像素电路及显示面板制造技术

技术编号:37238010 阅读:44 留言:0更新日期:2023-04-20 23:19
本申请公开了一种像素电路及显示面板,该像素电路包括驱动晶体管、第一补偿晶体管、第二补偿晶体管以及第三补偿晶体管,第一电位线通过第三补偿晶体管可以适时改变第一补偿晶体管的第二极的电位、第二补偿晶体管的第一极的电位,以缩小驱动晶体管的栅极与第一补偿晶体管的第二极、第二补偿晶体管的第一极之间的压差,减小了驱动晶体管的栅极漏电流,使得流经驱动晶体管的发光电流更为恒定,进而提高了帧内亮度的均一性。帧内亮度的均一性。帧内亮度的均一性。

【技术实现步骤摘要】
像素电路及显示面板


[0001]本申请涉及显示
,具体涉及一种像素电路及显示面板。

技术介绍

[0002]在低频驱动的情况下,一帧的时间较长,因此在一帧内像素电路的亮度会产生较大的变化,这会导致人眼可感受到较大的闪烁(Flicker)发生,影响了显示品质。

技术实现思路

[0003]本申请提供一种像素电路及显示面板,以缓解帧内亮度变化较大的技术问题。
[0004]第一方面,本申请提供一种像素电路,该像素电路包括驱动晶体管、第一补偿晶体管、第二补偿晶体管以及第三补偿晶体管,驱动晶体管串联于第一电源线与第二电源线之间;第一补偿晶体管的第一极与驱动晶体管的栅极电连接,第一补偿晶体管的栅极与扫描线电连接;第二补偿晶体管的第一极与第一补偿晶体管的第二极电连接,第二补偿晶体管的第二极与驱动晶体管的第一极或者驱动晶体管的第二极电连接,第二补偿晶体管的栅极与第一控制线电连接;第三补偿晶体管的第一极与第一补偿晶体管的第二极、第二补偿晶体管的第一极电连接,第三补偿晶体管的栅极与第二控制线电连接,第三补偿晶体管的第二极与第一电位线电连接本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种像素电路,其特征在于,所述像素电路包括:驱动晶体管,所述驱动晶体管串联于第一电源线与第二电源线之间;第一补偿晶体管,所述第一补偿晶体管的第一极与所述驱动晶体管的栅极电连接,所述第一补偿晶体管的栅极与扫描线电连接;第二补偿晶体管,所述第二补偿晶体管的第一极与所述第一补偿晶体管的第二极电连接,所述第二补偿晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第一极或者所述驱动晶体管的第二极电连接,所述第二补偿晶体管的栅极与第一控制线电连接;第三补偿晶体管,所述第三补偿晶体管的第一极与所述第一补偿晶体管的第二极、所述第二补偿晶体管的第一极电连接,所述第三补偿晶体管的栅极与第二控制线电连接,所述第三补偿晶体管的第二极与第一电位线电连接。2.根据权利要求1所述的像素电路,其特征在于,所述驱动晶体管的沟道类型、所述第一补偿晶体管的沟道类型、所述第二补偿晶体管的沟道类型以及所述第三补偿晶体管的沟道类型均相同。3.根据权利要求1所述的像素电路,其特征在于,所述像素电路还包括:第一发光控制晶体管,所述第一发光控制晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第二极电连接,所述第一发光控制晶体管的栅极与第三控制线电连接;发光器件,所述发光器件的阳极与所述第一发光控制晶体管的第二极电连接,所述发光器件的阴极与所述第二电源线电连接;复位晶体管,所述复位晶体管的第一极与所述发光器件的阳极电连接,所述复位晶体管的第二极与第二电位线或者所述第一电位线电连接,所述复位晶体管的栅极与所述第二补偿晶体管的栅极电连接。4.根据权利要求3所述的像素电路,其特征在于,所述复位晶体管的沟道类型与所述第二补偿晶体管的沟道类型相同。5.根据权利要求3所述的像素电路,其特征在于,所述像素电路还包括:第二发光控制晶体管,所述第二发光控制晶体管的第一极与所述第一电源线电连接,所述第二发光控制晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第一极电连接,所述第二发光控制晶体管的栅极与所述第一发光控制晶体管的栅极电连接;写入晶体管,所述写入晶体管的第一极与数据线电连接,所述写入晶体管的栅极与所述扫描线电连接,所述写入晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第一极或者所述驱动晶体管的第二极电连接;第一初始化晶体管,所述第一初始化晶体管的第一极与所述驱动晶体管的栅极电连接,所述第一初始化晶体管的栅极与第四控制线电连接,所述第一初始化晶体管的第二极与第三电位线、所述第一电位线或者所述第二电位线中的一个电连接。6.根据权利要求5所述的像素电路,其特征在于,所述像素电路还包括:第二初始化晶体管,所述第二初始化晶体管的第一极与所述驱动晶体管的栅极电连接,所述第二初始化晶体管的栅极与所述第一初始化晶体管的栅极电连接,所述第二初始化晶体管的第二极与所述第一初始化晶体管的第一极、所述第三补偿晶体管的第一极电连接。7.根据权利要求6所述的像素电路,其特征在于,所述驱动晶体管、所述第一补偿晶体
管、所述第二补偿晶体管、所述第三补偿晶体管、所述第一发光控制晶体管、所述复位晶体管、所述第二发光控制晶体管、所述写入晶体管、所述第一初始化晶体管以及所述第二初始化晶体管均为低温多晶硅薄膜晶体...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈涛
申请(专利权)人:武汉华星光电半导体显示技术有限公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1