一种低压差线性调整电路结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种低压差线性调整电路结构，包括第一三极管Q13、第二三极管Q15、二极管D7、MOS管Q17以及稳压管ZD1、电阻、电容和保险丝；驱动信号MOSDIV接入第二三极管Q15的基极，第二三极管Q15的发射极与电阻连接后经过稳压管ZD1与+12V电源相连接，集电极与

【技术实现步骤摘要】
一种低压差线性调整电路结构


[0001]本技术涉及一种低压差线性调整电路，尤其涉及一种低压差线性调整电路结构。

技术介绍

[0002]低压差线性调整电路是线性电源内部电路的重要组成部分。
[0003]现有技术的方案是基于整流桥、电抗器等设计的线性调整电路。在电路中引入的电抗器需要根据功率大小来确定。
[0004]如图1所示，现有技术一包括交流电输入端Vin、整流桥、电源E，交流电输入端Vin的两端分别与整流桥的交流输入端相连，电源E连接在整流桥的直流输出端的两端。
[0005]现有技术一的缺点：
[0006]上述现有技术的方案具有如下弊端：
[0007]其一，在电路中引入的电抗器需要根据功率大小来确定，导致电能浪费。电抗器在电路中起到阻抗的作用，若不加以限制会严重影响仪器的动态特性和热稳定性；
[0008]其二，电压电流调整精度不够构成，从而影响仪器自身的性能指标；
[0009]其三，现有电路的器件功耗较大，导致器件的寿命缩短从而影响仪器自身的寿命。
[0010]有鉴于此，特提出本技术。

技术实现思路

[0011]本技术的目的是提供了一种低压差线性调整电路结构，以解决现有技术中存在的上述技术问题。
[0012]本技术的目的是通过以下技术方案实现的：
[0013]本技术的低压差线性调整电路结构，包括第一三极管Q13、第二三极管Q15、二极管D7、MOS管Q17以及稳压管ZD1、电阻、电容和保险丝；
[0014]驱动信号MOSDIV接入第二三极管Q15的基极，第二三极管Q15的发射极与电阻连接后经过稳压管ZD1与+12V电源相连接，集电极与
‑
12V电源相连接；
[0015]第一三极管Q13的集电极与二极管D2负极连接，发射极接入预稳信号P7，基极与保险丝的右端相连和三个并联电阻的左端连接；
[0016]MOS管Q17漏极经电容接地且与第二三极管Q15的发射极相连接，源极经保险丝后与第一三极管Q13的基级和三个并联电阻左端连接，栅极经电阻后与二极管D7的正极连接，源极与漏极之间接入一个稳压管；
[0017]在二极管D7的正极串联一个电阻，同时并联一个电容后与第二三极管Q15的发射极连接。
[0018]与现有技术相比，本技术所提供的低压差线性调整电路结构，该电路结构能够提高电源实际输出电压电流精度、实现电路元器件以及仪器自身低功耗、降低电路成本且安全可靠性。以本技术为核心设计的高性能线性稳压电源可为各种装备研制和技术
保障提供高性能的供电，满足装备测试中对电源精度、输出噪声、纹波、动态输出性能、精确的限流能力和良好的稳定性和可靠性等方面的要求。
附图说明
[0019]图1为现有技术的线性调整电路结构示意图；
[0020]图2为本技术实施例提供的低压差线性调整电路结构示意图；
具体实施方式
[0021]下面结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述；显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例，这并不构成对本技术的限制。基于本技术的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术的保护范围。
[0022]首先对本文中可能使用的术语进行如下说明：
[0023]术语“和/或”是表示两者任一或两者同时均可实现，例如，X和/或Y表示既包括“X”或“Y”的情况也包括“X和Y”的三种情况。
[0024]术语“包括”、“包含”、“含有”、“具有”或其它类似语义的描述，应被解释为非排它性的包括。例如：包括某技术特征要素(如原料、组分、成分、载体、剂型、材料、尺寸、零件、部件、机构、装置、步骤、工序、方法、反应条件、加工条件、参数、算法、信号、数据、产品或制品等)，应被解释为不仅包括明确列出的某技术特征要素，还可以包括未明确列出的本领域公知的其它技术特征要素。
[0025]术语“由
……
组成”表示排除任何未明确列出的技术特征要素。若将该术语用于权利要求中，则该术语将使权利要求成为封闭式，使其不包含除明确列出的技术特征要素以外的技术特征要素，但与其相关的常规杂质除外。如果该术语只是出现在权利要求的某子句中，那么其仅限定在该子句中明确列出的要素，其他子句中所记载的要素并不被排除在整体权利要求之外。
[0026]除另有明确的规定或限定外，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如：可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本文中的具体含义。
[0027]术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述和简化描述，而不是明示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本文的限制。
[0028]本技术实施例中未作详细描述的内容属于本领域专业技术人员公知的现有技术。本技术实施例中未注明具体条件者，按照本领域常规条件或制造商建议的条件进行。本技术实施例中所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市售购买获得的常规产品。
[0029]本技术的低压差线性调整电路结构，包括第一三极管Q13、第二三极管Q15、二极管D7、MOS管Q17以及稳压管ZD1、电阻、电容和保险丝；
[0030]驱动信号MOSDIV接入第二三极管Q15的基极，第二三极管Q15的发射极与电阻连接后经过稳压管ZD1与+12V电源相连接，集电极与
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12V电源相连接；
[0031]第一三极管Q13的集电极与二极管D2负极连接，发射极接入预稳信号P7，基极与保险丝的右端相连和三个并联电阻的左端连接；
[0032]MOS管Q17漏极经电容接地且与第二三极管Q15的发射极相连接，源极经保险丝后与第一三极管Q13的基级和三个并联电阻左端连接，栅极经电阻后与二极管D7的正极连接，源极与漏极之间接入一个稳压管；
[0033]在二极管D7的正极串联一个电阻，同时并联一个电容后与第二三极管Q15的发射极连接。
[0034]所述第一三极管Q13选取三极管MMBT2222A，所述第二三极管Q15选取三极管PZT2907A，所述二极管D7选取二极管1N4148，所述MOS管Q17选取IRFP260NPbF，所述保险丝选取6A保险丝。
[0035]综上可见，本技术实施例的低压差线性调整电路结构，能够提高电源实本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低压差线性调整电路结构，其特征在于，包括第一三极管Q13、第二三极管Q15、二极管D7、MOS管Q17以及稳压管ZD1、电阻、电容和保险丝；驱动信号MOSDIV接入第二三极管Q15的基极，第二三极管Q15的发射极与电阻连接后经过稳压管ZD1与+12V电源相连接，集电极与
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12V电源相连接；第一三极管Q13的集电极与二极管D2负极连接，发射极接入预稳信号P7，基极与保险丝的右端相连和三个并联电阻的左端连接；MOS管Q17漏极经电容接地且与第二三极管Q15的发射极...

【专利技术属性】
技术研发人员：王卉，石亚昆，赵佳鹤，
申请(专利权)人：北京大华无线电仪器有限责任公司，
类型：新型
国别省市：