一种不易漏电起痕的覆铜板及其制备工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种不易漏电起痕的覆铜板及其制备工艺，涉及覆铜板技术领域。本发明专利技术在制备不易漏电起痕的覆铜板时，先将碳化硅晶须依次和正硅酸乙酯、三甲氧基硅烷反应制得预改性碳化硅晶须，将预改性碳化硅晶须依次和三烯丙基硅烷、三乙氧基硅烷反应制得改性碳化硅晶须；将KBJS

【技术实现步骤摘要】
一种不易漏电起痕的覆铜板及其制备工艺


[0001]本专利技术涉及覆铜板
，具体为一种不易漏电起痕的覆铜板及其制备工艺。

技术介绍

[0002]覆铜板作为印制电路板制造中的基板材料，对印制电路板主要起互连导通、绝缘和支撑的作用，对电路中信号的传输速度、能量损失和特性阻抗等有很大的影响，因此，印制电路板的性能、品质、制造中的加工性、制造水平、制造成本以及长期的可靠性及稳定性在很大程度上取决于覆铜板。
[0003]由于电子产品的小型、轻量及薄型化，迫使印制电路板必须具备各种高质量、高技术特性，使印制电路板制造技术直接涉及到当代多种高新技术，其主要、最重要的材料覆铜板，也就必须随之具备各种高质量和高技术特性。因此，覆铜板在电子信息产业中的地位就显得越来越重要，对覆铜板的性能要求也原来越高。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种不易漏电起痕的覆铜板及其制备工艺，以解决现有技术中存在的问题。
[0005]为了解决上述技术问题，本专利技术提供如下技术方案：
[0006]一种不易漏电起痕的覆铜板，所述不易漏电起痕的覆铜板是用胶液对玻璃布浸渍后烘烤制得半固化片，将半固化片和铜箔叠配压合制得。
[0007]作为优化，所述胶液是将一段料搅拌、剪切、研磨后加热二段料再次搅拌、剪切、研磨制得。
[0008]作为优化，所述一段料是由KBJS
‑
600A70树脂、四官能环氧树脂、双氰胺、偶联剂、改性碳化硅晶须、N,N
‑
二甲基甲酰胺混合制得；所述二段料是由KBJS
‑
600A70树脂、2
‑
甲基咪唑、氢氧化铝、过硫酸铵混合制得；所述改性碳化硅晶须是由碳化硅晶须依次和正硅酸乙酯、三甲氧基硅烷反应制得预改性碳化硅晶须，将预改性碳化硅晶须依次和三烯丙基硅烷、三乙氧基硅烷反应制得。
[0009]作为优化，所述不易漏电起痕的覆铜板的制备工艺包括以下制备步骤：
[0010](1)改性碳化硅晶须的制备：将碳化硅晶须和纯水按质量比1：50～1：60混合均匀，在10～30℃，200～300r/min搅拌20～30min，保持搅拌速度不变以0.1～0.2mL/s的速度滴加碳化硅晶须质量15～20倍的正硅酸乙酯溶液，滴定结束后继续搅拌20～30min，在50～70℃，30～40kHz超声6～8h，过滤并依次用纯水和无水乙醇各洗涤3～5次，在60～70℃干燥4～6h，再和三甲氧基硅烷、纯水和无水乙醇按质量比1：1：10：10～2：1：15：15混合均匀，在50～60℃，30～40kHz超声6～8h，过滤并依次用纯水和无水乙醇各洗涤3～5次，在90～100℃干燥4～6h，制得预改性碳化硅晶须；将预改性碳化硅晶须、三烯丙基硅烷、正己烷按质量比1：1：5～1：1：8混合均匀，再加入三烯丙基硅烷质量0.03～0.05倍的氯铂酸，在70～80℃，500～800r/min搅拌回流4～6h，再加入三烯丙基硅烷质量3～4倍的三乙氧基硅烷，继续搅
拌回流4～6h，在20～30℃，1～2kPa静置3～4h，制得改性碳化硅晶须；
[0011](2)混合并剪切研磨：将KBJS
‑
600A70树脂、四官能环氧树脂、双氰胺、偶联剂、改性碳化硅晶须、N,N
‑
二甲基甲酰胺按质量比20：1：3：0.05：11：12～25：1：4：0.07：13：14混合均匀配制成一段料；将KBJS
‑
600A70树脂、2
‑
甲基咪唑、氢氧化铝、过硫酸铵按质量比11：0.01：3：0.4～13：0.01：4：0.6混合均匀配制成二段料；将一段料在30～40℃，1200～1600r/min搅拌2～3h，继续搅拌并依次进行剪切、研磨，再加入将一段料质量0.9～1.1倍的二段料，在30～40℃，1200～1600r/min搅拌2～3h，继续搅拌并依次进行剪切、研磨，制得胶液；
[0012](3)压合：将玻璃布浸没在胶液中，在40～50℃，30～40kHz超声20～30min，取出并在80～90℃干燥4～5h，再次浸没在胶液中，在40～50℃静置30～40min，取出在80～90℃干燥4～5h，再通过立式干燥机烘烤，烘烤温度190～210℃，烘烤时间2～3min，制得半固化片，再与厚度为50μm的铜箔叠配进行压合，升温速率8～10℃/min，压合温度230～240℃，压合压力2.7～2.9MPa，真空值为18～20Torr，压合时间130～150min，冷却至室温得到不易漏电起痕的覆铜板。
[0013]作为优化，步骤(1)所述正硅酸乙酯溶液是将正硅酸乙酯、无水乙醇按质量比1：6～1：8混合均匀配制而成。
[0014]作为优化，步骤(2)所述四官能环氧树脂为AG
‑
80四官能环氧树脂；所述偶联剂为KBM
‑
403偶联剂。
[0015]作为优化，步骤(2)所述剪切的设备为超细剪切泵，工艺参数为：剪切转速3500～4500r/min，剪切电流55～65A，剪切温度40～50℃，进料延时10sec，出料延时15sec。
[0016]作为优化，步骤(2)所述研磨的设备为砂磨机，工艺参数为：研磨转速1000～1200r/min，研磨温度40～50℃，研磨时间4～6h。
[0017]作为优化，步骤(3)所述玻璃布为电子级7628M玻璃布。
[0018]作为优化，步骤(3)所述铜箔为HTE铜箔。
[0019]与现有技术相比，本专利技术所达到的有益效果是：
[0020]本专利技术在制备不易漏电起痕的覆铜板时，先将KBJS
‑
600A70树脂、四官能环氧树脂、双氰胺、偶联剂、改性碳化硅晶须、N,N
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二甲基甲酰胺混合制得一段料；将KBJS
‑
600A70树脂、2
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甲基咪唑、氢氧化铝、过硫酸铵混合制得二段料，将一段料搅拌、剪切、研磨后加热二段料再次搅拌、剪切、研磨制得胶液，胶液对玻璃布浸渍后烘烤制得半固化片，将半固化片和铜箔叠配压合制得不易漏电起痕的覆铜板。
[0021]首先，将碳化硅晶须依次和正硅酸乙酯、三甲氧基硅烷反应制得预改性碳化硅晶须，将预改性碳化硅晶须依次和三烯丙基硅烷、三乙氧基硅烷反应制得改性碳化硅晶须，用正硅酸乙酯对碳化硅晶须进行预改性，正硅酸乙酯在碳化硅晶须表面沉积成二氧化硅层，具有良好的绝缘效果，对碳化硅晶须进行预改性后再进行改性，使改性碳化硅晶须表面生长有超支化聚硅碳烷支链，提高了改性碳化硅晶须的分散性，表面生长的超支化聚硅碳烷支链有大量的碳碳双键和三乙氧基硅基，碳碳双键可以在过硫酸铵的引发下进行自由基的聚合，三乙氧基硅基可形成硅羟基相互交联且可连接铜箔，形成改性碳化硅晶须交联网络，对主体成分和其他组分进行保护，从而提高了耐剥离性能，并且超支化聚硅碳烷支链具有良好的绝缘性，从而提高了抗漏电起痕性能。
[0022]其次，将一段料搅拌、剪本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种不易漏电起痕的覆铜板，其特征在于，所述不易漏电起痕的覆铜板是用胶液对玻璃布浸渍后烘烤制得半固化片，将半固化片和铜箔叠配压合制得。2.根据权利要求1所述的一种不易漏电起痕的覆铜板的制备工艺，其特征在于，所述胶液是将一段料搅拌、剪切、研磨后加热二段料再次搅拌、剪切、研磨制得。3.根据权利要求2所述的一种不易漏电起痕的覆铜板的制备工艺，其特征在于，所述一段料是由KBJS
‑
600A70树脂、四官能环氧树脂、双氰胺、偶联剂、改性碳化硅晶须、N,N
‑
二甲基甲酰胺混合制得；所述二段料是由KBJS
‑
600A70树脂、2
‑
甲基咪唑、氢氧化铝、过硫酸铵混合制得；所述改性碳化硅晶须是由碳化硅晶须依次和正硅酸乙酯、三甲氧基硅烷反应制得预改性碳化硅晶须，将预改性碳化硅晶须依次和三烯丙基硅烷、三乙氧基硅烷反应制得。4.一种不易漏电起痕的覆铜板的制备工艺，其特征在于，所述不易漏电起痕的覆铜板的制备工艺包括以下制备步骤：(1)改性碳化硅晶须的制备：将碳化硅晶须和纯水按质量比1：50～1：60混合均匀，在10～30℃，200～300r/min搅拌20～30min，保持搅拌速度不变以0.1～0.2mL/s的速度滴加碳化硅晶须质量15～20倍的正硅酸乙酯溶液，滴定结束后继续搅拌20～30min，在50～70℃，30～40kHz超声6～8h，过滤并依次用纯水和无水乙醇各洗涤3～5次，在60～70℃干燥4～6h，再和三甲氧基硅烷、纯水和无水乙醇按质量比1：1：10：10～2：1：15：15混合均匀，在50～60℃，30～40kHz超声6～8h，过滤并依次用纯水和无水乙醇各洗涤3～5次，在90～100℃干燥4～6h，制得预改性碳化硅晶须；将预改性碳化硅晶须、三烯丙基硅烷、正己烷按质量比1：1：5～1：1：8混合均匀，再加入三烯丙基硅烷质量0.03～0.05倍的氯铂酸，在70～80℃，500～800r/min搅拌回流4～6h，再加入三烯丙基硅烷质量3～4倍的三乙氧基硅烷，继续搅拌回流4～6h，在20～30℃，1～2kPa静置3～4h，制得改性碳化硅晶须；(2)混合并剪切研磨：将KBJS
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600A70树脂、四官能环氧树脂、双氰胺、偶联剂、改性碳化硅晶须、N,N
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二甲基甲酰胺按质量比20：1：3：0.05：11：12～...

【专利技术属性】
技术研发人员：周培峰，
申请(专利权)人：建滔电子材料江阴有限公司，
类型：发明
国别省市：