一种通过封装技术增强增益的毫米波双频片上天线制造技术

本发明专利技术公开了一种通过封装技术增强增益的毫米波双频片上天线，包括封装结构、芯片结构；所述封装结构包括芯片结构的载体层、芯片包围层，载体层和芯片包围层之间通过粘结层连接；所述封装结构的粘结层和芯片包围层设有中间槽，所述芯片结构位于中间槽内。所述芯片结构包括自下而上的硅衬底、氧化层和钝化层，在钝化层上刻画芯片天线。所述氧化层包括十层金属层，芯片天线位于第十层金属层中。本发明专利技术采用对称的领结形结构，在不增加芯片面积下可使天线在两个频带工作；封装结构简单，成本低。封装保护芯片免受外界环境损坏和干扰，同时充当硅衬底与空气两种不同介质的匹配层，可有效将硅衬底中的电磁波耦合到外界，提升了天线的辐射性能。射性能。射性能。

【技术实现步骤摘要】
IEEE Trans.Antennas Propag.,vol.60,no.5,pp.2234
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2241,2012,doi:10.1109/TAP.2012.2189725.)，从而可以部分屏蔽掉衬底的影响，降低电磁场在硅衬底的损耗，并形成同相镜像电流提高天线增益。(2)基于介质集成波导(Substrate Integrated Waveguide,SIW)技术，在天线层到M1层进行过孔，形成缝隙天线加背馈谐振腔并阻止电磁场进入硅衬底以提高天线增益；(3)在天线上方的钝化层上用胶水粘上一个谐振频率和天线一致的介质谐振器(Dielectric Resonator,DR)，构建介质谐振天线形成二次辐射，引导电磁场向天线上方辐射，从而提高天线的增益和效率。然而这些方法对于后期制作加工成本要求很高，而且可能还会影响芯片上电路部件的性能。

技术实现思路

[0005]为了解决上述问题，本专利技术提供一种通过封装技术增强增益的毫米波双频片上天线，目的是提供一种在不增加系统复杂度和成本的前提下基于CMOS工艺的高增益双频片上天线，
[0006]本专利技术至少本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种通过封装技术增强增益的毫米波双频片上天线，其特征在于，包括封装结构(1)、芯片结构(2)；所述封装结构(1)包括芯片结构(2)的载体层(5)、芯片包围层(3)，载体层(5)和芯片包围层(3)之间通过粘结层(4)连接；所述封装结构的粘结层(4)和芯片包围层(3)设有中间槽，所述芯片结构(2)位于中间槽内。2.根据权利要求1所述的一种通过封装技术增强增益的毫米波双频片上天线，其特征在于，所述芯片结构包括自下而上的硅衬底(12)、氧化层(11)和钝化层(10)，在钝化层(10)上刻画芯片天线。3.根据权利要求2所述的一种通过封装技术增强增益的毫米波双频片上天线，其特征在于，所述氧化层(11)包括十层金属层，芯片天线位于第十层金属层中。4.根据权利要求1所述的一种通过封装技术增强增益的毫米波双频片上天线，其特征在于，所述芯片天线为十字形结构，十字形结构中间设有开口。5.根据权利要求4所述的一种通过封装技术增强...

【专利技术属性】
技术研发人员：易翔，王艳军，车文荃，薛泉，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：发明
国别省市：