一种金属棒材的冷等静压制备方法技术

本发明专利技术提供了一种金属棒材的冷等静压制备方法，所述制备方法包括：将金属粉末装入包套中压实，再将侧面涂覆第一胶水的封口塞塞入包套；第一胶水固化后，在封口塞和包套的连接处涂覆第二胶水，至第二胶水固化后完成包套密封；将密封后的包套进行冷等静压处理；然后在包套和封口塞的连接处开孔，向包套内充气进行脱模，再将包套封口处划开，取出封口塞后得到金属棒材。本发明专利技术所述方法在金属粉末冷等静压成型过程中，采用不同胶水配合使用对包套进行密封，固化后密封效果好，且操作简便，经冷等静压成型，通过充气进行脱模分离，简化了包套和产品的分离操作，产品合格率高；所述方法操作简便，可有效提高生产效率，降低成本。降低成本。

【技术实现步骤摘要】
一种金属棒材的冷等静压制备方法


[0001]本专利技术属于半导体靶材
，涉及一种金属棒材的冷等静压制备方法。

技术介绍

[0002]集成电路是一种微型电子器件，该电子器件是由晶体管、电阻、电容、电感等元件与布线经过一定的工艺连接在一起制备得到，并集中于硅片上以实现特定功能。随着集成电路的特征尺寸及布线宽度朝着更精细的方向发展，人们逐渐使用铜布线取代铝布线，但铜布线因其较为活跃的性质，在使用过程中容易与电路基板硅发生扩散形成铜硅合金，同样会影响电路性能，因此在集成电路金属互连线上镀上一层惰性抗腐蚀的薄膜尤为重要。
[0003]金属钽及其化合物因质地坚硬、富有延展性、具有高导电性、热稳定性及耐腐蚀性等优点，且不与铜、硅形成合金或化合物，可用作防止铜扩散的阻隔层，并且广泛应用于化工、微电子、电气等工业领域，钽靶材逐渐成为半导体产业的关键原材料之一。一般来说，溅射钽靶材主要有熔炼和塑性加工两大主要工序，其中熔炼方式分为真空电弧熔炼和真空电子束熔炼，目前主要采用的是后者，先通过真空电子束熔炼获得高纯钽锭，然后对钽锭反复进行塑性变形，从而获得本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种金属棒材的冷等静压制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：(1)将金属粉末装入包套中压实，再将侧面涂覆第一胶水的封口塞塞入包套；(2)待步骤(1)第一胶水固化后，在封口塞和包套的连接处涂覆第二胶水，至第二胶水固化后完成包套密封；(3)将步骤(2)密封后的包套进行冷等静压处理；(4)步骤(3)冷等静压处理后，在包套和封口塞的连接处开孔，向包套内充气进行脱模，再将包套封口处划开，取出封口塞后得到金属棒材。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述金属粉末的材质包括钽、钽合金、铌或铌合金中的任意一种；优选地，步骤(1)所述金属粉末的粒径为3～20μm；优选地，步骤(1)所述包套的材质包括橡胶、乳胶或塑料中任意一种；优选地，步骤(1)所述包套的形状呈棒状。3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述封口塞的材质包括橡胶或聚氨酯；优选地，步骤(1)所述第一胶水包括丙烯酸酯胶，优选为502胶。4.根据权利要求1
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3任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述第一胶水固化的时间为1～20min；优选地，步骤(2)所述第二胶水包括AB胶或聚氨酯型胶；优选地，所述AB胶中的A组分包括丙烯酸改性环氧树脂，B组分包括改性胺。5.根据权利要求1
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4任一项所述的制备方法，其特征在于，所述第一胶水和第二胶水用量的质量比为1～3；优选地，步骤(2)所述第二胶水固化的时间为1～20min。6.根据权利要求1
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5任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述冷等静压的压力为100～300MPa；优选地，步骤(3)所述冷等静压的压力由冷等静压机提供；优选地，步骤(3)所述冷等静压的时间为5～60min。7.根据权利要求1

【专利技术属性】
技术研发人员：姚力军，李桂鹏，请求不公布姓名，潘浩，
申请(专利权)人：同创丽水特种材料有限公司，
类型：发明
国别省市：