量子点发光器件及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

一种量子点发光器件及其制备方法、显示装置，量子点发光器件包括：量子点发光层以及设置于所述量子点发光层一侧的空穴注入层，所述量子点发光层包括靠近所述空穴注入层一侧的第一表面，所述第一表面上设置有钝化功能层，所述钝化功能层被配置为修饰所述第一表面。所述钝化功能层被配置为修饰所述第一表面。所述钝化功能层被配置为修饰所述第一表面。

【技术实现步骤摘要】
量子点发光器件及其制备方法、显示装置


[0001]本公开实施例涉及但不限于显示
，具体涉及一种量子点发光器件及其制备方法、显示装置。

技术介绍

[0002]量子点也称半导体纳米晶，是少量原子组成的、三个维度尺寸通常是1nm～100nm的零维纳米结构，量子点具有带隙可调、窄的发射谱，近些年广泛的应用在LED(发光二极管)器件，量子点发光二极管具有自发光、色纯度高、能耗低、图像稳定、视角范围广、色彩丰富等优点，近些年被认为是继LCD和OLED(有机发光二极管)之后的新一代显示技术，具有广阔的应用前景。
[0003]量子点发光二极管(QLED，Quantum Dot Light
‑
Emitting Diode)是将量子点作为发光层的器件；通过在不同的导电材料之间引入由量子点形成的发光层，从而得到所需波长的光。QLED具有色域高、自发光、启动电压低、响应速度快等优点，使得其在显示领域以及照明领域具有广阔的应用前景，是目前热门的研究方向。

技术实现思路

[0004]以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种量子点发光器件，其特征在于，包括：量子点发光层以及设置于所述量子点发光层一侧的空穴注入层，所述量子点发光层包括靠近所述空穴注入层一侧的第一表面，所述第一表面上设置有钝化功能层，所述钝化功能层被配置为修饰所述第一表面。2.根据权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述钝化功能层至少包括钝化离子，所述钝化离子被配置为与所述第一表面结合，钝化所述第一表面。3.根据权利要求2所述的量子点发光器件，其特征在于，所述钝化功能层还包括金属离子，所述空穴注入层包括靠近所述量子点发光层一侧的第二表面，所述金属离子设置于所述第二表面一侧。4.根据权利要求3所述的量子点发光器件，其特征在于，所述金属离子相较于所述钝化离子更靠近所述空穴注入层；和/或，所述钝化离子相较于所述金属离子更靠近所述量子点发光层。5.根据权利要求2所述的量子点发光器件，其特征在于，所述钝化离子为卤元素离子。6.根据权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，还包括空穴传输层，所述空穴传输层位于所述量子点发光层与所述空穴注入层之间，所述空穴传输层的至少部分与所述钝化功能层的至少部分掺杂在一起。7.根据权利要求6所述的量子点发光器件，其特征在于，所述空穴传输层与所述钝化功能层的掺杂比例为1:1至20:1。8.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢志高，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：