软X线发生装置及除电装置制造方法及图纸

本发明专利技术目的在发生软Ｘ线的装置中抑制发热量，从而延长寿命。在本发明专利技术中，包括电子释放部即发射器和靶的除电装置中，由粒径为２ｎｍ～１００ｎｍ的钻石颗粒构成的薄膜形成在发射器的表面上。其特征在于：该薄膜在ＸＲＤ测定过程中具有钻石的ＸＲＤ图案，且进行了拉曼分光测定时，膜中的ｓｐ３结分量和ｓｐ２结分量之比为２．５～２．７∶１。当直流电源施加到发射器时，阈值电场强度在１Ｖ／μｍ以下，从发射器释放出比以往更多的电子，并且发射器的温度也几乎不上升，可实现长寿命化。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及软X线发生装置及用于从带电的物体除去静电的除电装置。
技术介绍
例如在半导体器件或FPD用玻璃基板、其它电子部件的制造装 置、制造线上，为了从这些电子部件除去静电，而对这些电子部件或 该基板照射长波段(低能带)的X线即波长为1埃(A) ~数百埃的 软X线。在照射上述那样的软X线进行除电的除电装置中，所采用的X线 的发生方法本身基本上是与以往大致相同的方法。即，在真空气氛中，将作为电子释放源的灯丝加热至数百。C以上， 且对外围施加负电压来释放电子的方式是一般的发生方法。由于是在 高温下释放电子， 一般将释放的电子称为热电子。然后，释放出的热 电子通过电场来向正电位侧加速，最终与真空管构件(所谓耙)冲撞。 电子能量由被施加的电压差来确定，因此例如在电子释放部的灯丝电 位为-9kV而电子冲撞的构件的电位为0V时，坤皮释^:的电子的运动 能量为9keV。然后，从电子释放部被释放的电子冲撞的耙，采用容易释放出制 动X线或特性X线的材料，从而发生X线。这种X线用耙的材料， 往往使用W或Ti、 Cu、 Mo等，靶厚度在透射型时为由电子进入深度 和软X线透射率的关系来特定最合适的厚本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种软Ｘ线的发生装置，包括电子释放部和靶，其特征在于：　所述电子释放部的表面由薄膜构成，该薄膜由粒径为２ｎｍ～１００ｎｍ的钻石颗粒构成。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：稻叶仁，大久保义典，八木祥行，佐藤俊一，西村一仁，
申请(专利权)人：高砂热学工业株式会社，樫尾计算机株式会社，日本财团法人高知县产业振兴中心，
类型：发明
国别省市：JP[日本]