的技术问题在于，提供一种基于硅衬底的LED外延片及其制备方法，其可提升成品率和发光效率。
[0004]本专利技术还要解决的技术问题在于，提供一种基于硅衬底的LED。
[0005]为了解决上述问题，本专利技术公开了一种基于硅衬底的LED外延片，其包括硅衬底，设于硅衬底背面的调节层，依次设于硅衬底正面的缓冲层、U
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GaN层、N
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GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P
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GaN层；本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于硅衬底的LED外延片，其特征在于，包括硅衬底，设于硅衬底背面的调节层，依次设于硅衬底正面的缓冲层、U
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GaN层、N
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GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P
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GaN层；其中，所述调节层为NiZnSe层。2.如权利要求1所述的基于硅衬底的LED外延片，其特征在于，所述调节层包括靠近所述硅衬底设置的第一调节层和远离所述硅衬底设置的第二调节层，所述第一调节层为Ni
a
Zn1‑
a
Se层，所述第二调节层为Ni
b
Zn1‑
b
Se层；其中，a为0.01~0.1，b为0.01~0.15，且a＜b。3.如权利要求2所述的基于硅衬底的LED外延片，其特征在于，所述第一调节层的厚度为5nm~20nm，第二调节层的厚度为10nm~30nm。4.如权利要求1~3任一项所述的基于硅衬底的LED外延片，其特征在于，所述缓冲层包括依次层叠于所述硅衬底上的Ti层、AlN层、多个纳米棒和SiC包裹层；所述纳米棒阵列分布在所述AlN层上，每个纳米棒均为周期性结构，周期数为1~5，每个周期均包括依次层叠的AlGaN层和GaN层。5.如权利要求4所述的基于硅衬底的LED外延片，其特征在于，所述Ti层的厚度为1nm~3nm，所述AlN层的厚度为2nm~8nm，所述SiC包裹层的厚度为20nm~50nm；所述纳米棒的高度为5nm~15nm，宽度为1μm~5μm。6.如权利要求4所述的基于硅衬底的LED外延片，其特征在于，所述AlGaN层的厚度与所述GaN层的厚度之比为1.5:1~4:1。7.一种基于硅衬底的LED外延片的制备方法，用于制备如权利要求1~6任一项所述的基于硅衬底的LED...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑文杰，曹斌斌，程龙，高虹，刘春杨，胡加辉，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：