用于CVD腔室清洗的远程诱导耦接的等离子体源制造技术

本发明专利技术主要包括远程等离子体源和在远程等离子体源中产生等离子体的方法。清洗气体可在远程位置被激发为等离子体并且随后提供到处理腔室。通过在冷却ＲＦ线圈外部流动清洗气体，在可高压或低压下并且将高ＲＦ偏压施加到线圈而激发等离子体。冷却ＲＦ线圈可减少线圈的溅射并从而减少与清洗气体等离子体一起被输送到处理腔室的不期望污染物。减少线圈的溅射可延长远程等离子体源的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的实施方式主要涉及用于制造将被传输到处理腔室的等离子体的 远程等离子体源。
技术介绍
等离子体处理用于多种器件制造应用中的多个制造步骤。对于太阳能电池 板或平板显示器，近来基板尺寸一直在增加。随着基板尺寸增加，需要更多的 等离子体。另外，在处理期间，材料可能沉积于处理腔室的暴露区域上。随着 材料积累，存在材料可能剥落并污染基板的危险。通过周期性地清洗处理腔室， 可从腔室去除不期望的沉积物以减少基板污染。因为基板尺寸由于增长的需求而一直增加，并且在一些情形下，必不可少 地需要增加密度的等离子体以有效地清洗处理腔室。因此，在现有技术中需要一种改进的远程等离子体源。
技术实现思路
本专利技术主要包括远程等离子体源和在远程等离子体源中产生等离子体的 方法。清洗气体可在远程位置被激发为等离子体并且随后提供到处理腔室。通 过在冷却RF线圈外部流动清洗气体，可在高压或低压下并且同时提供高RF 偏压到线圈来激发等离子体。冷却RF线圈可减少线圈的溅射并因此减少与清 洗气体等离子体一起被输送到处理腔室的不期望的污染物。减少线圈的溅射可 延长远程等离子体源的使用寿命。在一个实施方式中，公开了一种远本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种远程等离子体源，包含：　外壳；　与所述外壳耦接的气体入口；　与所述外壳耦接的等离子体出口；　设置在所述外壳内的金属管道，该金属管道具有外侧表面和内侧表面；　与所述外侧表面耦接的射频输入；以及　与所述内侧表面耦接的第一冷却液入口。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：卡尔A索伦森，乔瑟夫库德拉，
申请(专利权)人：应用材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]