一种Cs0.32WO3/(m-t)-BiVO4异质结及其制备方法和应用技术

本发明专利技术提供一种Cs

【技术实现步骤摘要】
一种Cs
0.32
WO3/(m
‑
t)
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BiVO4异质结及其制备方法和应用


[0001]本专利技术属于功能材料领域，涉及一种Cs
0.32
WO3/(m
‑
t)
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BiVO4异质结及其制备方法和应用。

技术介绍

[0002]单斜相m
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BiVO4是一种新型铋系半导体材料，其具有层状结构，是载流子优良的传输通道以及本征可见光吸收，并且禁带宽度小、绿色环保，被广泛应用于光催化领域。然而BiVO4只能对紫外
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可见光响应，对太阳光利用较低，存在光生电子
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空穴对复合率高、复合速率快等缺点。
[0003]文献CN106745474B
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可见光响应的三氧化钨
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钒酸铋异质结薄膜电极制备方法，公开了利用硝酸铋与过氧钒酸在WO3薄膜表面反应产生过氧钒酸铋，重复旋涂硝酸铋溶液和过氧钒酸溶液得到过氧钒酸铋修饰的WO3薄膜，一次热处理后得到所述WO3/BiVO4本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种Cs
0.32
WO3/(m
‑
t)
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BiVO4异质结，其特征在于，包括暴露(010)晶面的十面体状单斜相m
‑
BiVO4和由十面体状单斜相m
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BiVO4的(110)晶面相变得到的四方相t
‑
BiVO4，以及负载在四方相t
‑
BiVO4上的颗粒状Cs
0.32
WO3，十面体状单斜相m
‑
BiVO4与四方相t
‑
BiVO4形成Z型异质结；四方相t
‑
BiVO4与颗粒状Cs
0.32
WO3形成Z型异质结。2.权利要求1所述的Cs
0.32
WO3/(m
‑
t)
‑
BiVO4异质结的制备方法，其特征在于，包括：S1，将Cs
0.32
WO3晶体粉体分散在水中，经紫外光照射后，得到Cs
0.32
WO3溶液；将暴露(010)和(110)晶面的十面体状单斜相m
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BiVO4晶体粉体分散在乙醇中，经紫外光照射后，得到m
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BiVO4溶液；S2，将Cs
0.32
WO3溶液和m
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BiVO4溶液混合，在紫外光照射条件下进行光照选择沉积反应，所得产物洗涤、干燥，得到Cs
0.32
WO3/(m
‑
t)
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BiVO4异质结。3.根据权利要求2所述的Cs
0.32
WO3/(m
‑
t)
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BiVO4异质结的制备方法，其特征在于，S1中，所述十面体状单斜相m
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BiVO4晶体粉体的制备方法为：步骤1，将Bi(N...

【专利技术属性】
技术研发人员：谈国强，杨迁，毕钰，冯帅军，王敏，张碧鑫，任慧君，夏傲，
申请(专利权)人：陕西科技大学，
类型：发明
国别省市：