【技术实现步骤摘要】
一种三蝶烯硼氮化合物及其应用
[0001]本专利技术属于有机发光材料
,涉及一种三蝶烯硼氮化合物及其有机光电器件应用。
技术介绍
[0002]有机半导体材料属于新型光电材料,其大规模研究起源于1977年由白川英树、A.Heeger及A.McDiamid共同发现了导电率可达铜水平的掺杂聚乙炔。随后,1987年Kodak公司的C.Tang等专利技术了有机小分子发光二极管(OLED),1990年剑桥大学R.Friend及A.Holmes专利技术了聚合物发光二极管P
‑
OLED,以及1998年S.Forrest与M.Thomson专利技术了效率更高的有机磷光发光二极管PHOLED。由于有机半导体材料具有结构易调可获得品种多样、能带可调,甚至如塑料薄膜加工一样的低成本好处,加上有机半导体在导电薄膜、静电复印、光伏太阳能电池应用、有机薄膜晶体管逻辑电路和有机发光OLED平板显示与照明等众多领域获得应用,白川英树、A.Heeger及A.McDiamid三位科学家于2000年获得诺贝尔化学奖。
[0003]作为新一代平板显示应用的有机电致发光二极管,有机光电半导体材料要求有:1.高发光效率;2.优良的电子与空穴稳定性;3.合适的发光颜色;4.优良的成膜加工性;5.与液晶显示相比更低的成本。原则上,大部分共轭性有机分子(包含星射体)、共轭性聚合物和含有共轭性发色团配体的有机重金属络合物都有具备电激发光性能,应用在各类发光二极管,如有机小分子发光二极管(OLED)、聚合物有机发光二极管(POLED)、有机 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种三蝶烯硼氮化合物,其特征在于,所述三蝶烯硼氮化合物具有式I所示结构:其中,Ar1、Ar2和Ar3各自独立地选自取代或未取代的六元芳环、取代或未取代的六元芳杂环、取代或未取代的五元芳杂环、取代或未取代的碳原子数不超过18的五元或六元芳杂环的键合体或稠合芳杂环;X1和X2各自独立地选自N
‑
R5、O、S、Se、CR6R7或SiR8R9;R1、R2、R3、R4和R5各自独立地为满足价键数量的至少一个取代(即其各自的数量至少为一个),分别独立地选自H、D(氘)、F、Cl、取代或为取代的C1‑
C
30
烷基、取代或未取代的C1‑
C
30
的烷氧基、
‑
NR
10
R
11
、取代或未取代的C3‑
C
30
的环烷基、取代或未取代的C1‑
C
30
烷硅基、取代或未取代的C6‑
C
50
的芳基、含有至少一个杂原子的取代或未取代C3‑
C
50
杂芳基、取代或未取代的C6‑
C
30
的稠合杂芳基或含有可反应性不饱和键的基团;R6、R7、R8、R9、R
10
、R
11
各自独立地选自C1
‑
C30烷基、C3
‑
C30的环烷基、取代或未取代的C6
‑
C50的芳基、含有至少一个杂原子的取代或未取代C3
‑
C50杂芳基、取代或未取代的C6
‑
C30的稠合杂芳基或含有可反应性不饱和键的基团;如上所述基团含有取代基时,所述取代基选自H、D(氘)、甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、叔丁基、戊基、环戊基、己基、环己基、苯基、取代苯基、咔唑基、取代咔唑基、噻吩基、取代噻吩基、呋喃基、取代呋喃基、硒酚基、取代硒酚基、苯并噻吩基、取代苯并噻吩基、苯丙呋喃基、取代苯丙噻吩基、苯丙硒酚基、取代苯丙硒酚基、二苯丙噻吩基、取代二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、取代二苯并呋喃基、二苯丙硒酚基、取代二苯丙硒酚基,所述取代的基团中取代基选自H、氘、F、Cl、甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、叔丁基、戊基、环戊基、己基、环己基、氰基、苯基、咔唑基、噻吩基、呋喃基、硒酚基、苯并噻吩基、苯丙呋喃基、苯丙硒酚基、二苯丙噻吩基、二苯并呋喃基、二苯丙硒酚基。2.根据权利要求1所述的三蝶烯硼氮化合物,其特征在于,所述Ar1、Ar2和Ar3各自独立地选自如下A1
‑
A16基团中的任意一种:
其中虚线代表基团的连接位置,Y为O、S、Se、SiR
14
R
15
或NR
14
R
15
,R
12
、R
13
、R
14
和R
15
为满足价键数量的至少一个取代(即其各自的数量至少为一个),分别独立地选自H、D、F、Cl、取代或为取代的C1
‑
C30烷基、取代或未取代的C1
‑
C30的烷氧基、
‑
NR...
【专利技术属性】
技术研发人员:李晓常,许千千,罗月阳,胡伟灿,吴江,坪山明,上野和则,
申请(专利权)人:江西冠能光电材料有限公司漳州冠能材料技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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