一种用于助熔剂法生长氮化物单晶的熔体搅拌装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提出了一种用于助熔剂法生长氮化物单晶的熔体搅拌装置，包括用于调节高度的调节支架、搅拌桨叶、反应容器和驱动设备，搅拌桨叶通过驱动杆与调节支架连接，驱动设备驱动端连接驱动杆，驱动设备通过驱动杆带动搅拌桨叶转动，反应容器内盛有熔体，调节支架带动搅拌桨叶进出熔体。本实用新型专利技术结构简单实用，并且可以根据氮化物单晶不同的生长条件，灵活改变搅拌桨叶在熔体中的位置，并以一定的速度和时间搅动熔体，既实现了熔体流动带动溶质的定向传输，解决了现有生长体系中的溶质传输困难、易产生多晶等技术问题，又可进一步保证籽晶外延界面区域的溶质过饱和度始终在合适的区间内，从而提高外延氮化物单晶的质量与尺寸。寸。寸。

【技术实现步骤摘要】
一种用于助熔剂法生长氮化物单晶的熔体搅拌装置


[0001]本技术涉及氮化物单晶制备用设备
，具体涉及一种用于助熔剂法生长氮化物单晶的熔体搅拌装置。

技术介绍

[0002]新一代半导体产业的发展壮大对国民经济、国防安全、国际竞争、社会民生等领域均具有重要战略意义，是世界各国聚焦发展的重点行业。作为第三代半导体材料的代表性材料之一，氮化镓（GaN）、氮化铝（AlN）材料以其独特的性质和应用前景已经引起了人们很大的兴趣，成为国内外研究的热点。助熔剂法因其温和的生长条件，易获得高质量大尺寸的氮化物单晶，是一种具有广阔商业化前景的氮化物单晶生长方法。
[0003]助溶剂法作为一种典型的液相生长氮化物单晶的方法，其氮源来自于气体环境中的氮气溶解于熔液产生的N3‑
，而其余元素则来自于放置在反应容器底部的原料，整体的生长环境十分复杂。助熔剂法生长氮化物单晶的驱动力来自于溶质的过饱和度，但由于熔液的黏度较大，N3‑
在合金溶液中传输速率缓慢，导致N3‑
浓度会呈上高下低的不均匀分布：N3‑
浓度较高的区域（气液界面本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于助熔剂法生长氮化物单晶的熔体搅拌装置，其特征在于：包括用于调节高度的调节支架（1）、搅拌桨叶（2）、反应容器（5）和驱动设备（4），搅拌桨叶（2）通过驱动杆（3）与调节支架（1）连接，驱动设备（4）驱动端连接驱动杆（3），驱动设备（4）通过驱动杆（3）带动搅拌桨叶（2）转动，反应容器（5）内盛有熔体（6），调节支架（1）带动搅拌桨叶（2）进出熔体（6）。2.根据权利要求1所述的一种用于助熔剂法生长氮化物单晶的熔体搅拌装置，其特征在于：所述搅拌桨叶（2）平行于熔体（6）液面设置。3.根据权利要求1所述的一种用于助熔剂法生长氮化物单晶的熔体搅拌装置，其特征在于：所述搅拌桨叶（2）垂直于熔体（6）液面设置。4.根据权利要求1或2或3所述的一种用于助熔剂...

【专利技术属性】
技术研发人员：张雷，王本发，王守志，王国栋，俞娇仙，
申请(专利权)人：山东大学，
类型：新型
国别省市：