一种用于芯片失效分析的标识图的确定方法、装置及电子设备制造方法及图纸

本申请的实施例公开了一种用于芯片失效分析的标识图的确定方法、装置及电子设备，涉及芯片失效分析技术领域，为便于在物理失效分析时确定失效位置而发明专利技术。所述方法，包括：若当前金属层是指定金属层上方的金属层，则确定第一可疑失效位置在当前金属层中所对应的第一映射位置；对所述第一映射位置周围区域进行放大，得到放大后的金属层；对指定窗口区域内的图像进行采集，得到窗口区域图像；所述指定窗口区域为所述放大后的金属层中的一局部区域，所述第一映射位置位于该指定窗口区域内；对所述窗口区域图像进行图像识别，识别出目标图形；对所述目标图形进行标识，得到标识图。本申请适用于对芯片的失效分析。请适用于对芯片的失效分析。请适用于对芯片的失效分析。

【技术实现步骤摘要】
一种用于芯片失效分析的标识图的确定方法、装置及电子设备


[0001]本申请涉及芯片测试
，尤其涉及一种用于芯片失效分析的标识图的确定方法、装置及电子设备。

技术介绍

[0002]通常芯片的电学失效分析由设计公司执行完成后，将物理失效分析工作交由第三方进行处理。交给第三方的过程中，除了需要提供失效芯片样品，还需要提供可疑失效位置(也可称为可疑失效点或嫌疑失效点)在芯片中的坐标，用于后续在物理失效分析时定位到最终目标位置。
[0003]在实现本专利技术的过程中，专利技术人发现由于可疑失效位置在芯片的全局布图中的位置相对细微，在第三方对芯片进行物理失效分析的过程中，仅靠可疑失效位置的坐标，不太容易从芯片的上层往下逐渐定位，并缩小范围到可疑失效位置。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本申请实施例提供一种用于芯片失效分析的标识图的确定方法、装置、电子设备及可读存储介质，在对芯片进行物理失效分析的过程中，便于从芯片的上层往下逐渐定位，并缩小范围到可疑失效位置。
[0005]第一方面，本申请实施例提供一种用于芯片失效分析的标识图的确定方法，所述芯片包括至少两个金属层，所述至少两个金属层上下设置，不同金属层之间具有介质层，不同金属层通过介质层中的过孔相连接，所述标识图的确定方法，包括：判断当前金属层，是否是指定金属层上方的金属层；若当前金属层是所述指定金属层上方的金属层，则确定所述第一可疑失效位置在所述当前金属层中所对应的第一映射位置；所述第一可疑失效位置预先通过电学失效分析获得；对所述第一映射位置周围区域进行放大，得到放大后的金属层；对指定窗口区域内的图像进行采集，得到窗口区域图像；所述指定窗口区域为所述放大后的金属层中的一局部区域，所述第一映射位置位于该指定窗口区域内；对所述窗口区域图像进行图像识别，识别出目标图形；对所述目标图形进行标识，得到标识图。
[0006]根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述确定所述第一可疑失效位置在所述当前金属层中所对应的第一映射位置，包括：将所述第一可疑失效位置，沿垂直于所述当前金属层的方向，映射到所述当前金属层上，得到所述第一可疑失效位置在所述当前金属层中所对应的第一映射位置。
[0007]根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述对所述第一映射位置周围区域进行放大，得到放大后的金属层，包括：确定当前金属层中最窄金属线的宽度；基于所述最窄金属线的宽度，确定放大倍数；基于所述放大倍数，对所述第一映射位置周围区域进行放大，得到放大后的金属层。
[0008]根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述基于所述最窄金属线的宽度，确定
放大倍数，包括：根据如下公式确定放大倍数：
[0009][0010]其中，F为放大倍数；W
min
为当前金属层中最窄金属线的宽度，单位为mm；R1为人眼分辨率系数，取值范围为0.29
‑
5mm；R2为目标显示器的显示尺寸与所述芯片的设计尺寸的比值；所述目标显示器为用于对所述芯片进行物理失效分析的显示器。
[0011]根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述对所述窗口区域图像进行图像识别，识别出目标图形，包括：提取所述窗口区域内的图像中的初始轮廓线；从所述初始轮廓线中提取第一方向和/或第二方向上的特征轮廓线，作为目标图形；其中，所述第一方向与所述第二方向相互垂直；或者，
[0012]从所述初始轮廓线中提取第一方向和第二方向之外的方向上的特征轮廓线，作为目标图形；其中，所述第一方向与所述第二方向相互垂直；或者，
[0013]从所述初始轮廓线中提取各个方向上的特征轮廓线，作为目标图形。
[0014]根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述从所述初始轮廓线中提取第一方向上的特征轮廓线，作为目标图形，包括：在所述当前金属层中，从所述第一映射位置沿第一方向建立第一参考线；确定所述当前金属层中，与所述第一参考线相交的各金属线；将与所述第一参考线相交的各金属线中，线宽超过第一线宽阈值，或小于第二线宽阈值的金属线，作为目标图形；所述第一线宽阈值大于所述第二线宽阈值。
[0015]根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述从所述初始轮廓线中提取第二方向上的特征轮廓线，作为目标图形，包括：在所述当前金属层中，从所述第一映射位置沿第二方向建立第二参考线；确定所述当前金属层中，与所述第二参考线相交的各金属线；将与所述第二参考线相交的各金属线中，线宽超过第三线宽阈值，或小于第四线宽阈值的金属线，作为目标图形；所述第三线宽阈值大于所述第四线宽阈值。
[0016]根据本申请实施例的一种具体实现方式，从所述初始轮廓线中提取的特征轮廓线的数量为两条以上；在从所述初始轮廓线中提取出特征轮廓线之后，所述标识图的确定方法还包括：计算相邻的至少两条特征轮廓线的合并宽度值，所述合并宽度值为所述相邻的至少两条特征轮廓线的宽度之和；将所述合并宽度值按照大小进行排序；将合并宽度值大于预设阈值的合并宽度值所对应的至少两条特征轮廓线，作为目标图形。
[0017]根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述从所述初始轮廓线中提取第一方向和第二方向之外的方向上的特征轮廓线，作为目标图形，包括：删除所述初始轮廓线中的第一方向的轮廓线和第二方向的轮廓线，保留剩余的轮廓线作为目标图形。
[0018]根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述从所述初始轮廓线中提取各个方向上的特征轮廓线，作为目标图形，包括：删除所述初始轮廓线中的第一方向的轮廓线和第二方向的轮廓线，得到剩余的轮廓线；将剩余的轮廓线与所述初始轮廓线进行匹配，提取所述初始轮廓线中与所述剩余的轮廓线相匹配的图形，作为目标图形；其中，从所述初始轮廓线中提取的与所述剩余的轮廓线相匹配的图形，包括所述剩余的轮廓线及与所述剩余的轮廓线相连的至少一条轮廓线。
[0019]根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述对所述目标图形进行标识，得到标识图，包括：对所述目标图形进行高亮标识，得到标识图。
[0020]第二方面，本申请实施方式提供一种用于芯片失效分析的标识图的确定装置，包括：
[0021]判断模块，用于判断当前金属层，是否是指定金属层上方的金属层；
[0022]映射模块，用于若所述判断模块确定当前金属层是所述指定金属层上方的金属层，则确定所述第一可疑失效位置在所述当前金属层中所对应的第一映射位置；所述第一可疑失效位置预先通过电学失效分析获得；
[0023]放大模块，用于对所述第一映射位置周围区域进行放大，得到放大后的金属层；
[0024]图像采集模块，用于对指定窗口区域内的图像进行采集，得到窗口区域图像；所述指定窗口区域为所述放大后的金属层中的一局部区域，所述第一映射位置位于该指定窗口区域内；
[0025]图形识别模块，用于对所述窗口区域图像进行图像识别，识别出目标图形；
[0026]标识模块，用于对所述目标图形进行标识，得到标识图。
[0027]根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述映射本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于芯片失效分析的标识图的确定方法，其特征在于，包括：判断当前金属层，是否是指定金属层上方的金属层；若当前金属层是所述指定金属层上方的金属层，则确定所述第一可疑失效位置在所述当前金属层中所对应的第一映射位置；所述第一可疑失效位置预先通过电学失效分析获得；对所述第一映射位置周围区域进行放大，得到放大后的金属层；对指定窗口区域内的图像进行采集，得到窗口区域图像；所述指定窗口区域为所述放大后的金属层中的一局部区域，所述第一映射位置位于该指定窗口区域内；对所述窗口区域图像进行图像识别，识别出目标图形；对所述目标图形进行标识，得到标识图。2.根据权利要求1所述的用于芯片失效分析的标识图的确定方法，其特征在于，所述确定所述第一可疑失效位置在所述当前金属层中所对应的第一映射位置，包括：将所述第一可疑失效位置，沿垂直于所述当前金属层的方向，映射到所述当前金属层上，得到所述第一可疑失效位置在所述当前金属层中所对应的第一映射位置。3.根据权利要求1所述的用于芯片失效分析的标识图的确定方法，其特征在于，所述对所述第一映射位置周围区域进行放大，得到放大后的金属层，包括：确定当前金属层中最窄金属线的宽度；基于所述最窄金属线的宽度，确定放大倍数；基于所述放大倍数，对所述第一映射位置周围区域进行放大，得到放大后的金属层。4.根据权利要求3所述的用于芯片失效分析的标识图的确定方法，其特征在于，所述基于所述最窄金属线的宽度，确定放大倍数，包括：根据如下公式确定放大倍数：其中，F为放大倍数；W
min
为当前金属层中最窄金属线的宽度，单位为mm；R1为人眼分辨率系数，取值范围为0.29
‑
5mm；R2为目标显示器的显示尺寸与所述芯片的设计尺寸的比值；所述目标显示器为用于对所述芯片进行物理失效分析的显示器。5.根据权利要求1所述的用于芯片失效分析的标识图的确定方法，其特征在于，所述对所述窗口区域图像进行图像识别，识别出目标图形，包括：提取所述窗口区域内的图像中的初始轮廓线；从所述初始轮廓线中提取第一方向和/或第二方向上的特征轮廓线，作为目标图形；其中，所述第一方向与所述第二方向相互垂直；或者，从所述初始轮廓线中提取第一方向和第二方向之外的方向上的特征轮廓线，作为目标图形；其中，所述第一方向与所述第二方向相互垂直；或者，从所述初始轮廓线中提取各个方向上的特征轮廓线，作为目标图形。6.根据权利要求5所述的用于芯片失效分析的标识图的确定方法，其特征在于，所述从所述初始轮廓线中提取第一方向上的特征轮廓线，作为目标图形，包括：在所述当前金属层中，从所述第一映射位置沿第一方向建立第一参考线；
确定所述当前金属层中，与所述第一参考线相交的各金属线；将与所述第一参考线相交的各金属线中，线宽超过第一线宽阈值，或小于第二线宽阈值的金属线，作为目标图形；所述第一线宽阈值大于所述第二线宽阈值。7.根据权利要求5所述的用于芯片失效分析的标识图的确定方法，其特征在于，所述从所述初始轮廓线中提取第二方向上的特征轮廓线，作为目标图形，包括：在所述当前金属层中，从所述第一映射位置沿第二方向建立第二参考线；确定所述当前金属层中，与所述第二参考线相交的各金属线；将与所述第二参考线相交的各金属线中，线宽超过第三线宽阈值，或小于第四线宽阈值的金属线，作为目标图形；所述第三线宽阈值大于所述第四线宽阈值。8.根据权利要求6或7所述的用于芯片失效分析的标识图的确定方法，其特征在于，从所述初始轮廓线中提取的特征轮廓线的数量为两条以上；在从所述初始轮廓线中提取出特征轮廓线之后，所述标识图的确定方法还包括：计算相邻的至少两条特征轮廓线的合并宽度值，所述合并宽度值为所述相邻的至少两条特征轮廓线的宽度之和；将所述合并宽度值按照大小进行排序；将合并宽度值大于预设阈值的合并宽度值所对应的至少两条特征轮廓线，作为目标图形。9.根据权利要求5所述的用于芯片失效分析的标识图的确定方法，其特征在于，所述从所述初始轮廓线中提取第一方向和第二方向之外的方向上的特征轮廓线，作为目标图形，包括：删除所述初始轮廓线中的第一方向的轮廓线和第二方向的轮廓线，保留剩余的轮廓线作为目标图形。10.根据权利要求5所述的用于芯片失效分析的标识图的确定方法，其特征在于，所述从所述初始轮廓线中提取各个方向上的特征轮廓线，作为目标图形，包括：删除所述初始轮廓线中的第一方向的轮廓线和第二方向的轮廓线，得到剩余的轮廓线；将剩余的轮廓线与所述初始轮廓线进行匹配，提取所述初始轮廓线中与所述剩余的轮廓线相匹配的图形，作为目标图形；其中，从所述初始轮廓线中提取的与所述剩余的轮廓线相匹配的图形，包括所述剩余的轮廓线及与所述剩余的轮廓线相连的至少一条轮廓线。11.根据权利要求1所述的用于芯片失效分析的标识图的确定方法，其特征在于，所述对所述目标图形进行标识，得到标识图，包括：对所述目标图形进行高亮标识，得到标识图。12.一种用于芯片失效分析的标识图的确定装置，其特征在于，包括：判断模块，用于判断当前金属层，是否是指定金属层上方的金属层；映射模块，用于若所述判断模块确定当前金属层是所述指定金属层上方的金属层，则...

【专利技术属性】
技术研发人员：林健，
申请(专利权)人：成都海光微电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：