量子点复合物制造技术

提供了量子点复合物。量子点复合物包括量子点和键合到量子点的表面的配体，其中，键合有配体的多个键合部设置在量子点的表面上，其中，键合部包括其中暴露阳离子的第一键合部、其中暴露阴离子的第二键合部以及其中阳离子和阴离子彼此键合并且被暴露的第三键合部，并且配体包括键合到第一键合部的第一配体、键合到第二键合部的第二配体以及键合到第三键合部的第三配体。相应地，包括实施方式的量子点复合物作为发光材料的发光二极管可具有增加的发光效率。的发光效率。的发光效率。

【技术实现步骤摘要】
量子点复合物
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年10月7日提交的第10
‑
2021
‑
0133147号韩国专利申请的优先权及权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文。


[0003]本文中的本公开涉及量子点复合物和包括其的发光元件(例如，发光二极管)，并且例如，涉及具有增加的发光效率的量子点复合物和包括其的发光元件(例如，发光二极管)。

技术介绍

[0004]正在开发用于诸如电视机、移动电话、平板计算机、导航系统和/或游戏机的多媒体装置的各种类型(种类)的显示装置。在这种显示装置中，利用通过使包含有机化合物的发光材料发射光来实现显示的所谓的自发光显示元件。
[0005]另外，为了增强显示装置的颜色再现性，利用量子点作为发光材料的发光元件(例如，发光二极管)的开发正在努力进行中，并且需要增加利用量子点的发光元件(例如，发光二极管)的服务寿命(例如，使用寿命)和发光效率。

技术实现思路

[0006]根据本公开的实施方式的一方面指向用于发光元件(例如，发光二极管)的发射层中以展现出提高的发光效率特性的量子点复合物。
[0007]根据本公开的实施方式的一方面还指向通过在发射层中包括具有键合到其表面的多种不同种类的配体的量子点而具有增加的发光效率的发光元件(例如，发光二极管)。
[0008]根据本公开的实施方式，量子点复合物包括具有包括多个键合部的表面的量子点以及键合到量子点的表面的配体，其中，多个键合部包括其中暴露阳离子的第一键合部、其中暴露阴离子的第二键合部以及其中阳离子和阴离子彼此键合并且被暴露的第三键合部，以及配体包括键合到第一键合部的第一配体、键合到第二键合部的第二配体以及键合到第三键合部的第三配体。
[0009]在实施方式中，第一配体可包括键合到第一键合部的供电子头部，第二配体可包括键合到第二键合部的吸电子头部，并且第三配体可包括键合到第三键合部的配位键合头部。
[0010]在实施方式中，供电子头部可为选自卤离子、羧酸盐、次膦酸盐、膦酸盐、膦酸酐、烷氧基化物、二硫醇盐和硫醇盐中的至少一种；吸电子头部可为选自Mg、Ca、Sc、Sn、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Cd、In、Ba、Au、Hg和Tl中的至少一种金属原子；以及配位键合头部可为选自膦、氧化膦、胺、咪唑和吡啶中的至少一种。
[0011]在实施方式中，第一配体、第二配体和第三配体中的至少一个还可包括尾部，以及尾部可为具有1至30个碳原子的取代或未取代的烷基、具有2至30个碳原子的取代或未取代
的烯基、取代或未取代的硫醇基、取代或未取代的氧基、具有6至30个成环碳原子的取代或未取代的芳基或者具有2至30个成环碳原子的取代或未取代的杂芳基。
[0012]在实施方式中，第一配体可包括供电子头部和连接到供电子头部的第一尾部；第二配体可包括吸电子头部、连接到吸电子头部的连接部以及连接到连接部的第二尾部；以及第三配体可包括配位键合头部和连接到配位键合头部的第三尾部。
[0013]在实施方式中，量子点可包括核和在核周围(例如，围绕核)的壳。
[0014]在实施方式中，第一键合部、第二键合部和第三键合部可各自设置在壳的表面上。
[0015]在实施方式中，核可包括第一半导体纳米晶体；壳可包括与第一半导体纳米晶体不同的第二半导体纳米晶体；以及第一半导体纳米晶体和第二半导体纳米晶体可各自选自II
‑
VI族化合物、III
‑
V族化合物、IV
‑
VI族化合物、IV族元素、IV族化合物及其组合。
[0016]在实施方式中，第二半导体纳米晶体可处于具有彼此键合的阳离子和阴离子的状态。
[0017]在实施方式中，第一配体可由化学式1
‑
1或化学式1
‑
2表示，第二配体可由化学式2表示，并且第三配体可由化学式3表示。
[0018]化学式1
‑1[0019]A1‑
R1。
[0020]在上述化学式1
‑
1中，A1是选自羧酸盐、次膦酸盐、膦酸盐、膦酸酐、烷氧基化物、二硫醇盐和硫醇盐中的至少一种，以及R1是具有1至30个碳原子的取代或未取代的烷基、具有2至30个碳原子的取代或未取代的烯基、取代或未取代的硫醇基、取代或未取代的氧基、具有6至30个成环碳原子的取代或未取代的芳基或者具有2至30个成环碳原子的取代或未取代的杂芳基。
[0021]化学式1
‑2[0022]A2。
[0023]在上述化学式1
‑
2中，A2是卤离子。
[0024]化学式2
[0025]M
‑
A3‑
R2。
[0026]在上述化学式2中，M是选自Mg、Ca、Sc、Sn、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Cd、In、Ba、Au、Hg和Tl中的至少一种金属原子，A3是选自羧酸盐、次膦酸盐、膦酸盐、膦酸酐、烷氧基化物、二硫醇盐和硫醇盐中的至少一种，以及R2是具有1至30个碳原子的取代或未取代的烷基、具有2至30个碳原子的取代或未取代的烯基、取代或未取代的硫醇基、取代或未取代的氧基、具有6至30个成环碳原子的取代或未取代的芳基或者具有2至30个成环碳原子的取代或未取代的杂芳基。
[0027]化学式3
[0028]A4‑
R3。
[0029]在上述化学式3中，A4是选自膦、氧化膦、胺、咪唑和吡啶中的至少一种，以及R3是具有1至30个碳原子的取代或未取代的烷基、具有2至30个碳原子的取代或未取代的烯基、取代或未取代的硫醇基、取代或未取代的氧基、具有6至30个成环碳原子的取代或未取代的芳基或者具有2至30个成环碳原子的取代或未取代的杂芳基。
[0030]在本公开的实施方式中，量子点复合物包括具有表面的量子点以及键合到量子点
的表面的配体，其中，配体包括包含供电子头部的第一配体、包含吸电子头部的第二配体以及包含配位键合头部的第三配体。
[0031]在实施方式中，量子点可包括核和在核周围(例如，围绕核)的壳，并且供电子头部、吸电子头部和配位键合头部可各自键合到壳的表面。
[0032]在本公开的实施方式中，发光二极管包括第一电极、第一电极上的空穴传输区、在空穴传输区域上并且包括包含配体的量子点复合物的发射层、发射层上的电子传输区以及电子传输区上的第二电极，其中，量子点复合物包括具有表面的量子点和键合到量子点的表面的配体，其中，量子点的表面包括多个键合部，多个键合部包括其中暴露阳离子的第一键合部、其中暴露阴离子的第二键合部以及其中阳离子和阴离子彼此键合并且被暴露的第三键合部，并且配体包括键合到第一键合部的第一配体、键合到第二键合部的第二配体以及键合到第三键合部的第三配体。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种量子点复合物，包括：量子点，具有包括多个键合部的表面；以及配体，键合到所述量子点的所述表面，其中，所述多个键合部包括：其中暴露阳离子的第一键合部；其中暴露阴离子的第二键合部；以及其中所述阳离子和所述阴离子彼此键合并且被暴露的第三键合部，并且所述配体包括：键合到所述第一键合部的第一配体；键合到所述第二键合部的第二配体；以及键合到所述第三键合部的第三配体。2.如权利要求1所述的量子点复合物，其中：所述第一配体包括键合到所述第一键合部的供电子头部；所述第二配体包括键合到所述第二键合部的吸电子头部；以及所述第三配体包括键合到所述第三键合部的配位键合头部。3.如权利要求2所述的量子点复合物，其中：所述供电子头部包括选自卤离子、羧酸盐、次膦酸盐、膦酸盐、膦酸酐、烷氧基化物、二硫醇盐和硫醇盐中的至少一种；所述吸电子头部包括选自Mg、Ca、Sc、Sn、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Cd、In、Ba、Au、Hg和Tl中的至少一种金属原子；以及所述配位键合头部包括选自膦、氧化膦、胺、咪唑和吡啶中的至少一种。4.如权利要求2所述的量子点复合物，其中，所述第一配体、所述第二配体和所述第三配体中的至少一个还包括尾部，以及所述尾部包括具有1至30个碳原子的取代或未取代的烷基、具有2至30个碳原子的取代或未取代的烯基、取代或未取代的硫醇基、取代或未取代的氧基、具有6至30个成环碳原子的取代或未取代的芳基或者具有2至30个成环碳原子的取代或未取代的杂芳基。5.如权利要求4所述的量子点复合物，其中：所述第一配体包括所述供电子头部和连接到所述供电子头部的第一尾部；所述第二配体包括所述吸电子头部、连接到所述吸电子头部的连接部以及连接到所述连接部的第二尾部；以及所述第三配体包括所述配位键合头部和连接到所述配位键合头部的第三尾部。6.如权利要求1所述的量子点复合物，其中，所述量子点包括核和在所述核周围的壳。7.如权利要求6所述的量子点复合物，其中，所述第一键合部、所述第二键合部和所述第三键合部各自设置在所述壳的表面上。8.如权利要求6所述的量子点复合物，其中：所述核包括第一半导体纳米晶体；所述壳包括与所述第一半导体纳米晶体不同的第二半导体纳米晶体；以及所述第一半导体纳米晶体和所述第二半导体纳米晶体各自选自II
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【专利技术属性】
技术研发人员：崔兮琼，郑然九，金成云，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：