一种基于侧向双孔结构的细胞电融合芯片装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及电融合芯片领域，公开了一种基于侧向双孔结构的细胞电融合芯片装置，包括微图案ITO电极和PDMS微控流芯片，PDMS微控流芯片内设置有若干通道和捕获结构，通道与捕获结构连通，且通道上设置有多个进样口和出样口；捕获结构包括捕获腔室和聚焦柱，捕获腔室由设置在一侧的倒“山”字形结构和设置在倒“山”字形结构开口侧的两个斜柱组成，聚焦柱设置在捕获腔室对侧。本技术方案可实现两个相近尺寸细胞的电融合，同时实现高通量。同时实现高通量。同时实现高通量。

【技术实现步骤摘要】
一种基于侧向双孔结构的细胞电融合芯片装置


[0001]本专利技术涉及电融合芯片领域，具体涉及一种基于侧向双孔结构的细胞电融合芯片装置。

技术介绍

[0002]电融合技术是上世纪80年代建立起来的一种新型促融合技术。当细胞置于非常高的电场中，细胞膜就变得具有通透性，能让外界的分子扩散进细胞内，这一现象称为电融合，又叫电穿孔。运用这一技术，许多物质，包括DNA、RNA、蛋白质、药物、抗体和荧光探针都能载入细胞。与其他常用的导入外源物质的方法相比，电融合具有很多有点：一、电融合不必象显微注射那样使用玻璃针，不需要技术培训和昂贵的设备，可以一次对成百万的细胞进行注射；二、与用化学物质相比，电融合几乎没有生物或化学副作用；三、因为电融合是一种物理方法，较少依赖细胞类型，因而应用广泛。
[0003]尽管细胞电融合技术在育种、杂交研究和细胞克隆方面得到了成功应用，但是还存在一些问题。在基因组学和抗体研发领域，往往需要对两个相近尺寸的细胞进行融合，目前细胞融合过程，其控制性手段相对欠缺，导致融合效率的稳定性有待提高。因此，专利技术人考虑通过结构及方法的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于侧向双孔结构的细胞电融合芯片装置，其特征在于：包括微图案ITO电极和PDMS微控流芯片，所述PDMS微控流芯片内设置有若干通道和捕获结构，所述通道与捕获结构连通，且通道上设置有多个进样口和出样口；捕获结构包括捕获腔室，捕获腔室由设置在一侧的倒“山”字形结构和设置在倒“山”字形结构开口侧的两个斜柱组成。2.根据权利要求1所述的一种基于侧向双孔结构的细胞电融合芯片装置，其特征在于：所述两个斜柱分别固定在倒“山”字形结构开口侧的上端和下端，且斜柱均朝向中部倾斜设置，且斜柱的对侧设置了三角形的聚焦柱。3.根据权利要求2所述的一种基于侧向双孔结构的细胞电融合芯片装置，其特征在于：所述斜柱的倾斜角度为25
‑
35
°
，且两个斜柱远离倒“山”字形结构一端之间的距离为4
‑
6μm。4.根据权利要求3所述的一种基于侧向双孔结构的细胞电融合芯片装置，其特征在于：所述三角形的聚焦柱与捕获结构间的距离为25
‑
30μm，三角形为边长10
‑
14μ...

【专利技术属性】
技术研发人员：柏亚七，王雪峰，胡宁，鞠煌先，许梦丽，杨军，吴洁，张小玲，郑小林，
申请(专利权)人：重庆大学，
类型：发明
国别省市：