一种基于硅基光电子集成芯片的光电共封装方法技术

本发明专利技术公开了一种基于硅基光电子集成芯片的光电共封装方法，包括步骤：S1：利用导电银胶将硅光芯片上固化的微型焊料凸点与扇出结构基板的引脚对准粘接；S2：对导电银胶进行高温固化加热，以实现硅光芯片与扇出结构基板的电学连接与固定，实现电学封装。第一个实施例中，本发明专利技术通过采用导电银胶来实现电连接，然后通过高温使导电银胶固化，完成硅光芯片和扇出结构基板的电连接，同时因为需要进行升温再降温，所以可以在加速导电银胶固化的同时实现硅光芯片和扇出结构基板的退火，释放内部应力，避免因热失衡导致焊料凸块或者焊球出现裂缝。缝。缝。

【技术实现步骤摘要】
一种基于硅基光电子集成芯片的光电共封装方法


[0001]本专利技术涉及半导体器件
，更具体地说，本专利技术涉及一种基于硅基光电子集成芯片的光电共封装方法。

技术介绍

[0002]台积电在申请号为201210076845.X的专利中对于半导体的封装工艺进行了改进，通过填充平坦化的凸块来解决因热应力作用导致的焊料凸块或焊球内形成裂缝问题，其中对于芯片而言，额外设置金属连接件虽然能够为相对侧提供电信号路径，但是在使用时因为多段连接会存在信号衰减、系统功耗增高等问题，虽然在上述问题对于电芯片而言处于可以接受的范围内，但是对于交换 ASIC 芯片和硅光引擎（光学器件） 在同一高速主板上协同封装，即光电共封装（CPO）而言，交换芯片与光电引擎共同封装在同一基板上，使引擎尽量靠近 ASIC，以最大程度地减少 SerDes 功耗、 高速电通道损耗和阻抗不连续性，从而获得高速率、大密度和低功耗是光电共封装的初衷，因此对于光电共封装而言，设置金属连接件则较为多余，因此如何在不额外设置金属连接件的情况下既能保证焊料凸块或焊球内不会出现裂缝，又能实现电连接是本专本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于硅基光电子集成芯片的光电共封装方法，其特征在于，包括步骤：S1：利用导电银胶（1）将硅光芯片（2）上固化的微型焊料凸点（21）与扇出结构基板（3）的引脚（31）对准粘接；S2：对导电银胶（1）进行高温固化加热，以实现硅光芯片（2）与扇出结构基板（3）的电学连接与固定，实现电学封装。2.根据权利要求1所述的基于硅基光电子集成芯片的光电共封装方法，其特征在于，步骤S1中包括：S101：通过焊接调整装置在对硅光芯片（2）进行凸点（21）焊接的同时进行表面修整；S102：在扇出结构基板（3）的引脚（31）上进行点胶，使胶点大小不大于硅光芯片（2）上焊点的直径；S103：将硅光芯片（2）和扇出结构基板（3）进行粘贴，并保证硅光芯片（2）上修整后的凸点（21）与扇出结构基板（3）上导电银胶（1）的胶点相对；S104：向下移动使胶点与凸点（21）接触，形成电连接。3.根据权利要求1所述的基于硅基光电子集成芯片的光电共封装方法，其特征在于，步骤S2包括：S201：将贴合好的硅光芯片（2）和扇出结构基板（3）放在退火盘（4）上，S202：将退火盘（4）送入退火柜（5）；S203：退火柜（5）升温加速导电银胶（1）固化，退火柜（5）内的温度小于凸点（21）的熔点；S204：导电银胶（1）固化后，退火柜（5）停止加热，退火盘（4）缓慢降温释放应力，避免凸点（21）和扇出结构基板（3）出现裂缝。4.根据权利要求2所述的基于硅基光电子集成芯片的光电共封装方法，其特征在于，所述焊接调整装置包括激光焊接装置（6）和平面修整装置（7）；所述平面修整装置（7）通过固定杆（8）套设在所述激光焊接装置（6）的底部，所述激光焊接装置（6）的激光穿过所述平面修整装置（7）对硅光芯片（2）进行凸点（21）焊接。5.根据权利要求4所述的基于硅基光电子集成芯片的光电共封装方法，其特征在于，所述平面修整装置（7）包括固定部（71）、分气部（72）和射流头（73）；所述固定部（71）的顶部通过所述固定杆（8）与所述激光焊接装置（6）连接，所述分气部（72）设置在所述固定部（71）的底部，所述射流头（73）设置在所述分气部（72）的底部，所述分气部（72）分别与吸气装置和送气装置连接，所述固定部（71）、所述分气部（72）和所述射流头（73）沿中心轴线贯通，激光焊接装置（6）的激光依次贯穿所述固定部（71）、所述分气部（72）和所...

【专利技术属性】
技术研发人员：许广俊，陈享郭，王峻岭，廖斐，彭德军，
申请(专利权)人：深圳市光为光通信科技有限公司，
类型：发明
国别省市：