氢气传感器及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种氢气传感器及其制备方法，该氢气传感器包括：基片；检测电极，设于基片上；氢气敏感材料层，设于基片上，且至少部分覆盖检测电极，氢气敏感材料层中的氢气敏感材料包括铂掺杂的氧化钨；分子筛层，设于基片上，且完全覆盖氢气敏感材料层，分子筛层为MCM

【技术实现步骤摘要】
氢气传感器及其制备方法


[0001]本专利技术涉及气体传感器
，特别是涉及一种氢气传感器及其制备方法。

技术介绍

[0002]氢能是最有前途的化石燃料替代品之一，氢气还被广泛用于氨生产、石油精炼、冶金工业和精细有机合成等领域。但氢气在空气中易燃易爆炸，氢气泄漏极易引发安全事故。因此，迫切需要低工作温度、高灵敏度的氢气传感器。由于成本低、使用寿命长等优点，金属氧化物半导体(MOS)是很好的氢气传感器候选材料。
[0003]目前，有如下几种方法可以提高MOS气体传感器的灵敏度和选择性。一种方法是改变传感材料以改变其特性，例如掺杂、改变微观结构和贵金属催化剂装饰。另一种途径是在传感膜上沉积无机气体过滤膜或者形成异质结，以减少传感材料对于干扰气体的吸附。
[0004]然而，通过改变传感材料特性的方式虽然可以提高金属氧化物半导体对气体的敏感性，进而可以提高MOS气体传感器的灵敏度，但无法解决选择性问题。除氢气之外的其他气体也可以与传感材料发生不同程度的相互作用，导致传感材料对氢气的选择性较差。在传感膜上沉积无机气体过滤膜虽然可以提高本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氢气传感器，其特征在于，包括：基片；检测电极，设于所述基片上；氢气敏感材料层，设于所述基片上，且至少部分覆盖所述检测电极，所述氢气敏感材料层中的氢气敏感材料包括铂掺杂的氧化钨；分子筛层，设于所述基片上，且完全覆盖所述氢气敏感材料层，所述分子筛层为MCM
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70分子筛。2.根据权利要求1所述的氢气传感器，其特征在于，所述分子筛层的厚度为10μm～15μm。3.根据权利要求1所述的氢气传感器，其特征在于，所述铂掺杂的氧化钨中铂的质量分数为0.8％～1％。4.根据权利要求1至3任一项所述的氢气传感器，其特征在于，所述氢气传感器还包括设于所述基片上的加热器；可选地，所述加热器设于所述基片的远离所述检测电极的表面上。5.一种氢气传感器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供基片；在所述基片的表面上制备检测电极；在所述基片的表面上制备氢气敏感材料层，并使所述氢气敏感材料层至少部分覆盖所述检测电极，所述氢气敏感材料层中的氢气敏感材料包括铂掺杂的氧化钨；在所述基片的表面上制备分子筛层，并使所述分子筛层完全覆盖所述氢气敏感材料层。6.根据权利要求5所述的氢气传感器的制备方法，其特征在于，在所述基片的表面上制备检测电极，包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：李鹏，田兵，樊小鹏，谭则杰，徐振恒，何毅，姚森敬，李立浧，
申请(专利权)人：南方电网数字电网研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：