【技术实现步骤摘要】
发光器件、其制造方法和包括该发光器件的电子装置
[0001]本申请要求于2021年10月1日在韩国知识产权局提交的第10
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2021
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0131131号韩国专利申请的优先权和权益,该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
[0002]本公开的一个或更多个实施例涉及一种发光器件和包括该发光器件的电子装置。
技术介绍
[0003]发光器件(例如,有机发光器件)是自发射器件,如与现有技术的器件相比,所述发光器件具有宽视角、高对比度、短响应时间以及在亮度、驱动电压和响应速度方面的优异特性。
[0004]在发光器件中,第一电极位于基底上,并且空穴传输区域、发射层、电子传输区域和第二电极顺序地形成在第一电极上。从第一电极提供的空穴可以通过空穴传输区域朝向发射层移动,并且从第二电极提供的电子可以通过电子传输区域朝向发射层移动。作为载流子的空穴和电子在发射层中复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁到基态,从而产生光。
技术实现思路
[0005]本公开的一个或更多个实施例涉及 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种发光器件,所述发光器件包括:第一电极;第二电极,面对所述第一电极;中间区域,包括在所述第一电极与所述第二电极之间的发射层以及在所述第二电极与所述发射层之间的电子传输区域;以及抗氧化层,在所述第二电极与所述电子传输区域之间,其中,所述电子传输区域包括无机电子传输层,所述无机电子传输层包括包含金属氧化物的金属氧化物层。2.根据权利要求1所述的发光器件,其中,所述抗氧化层包括透明导电氧化物。3.根据权利要求2所述的发光器件,其中,所述透明导电氧化物包括氧化铟锡、掺杂铝的氧化锌、氧化铟锌或它们的混合物。4.根据权利要求1所述的发光器件,其中,所述抗氧化层具有至的厚度。5.根据权利要求1所述的发光器件,其中,所述抗氧化层与所述第二电极接触。6.根据权利要求1所述的发光器件,其中,所述无机电子传输层包括由式1表示的金属氧化物:式1M
x
O
y
,其中,在式1中,M是选自于由属于元素周期表的1族至14族的元素组成的组中的至少一种金属或准金属,并且x和y均独立地为从1至5的整数。7.根据权利要求6所述的发光器件,其中,M包括Zn、Ti、W、Sn、In、Nb、Fe、Ce、Sr、Ba、In、Al、Nb、Si、Mg、Ga或它们的组合。8.根据权利要求1所述的发光器件,其中,所述无机电子传输层包括由式2表示的金属氧化物:式2M1
α
M2
β
O
y
,其中,在式2中,M1和M2均独立地为选自于由属于元素周期表的1族至14族的元素组成的组中的至少一种不同的金属或准金属,并且满足0<α≤2、0&...
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