【技术实现步骤摘要】
热沉材料及其制备方法以及电子封装材料
[0001]本专利技术涉及电子封装材料领域,特别是涉及一种热沉材料及其制备方法以及电子封装材料。
技术介绍
[0002]随着电子元器件向集成化发展,纳米量级的线宽线槽可以使芯片上分布更多的电子元器件,而在电子元器件运算工作的同时,会产生大量的热。在芯片面积不能大幅增大的前提下,芯片上元器件的数目越多,单位面积上芯片的发热越多。散热问题已经成为阻碍电子元器件行业最严峻的问题。尤其是为满足“摩尔定律”的规律,许多公司开始采用3D堆叠技术来满足芯片的应用需求,使得对电子元器件散热需求越来越高。
[0003]微电子封装热沉材料作用有两个:一是吸收电子元器件发出的热量,二是把吸收的热量向低温环境传递,保证元器件、组件和系统工作于适当的温度环境。然而传统微电子封装热沉材料热导率有限(为300W/(m
·
K)),无法满足更大功率的芯片散热需求,而且由于多层热沉材料需要多次热压复合导致生产效率下降。
技术实现思路
[0004]基于此,为了提高多层热沉材料的生产效 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种热沉材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:S10:依次层叠下高导热材料层、下低膨胀系数材料层、中间材料层、上低膨胀系数材料层以及上高导热材料层,所述下高导热材料层、所述下低膨胀系数材料层、所述中间材料层、所述上低膨胀系数材料层以及所述上高导热材料层的厚度比为(1~2):(1~2):(4~10):(1~2):(1~2),制备预制热沉材料;其中,中间材料层包括依次交替层叠的中间高导热材料层以及中间低膨胀系数材料层,所述中间高导热材料层的层数为n,所述中间低膨胀系数材料层的层数为m,n=m+1且m为0~3的整数;下高导热材料、中间高导热材料以及上高导热材料的导热系数各自独立地为100W/(m
·
K)~500W/(m
·
K),下低膨胀系数材料、中间低膨胀系数材料以及上低膨胀系数材料的膨胀系数各自独立地为6.0
×
10
‑6/K~8.0
×
10
‑6/K;下高导热材料、下低膨胀系数材料、中间高导热材料、中间低膨胀系数材料、所述上低膨胀系数材料以及所述上高导热材料的表面粗糙度各自独立地为0.3μm~1.6μm;S20:对所述下高导热材料层以及所述上高导热材料层加压,加热所述预制热沉材料,轧制,制备具有依次层叠的下高导热层、下低膨胀系数层、中间层、上低膨胀系数层以及上高导热层的热沉材料。2.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,满足以下一个或多个条件:(1)所述下高导热材料、所述中间高导热材料以及所述上高导热材料各自独立地选自铜、铝以及银中的一种或多种;(2)所述下低膨胀系数材料、所述中间低膨胀系数材料以及所述上低膨胀系数材料各自独立地选自钼、钼铜合金以及钨铜合金中的一种或多种;(3)所述热沉材料的厚度为0.5mm~3mm。3...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘伟恒,
申请(专利权)人:佛山华智新材料有限公司,
类型:发明
国别省市:
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