具有反射层的发光二极管及其制备方法技术

本公开提供了一种具有反射层的发光二极管及其制备方法，属于半导体技术领域。该发光二极管包括衬底，以及依次生长在衬底一面的反射层、缓冲层、第一导电类型的半导体层、发光层和第二导电类型的半导体层；衬底的一面具有多个凹槽，多个凹槽相互间隔排布；反射层包括多个反射凸块，多个反射凸块与多个凹槽一一对应，反射凸块包括第一部分和第二部分，第一部分位于对应的凹槽内，第二部分位于凹槽外。本公开能够提高光提取效率。公开能够提高光提取效率。公开能够提高光提取效率。

【技术实现步骤摘要】
具有反射层的发光二极管及其制备方法


[0001]本公开属于半导体
，特别涉及一种具有反射层的发光二极管及其制备方法。

技术介绍

[0002]发光二极管(Light Emitting Diode，LED)是一种可以将电能直接转化为光能的半导体光电器件，由于其具有能源利用率高、响应速度快、使用寿命长以及环境友好等特点，当前已经受到越来越多的关注。
[0003]在相关技术中，发光二极管具有外延片，外延片包括衬底和生长在衬底一面上的外延层。在工作时，外延层出光，部分光线照射在衬底上并反射。
[0004]然而，衬底对于光线的反射率有限，导致照射至衬底上的光线被吸收，影响了发光二极管的光提取效率。

技术实现思路

[0005]本公开实施例提供了一种具有反射层的发光二极管及其制备方法，能够提高光提取效率。所述技术方案如下：
[0006]一方面，本公开实施例提供了一种发光二极管，包括衬底，以及依次生长在所述衬底一面的反射层、第一导电类型的半导体层、发光层和第二导电类型的半导体层；
[0007]所述衬底的一面具本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其特征在于，包括衬底(10)，以及依次生长在所述衬底(10)一面的反射层(20)、第一导电类型的半导体层(40)、发光层(50)和第二导电类型的半导体层(60)；所述衬底(10)的一面具有多个凹槽(110)，多个所述凹槽(110)相互间隔排布；所述反射层(20)包括多个反射凸块(210)，多个所述反射凸块(210)与多个所述凹槽(110)一一对应，所述反射凸块(210)包括第一部分(211)和第二部分(212)，所述第一部分(211)位于对应的所述凹槽(110)内，所述第二部分(212)位于所述凹槽(110)外。2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，各所述凹槽(110)的中心分布在至少两个圆形轨迹(70)上，各所述圆形轨迹(70)与所述衬底(10)同心，且各所述圆形轨迹(70)相互间隔。3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，各所述圆形轨迹(70)之间的径向距离为2.1
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8.4μm。4.根据权利要求1
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3任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述凹槽(110)的内轮廓为圆台形；所述凹槽(110)内径较小的一端为所述凹槽(110)的槽口，所述凹槽(110)内径较大的一端为所述凹槽(110)的槽底；所述第一部分(211)的外轮廓与所述凹槽(110)的内轮廓相匹配。5.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述凹槽(110)的槽口内径为1
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3μm，所述凹槽(110)的槽底内径为1.4
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5.6μm，所述凹槽(110)在外延生长方向上的深度为0.5
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2μm。6.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述第二部分(212)的外轮廓为圆台形；所述第二部分(212)外径较大的一端与所述第一部分(...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱知音，冯岩，王政卫，蒯亮，张圣君，张奕，王江波，梅劲，
申请(专利权)人：华灿光电浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：