量子点材料及发光器件制造技术

本发明专利技术提供一种量子点材料及发光器件，量子点材料包括量子点、以及与所述量子点通过配位键连接的配体，所述配体具有如下式1所示结构：其中，D表示给电子基团；A表示链状基团；表示含N和取代或未取代的芳香环的基团，所述取代的芳香环的取代基选自取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基。本发明专利技术能够提高器件的效率和寿命等性能。器件的效率和寿命等性能。器件的效率和寿命等性能。

【技术实现步骤摘要】
量子点材料及发光器件


[0001]本专利技术涉及一种量子点材料及发光器件，属于显示


技术介绍

[0002]量子点发光二极管具有色域高、潜在寿命长、视角好、成本低等优势，是极具潜力的发光器件。然而，目前发光器件的效率和寿命等性能较差，亟待提高。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供一种量子点材料及发光器件，以至少解决现有技术存在的器件效率和寿命差等技术问题。
[0004]本专利技术的一方面，提供一种量子点材料，包括量子点、以及与所述量子点通过配位键连接的配体，所述配体具有如下式1所示结构：
[0005][0006]其中，D表示给电子基团；
[0007]A表示链状基团；
[0008]表示含N和取代或未取代的芳香环的基团，所述取代的芳香环的取代基选自取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基。
[0009]在一些实施例中，所述D选自磷氧基、有机磷基团、氨基、羧基、硫醇基。
[0010]在一些实施例中，所述A包括如下式1
‑
A所示结构的链段：
[0011][0012]其中，R3、R4、R5、R6各自独立地选自H、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基、含杂原子的给电子取代基；
[0013]z选自O、S、—NR或R、R7、R8各自独立地选自H、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基；
[0014]n1、n2各自独立地为0或正整数，且n1+n2≥1。
[0015]在一些实施例中，所述A中的碳原子数大于或等于2；优选地，所述A中的碳原子数大于或等于4；优选地，所述A中的碳原子数小于或等于40。
[0016]在一些实施例中，所述取代或未取代的芳香环选自取代或未取代的苯环；
[0017]和/或，所述取代或未取代的烷基的碳个数大于或等于3，优选地，所述取代或未取代的烷基的碳个数为3
‑
10；
[0018]和/或，所述取代的芳基的取代基、所述取代的杂芳基的取代基各自独立地选自取代或未取代的烷基，该取代或未取代的烷基的碳个数大于或等于3，优选地，所述取代或未取代的烷基的碳个数为3
‑
10；
[0019]和/或，所述杂芳基中的杂原子选自O、S、N中的一种或多种；和/或，所述取代或未取代的芳基或者取代或未取代的杂芳基与所述芳香环通过单键连接或并环连接；
[0020]和/或，所述芳香环上的取代基的数量小于或等于5。
[0021]在一些实施例中，所述具有如下式1
‑
N所示结构：
[0022][0023]其中，虚线表示该虚线两端的碳原子相互连接或不连接；
[0024]R1、R2各自独立地表示单取代至最大允许取代基，且R1、R2各自独立地选自H、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基、R
14
、R
15
各自独立地选自H、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基；R1、R2各自独立地与其各自所在的苯环通过单键连接或并环连接。
[0025]在一些实施例中，所述具有如下式1
‑
N1或式1
‑
N2所示结构：
[0026][0027]在一些实施例中，所述配体选自配体B1
‑
B14。
[0028]在一些实施例中，所述量子点具有核壳结构。
[0029]优选地，所述核壳结构的核包含CdSe、CdSeS、CdZnSe、CdZnSeS、CdS、CdZnS、InP、InZnP、InGaP、GaP、ZnTeSe、ZnSe、ZnTe、CuInS、CuInZnS、CuInZnSe、AgInZnSe、CuInSe、AgInSe、AgS、AgSe、AgSeS、PbS、PbSe、PbSeS、PbTe、HgS、HgSe、HgTe、CdHgTe、CgHgSe、CdHgS、CdTe、CdZnTe、CdTeSe、CdTeS中的至少一种。
[0030]优选地，所述核壳结构的壳包含ZnS、ZnSe、ZnSeS、ZnN、ZnS、AlSb、ZnP、InP、AlS、PbS、HgS、AgS、ZnInS、ZnAlS、ZnSeS、CdSeS、CuInS、CuGaS、CuAlS、AgInS、AgAlS、AgGaS、ZnInP、ZnGaP、CdZnS、CdPbS、CdHgS、PbHgS、CdZnPbS、CdZnHgS、CdInZnS、CdAlZnS、CdSeZnS、AgInZnS、CuInZnS、AgGaZnS、CuGaZnS、CuZnSnS、CuAlZnS、CuCdZnS、MnS、ZnMnS、ZnPbS、WS、ZnWS、CoS、ZnCoS、NiS、ZnNiS、InS、SnS、ZnSnS中的至少一种。
[0031]本专利技术的再一方面，提供一种发光器件，包括量子点发光层，所述量子点发光层包
括上述量子点材料。
[0032]本专利技术提供的量子点材料可作为量子点发光器件的量子点发光层材料，增强量子点发光层的空穴注入和传输能力，提升载流子平衡，同时还可以使配体均匀分散在量子点发光层中，避免材料之间的相分离等不良现象，使膜层均一稳定，从而提高器件的效率和寿命等性能。
附图说明
[0033]图1为本专利技术一实施例的量子点材料的结构示意图；
[0034]图2为本专利技术一实施例的发光器件的结构示意图；
[0035]图3为本专利技术另一实施例的发光器件的结构示意图。
具体实施方式
[0036]本专利技术实施例中，所述的取代或未取代的烷基(烷基链)可以是不带有支链的直链烷基(正构烷基)，也可以是带有支链的异构烷基；例如是碳个数为1
‑
40的烷基，其碳个数例如为1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20、21、22、23、24、25、26、27、28、29、30、31、32、33、34、35、36、37、38、39或40，例如为甲基、乙基、丙基(正丙基或异丙基)、丁基(正丁基或异丁基)、戊基(正戊基或异戊基)、己基(正己基或异己基)、庚基(正庚基或异庚基)等。
[0037]此外，所述的取代或未取代的芳基/芳环可以选自C6
‑
C60芳基(即碳个数为6
‑
60)，具体可以选自单环芳基或稠环芳基，单环芳基是指单个苯基或联苯基(即基团中含有至少1个苯基，当含有至少2个苯基时，苯基之间通过单键相连)，例如包括苯基、联苯基、三联苯基等；稠环芳基是指含有至少2个芳环、且至少有两个芳环并环连接(即通过共用两个相邻的碳原子互相稠合)的基团，例如包括萘基、蒽基、菲基、茚基、芴基等。
[0038]此外，所述的杂芳基/杂芳环可以选自C3～C60杂芳基，具体可以包括单环杂芳基或稠环杂芳基，单环杂芳基是指单个杂芳基(芳杂环)或者含有多个芳香性基团，其中的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种量子点材料，其特征在于，包括量子点、以及与所述量子点通过配位键连接的配体，所述配体具有如下式1所示结构：其中，D表示给电子基团；A表示链状基团；表示含N和取代或未取代的芳香环的基团，所述取代的芳香环的取代基选自取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基。2.根据权利要求1所述的量子点材料，其特征在于，所述D选自磷氧基、有机磷基团、氨基、羧基、硫醇基。3.根据权利要求1所述的量子点材料，其特征在于，所述A包括如下式1
‑
A所示结构的链段：其中，R3、R4、R5、R6各自独立地选自H、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基、含杂原子的给电子取代基；z选自O、S、—NR或R、R7、R8各自独立地选自H、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基；n1、n2各自独立地为0或正整数，且n1+n2≥1。4.根据权利要求1或3所述的量子点材料，其特征在于，所述A中的碳原子数大于或等于2；优选地，所述A中的碳原子数大于或等于4；优选地，所述A中的碳原子数小于或等于40。5.根据权利要求1所述的量子点材料，其特征在于，所述取代或未取代的芳香环选自取代或未取代的苯环；和/或，所述取代或未取代的烷基的碳个数大于或等于3，优选地，所述取代或未取代的烷基的碳个数为3
‑
10；和/或，所述取代的芳基的取代基、所述取代的杂芳基的取代基各自独立地选自取代或未取代的烷基，所述取代或未取代的烷基的碳个数大于或等于3，优选地，所述取代或未取代的烷基的碳个数为3
‑
10；和/或，所述杂芳基中的杂原子选自O、S、N中的一种或多种；和/或，所述取代或未取代的芳基或者取代或未取代的杂芳基与所述芳香环通过单键连接或并环连接；和/或，所述芳香环上的取代基的数量小于或等于5。
6.根据权利要求1或5所述的量子点材料，其特征在于，所述具有如下式1
‑
N所示结构：其中，虚线表示该虚线两端的碳原子相互连接或不连接；R1、R2各自独立地表示单取代至最大允许取代基，且R1、R2各自独立地选自H、取代或未取代的烷基、取代...

【专利技术属性】
技术研发人员：颜志敏，焦福星，
申请(专利权)人：云谷固安科技有限公司，
类型：发明
国别省市：