近红外线遮蔽膜、近红外线遮蔽膜的制造方法技术

提供一种近红外线遮蔽膜，其由通式Cs

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】近红外线遮蔽膜、近红外线遮蔽膜的制造方法


[0001]本专利技术涉及近红外线遮蔽膜、近红外线遮蔽膜的制造方法。

技术介绍

[0002]有纪录的特别热的年份增加，对于暑热的环境对策在世界上受到大的关注。要求日照遮蔽膜作为遮蔽太阳光的成分中的近红外线而使不需要的热进入室内的环境对策之一。特别是在汽车用的窗构件中，在伴随着电动化的热管理方面，日照遮蔽膜的重要性日益增加。
[0003]此外，伴随着向作为下一代的通信系统的第5代移动通信系统(5G)的转移的自动化加速，要求不阻碍GPS信息、智能手机的MHz～GHz带的电磁波、头灯、刮水器控制用近红外线信号等各种通信电波的窗。
[0004]作为窗材等所使用的遮光构件，提出了各种材料。例如，专利文献1中公开了将具有红外线反射性的带状的膜和具有红外线吸收性的带状的膜分别作为经纱或纬纱制成编织物的保温用片。而且，还公开了具有红外线反射性的带状的膜对于合成树脂膜实施了铝蒸镀加工的产物。然而，在使用了该类型的遮光构件的情况下，外观成为半透明状，因此存在室外使用时，反射耀眼，景观方面的问题。
[0005]专利文献2中公开了，将钨氧化物粒子、复合钨氧化物粒子分散于树脂等固体介质中的红外线遮蔽材料微粒分散体，还公开了能够对于窗材等赋予红外线遮蔽效果。
[0006]已知分散有复合钨氧化物粒子等的分散体作为高效地遮蔽太阳光线，特别是近红外线区域的光，并且表现保持可见光区域的高透射率等优异的光学特性的材料。专利文献2中，还提出了作为红外线遮蔽材料微粒分散体的制造方法，使复合钨氧化物微粒等红外线遮蔽材料微粒分散于适当的溶剂中制成分散液，在所得的分散液中添加介质树脂之后，涂布于基材表面。
[0007]可是，已知作为透明导电体的氧化锡、ITO(氧化铟锡)也作为日照遮蔽材料。专利文献3中公开了在基体上通过溅射法等形成包含导电性氧化物的热射线遮蔽膜，在上述热射线遮蔽膜上形成包含硅氧化物和碱金属氧化物的保护膜的带有热射线遮蔽膜的基体的制造方法。作为导电性氧化物，还可举出含有锡的氧化铟。
[0008]氧化锡、ITO的等离子体频率处于近红外光区域，因此具有能够确保宽的可见光区域的透明性的优点，此外与等离子体波长相比波长长的红外线光能够被等离子体反射除外。如果除去为了确保耐候性的保护膜，则基本上以单层膜表现功能也是优点。然而氧化锡等透明导电膜材料所含有的自由电子密度与金属相比低，等离子体波长稍微变长，因此不遮蔽太阳光的强度强波长最短的近红外线。因此虽然是具有热射线的反射功能的膜，但是日照遮蔽功能为与高特性的纳米微粒分散膜同等以下的水平。
[0009]此外，Ag(银)、Au(金)等的金属薄膜强烈地反射红外线，但是等离子体频率涉及可见光区域，因此由于可见光的波长而遮光。在该状态下具有强的着色，成为暗的膜，但是通过成为与无色且折射率大的电介质薄膜交替地层叠的叠层膜，由此使用光的干涉效果，使
有效的近红外线反射的上升波长从可见光区域向近红外光区域移动来使用。其中由Ag和电介质构成的多层薄膜没有着色，获得高可见光透射性，并且将近红外高度地阻断，因此能够实现最高性能的日照遮蔽膜。专利文献4中公开了将电介质层和银作为主成分的金属层进行了层叠的热射线遮蔽玻璃的技术。
[0010]现有技术文献
[0011]专利文献
[0012]专利文献1:日本特开平9
‑
107815号公报
[0013]专利文献2:国际公开第2005/37932号
[0014]专利文献3:日本特开2004
‑
338985号公报
[0015]专利文献4:日本特开2006
‑
117482号公报
[0016]非专利文献
[0017]非专利文献1:S.F.Solodovnikov,N.V.Ivannikova,Z.A.Solodovnikova,E.S.Zolotova,“Synthesis and X
‑
ray diffraction study of potassium,rubidium,and cesium polytungstates with defect pyrochlore and hexagonal tungsten bronze structures,”Inorganic Materials,Vol.34,845
‑
853(1998)

技术实现思路

[0018]专利技术所要解决的课题
[0019]然而，上述透明导电体薄膜、金属与电介质的多层膜同时具有高导电性。因此，具有反射并妨碍具有MHz～GHz带的频率的通信电波、放送用电波的难点。为了防止这样的通信妨碍，例如有时进行在电波反射体的一部分带入切口而使通信成为可能等应对。然而，电波反射性是基于近红外线遮蔽材料中的自由电子的等离子体反射，因此要求基于与上述透明导电体薄膜、金属与电介质的多层膜等不同的其他的原理的近红外线的遮蔽膜。
[0020]如以上那样，如果使用高导电性的膜作为近红外线遮蔽膜，则存在会反射各种通信用的电磁波的难点，另一方面，对于透过电磁波的膜而言，热射线遮蔽功能不充分。
[0021]本专利技术的一侧面中，目的在于提供热射线遮蔽性能高，并且可见光和电磁波的透过性优异的近红外线遮蔽膜。
[0022]用于解决课题的方法
[0023]本专利技术的一侧面中，提供一种近红外线遮蔽膜，其由通式Cs
x
W
y
O
z
(4.8≤x≤14.6，20.0≤y≤26.7，62.2≤z≤71.4，x+y+z＝100)所示的铯复合钨氧化物的连续膜构成，上述连续膜包含选自斜方晶、菱面体晶和六方晶中的1种以上。
[0024]专利技术的效果
[0025]本专利技术的一侧面中，能够提供热射线遮蔽性能高，并且可见光和电磁波的透过性优异的近红外线遮蔽膜。
附图说明
[0026]图1为本专利技术的实施方式涉及的近红外线遮蔽膜的制造方法的流程图。
[0027]图2为由实施例1获得的近红外线遮蔽膜的XRD图案。
[0028]图3A为由实施例1获得的近红外线遮蔽膜的分光特性。
[0029]图3B为由实施例1获得的近红外线遮蔽膜的分光特性。
[0030]图4为由实施例1获得的近红外线遮蔽膜的STEM
‑
HAADF像。
[0031]图5为由实施例2获得的近红外线遮蔽膜的XRD图案。
[0032]图6A为由实施例2获得的近红外线遮蔽膜的分光特性。
[0033]图6B为由实施例2获得的近红外线遮蔽膜的分光特性。
[0034]图7为由实施例2获得的近红外线遮蔽膜的STEM
‑
HAADF像。
[0035]图8为由实施例3获得的近红外线遮蔽膜的XRD图案。
[0036]图9A为由实施例3获得的近红外线遮蔽膜的分光特性。
[0037]图9B为由实本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种近红外线遮蔽膜，其由通式Cs
x
W
y
O
z
所示的铯复合钨氧化物的连续膜构成，所述连续膜包含选自斜方晶、菱面体晶和六方晶中的1种以上，在所述通式中，4.8≤x≤14.6，20.0≤y≤26.7，62.2≤z≤71.4，x+y+z＝100。2.根据权利要求1所述的近红外线遮蔽膜，所述斜方晶与所述六方晶以(001)H//(001)R、(110)H//(100)R、(
‑
110)H//(010)R的晶格对应结合，其中，H与R分别表示六方晶和斜方晶，所述斜方晶的(010)R面、或选自所述六方晶的棱镜面即(100)H、(010)H、(110)H和底面(001)H中的1种以上的至少一部分具有面状或线状的晶格缺陷。3.根据权利要求2所述的近红外线遮蔽膜，所述晶格缺陷包含选自钨缺损和铯缺损中的1种以上。4.根据权利要求2或3所述的近红外线遮蔽膜，构成选自所述斜方晶、所述菱面体晶和所述六方晶中的1种以上的结晶，且由钨(W)和氧(O)形成的W
‑
O八面体的O的一部分进一步随机地缺损。5.根据权利要求1～4中任一项所述的近红外线遮蔽膜，选自所述斜方晶或所述六方晶的结晶中的六角隧道的空隙、和所述菱面体晶的结晶中的烧绿石型空隙中的1种以上的空隙配置有选自过剩的O2‑
、OH
‑
和OH2中的1种以上。6.根据权利要求1～5中任一项所述的近红外线遮蔽膜，所述铯复合钨氧化物的六方晶换算的晶格常数为7.根据权利要求1～6中任一项所述的近红外线遮蔽膜，光学特性满足η≤0.005VLT+0.3，其中，η为日照热取得率，VLT为可见光透射率。8.根据权利要求1～7中任一项所述的近红外线遮蔽膜，表面电阻值为105Ω/
□
以上。9.根据权利要求1～8中任一项所述的近红外线遮蔽膜，膜厚为30n...

【专利技术属性】
技术研发人员：足立健治，佐藤启一，吉尾里司，
申请(专利权)人：住友金属矿山株式会社，
类型：发明
国别省市：