发光装置及包括发光装置的电子设备制造方法及图纸

发光装置包括第二电极，所述第二电极包括：包含具有5.2eV或小于5.2eV的绝对值的功函数的第一金属和具有1

【技术实现步骤摘要】
发光装置及包括发光装置的电子设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年10月6日向韩国知识产权局提交的第10
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2021
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0132692号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的公开内容通过援引整体并入本文。


[0003]一个或多于一个的实施方案涉及发光装置以及包括发光装置的电子设备。

技术介绍

[0004]发光装置是自发射装置，与相关领域的装置相比，其具有广视角、高对比度、短响应时间，和/或在亮度、驱动电压和/或响应速度方面的优异的或适合的特性。
[0005]在发光装置中，第一电极位于衬底上，并且空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极依次形成在第一电极上。由第一电极提供的空穴可以通过空穴传输区朝向发射层移动，并且由第二电极提供的电子可以通过电子传输区朝向发射层移动。诸如空穴和电子的载流子在发射层中复合以产生光。

技术实现思路

[0006]根据本公开内容的实施方案的方面涉及与现有技术装置相比具有改善的发光效率的装置。
[0007]其它方面将在随后的描述中被部分地阐述并且将部分地从描述中显而易见，或者可以通过本公开内容的呈现的实施方案的实践而获悉。
[0008]根据实施方案，发光装置包括
[0009]第一电极，
[0010]面向所述第一电极的第二电极，以及
[0011]在所述第一电极与所述第二电极之间并且包括发射层的中间层，
[0012]其中所述第二电极包括：包含具有5.2eV或小于5.2eV的绝对值的功函数的第一金属和具有1
×
107S/m或大于1
×
107S/m的电导率的第二金属的第一层、以及由具有1
×
107S/m或大于1
×
107S/m的电导率的第二金属组成的第二层，
[0013]所述第一金属和所述第二金属彼此不同，
[0014]所述第一层的厚度为至以及
[0015]所述第二层的厚度为至
[0016]根据另一个实施方案，
[0017]电子设备包括所述发光装置。
附图说明
[0018]根据以下结合附图的描述，本公开内容的某些实施方案的以上和其它的方面、特征和改进将更加明显，在附图中：
[0019]图1是根据实施方案的发光装置的结构的示意图；
[0020]图2是根据实施方案的发光设备的横截面视图；
[0021]图3是根据另一个实施方案的发光设备的横截面视图；以及
[0022]图4是示出实施例装置和比较例装置的电极的薄层电阻值的图。
具体实施方式
[0023]现在将更详细地参考实施方案，在附图中例示了所述实施方案的实例，其中相同的参考数字通篇是指相同的元件，并且可以不提供其重复的描述。在这点上，本实施方案可以具有不同的形式并且不应解释为局限于本文阐述的描述。因此，以下通过参考附图仅描述实施方案，以解释当前描述的方面。如本文使用，术语“和/或”包括相关列出项中的一个或多于一个的任意组合和所有组合。在整个公开内容中，表述“a、b和c中的至少一个”表示仅a，仅b，仅c，a和b两者(例如，同时地)，a和c两者(例如，同时地)，b和c两者(例如，同时地)，所有的a、b和c，或其变体。
[0024]在现有技术的发光装置的电极中，由于在电极的薄层电阻与电极的吸收率之间存在折衷关系，因此存在对装置效率的增加的限制。
[0025]期望或需要低的薄层电阻来改善发光效率和IR降(欧姆降或电压降)，并且为此目的，优选较厚的电极(例如，电极需要是厚的)。然而，厚电极导致吸收率的增加，从而导致出光效率的降低。
[0026]为了降低吸收率，已经存在例如通过在电极中掺杂少量的Mg来减小电极厚度的方法。然而，由于电极厚度的降低或电极膜质量的不稳定性，这已经导致了薄层电阻的增加，从而产生可靠性问题。例如，当Mg的比率降低至接近纯Ag(例如，对于基于Ag的电极)时，由于Mg的缺乏(或不足量)而导致膜质量的劣化，并且因为Ag在高温和/或电场下引起热聚集和/或电迁移问题，从而增加了薄层电阻。
[0027]为了改善装置效率，期望或需要即使在小厚度或例如低Mg比率的情况下也具有低薄层电阻和低吸收率、并且由于膜质量的无劣化而具有可靠性的电极。
[0028]根据实施方案的发光装置包括：
[0029]第一电极；
[0030]面向第一电极的第二电极；以及
[0031]位于第一电极与第二电极之间并且包括发射层的中间层，
[0032]其中第二电极可以包括：包含具有5.2eV或小于5.2eV的绝对值的功函数的第一金属和具有1
×
107S/m或大于1
×
107S/m的电导率的第二金属的第一层；以及包含(例如，由以下组成)具有1
×
107S/m或大于1
×
107S/m的电导率的第二金属的第二层，
[0033]第一金属和第二金属可以彼此不同，
[0034]第一层的厚度可以为至以及
[0035]第二层的厚度可以为至
[0036]根据实施方案的发光装置的第二电极的第一层可以包含具有5.2eV或小于5.2eV的绝对值的功函数的第一金属和具有1
×
107S/m或大于1
×
107S/m的电导率的第二金属。在一些实施方案中，第二电极的第一层可以由具有5.2eV或小于5.2eV的绝对值的功函数的第一金属和具有1
×
107S/m或大于1
×
107S/m的电导率的第二金属组成。在实施方案中，第一金
属和第二金属可以基本上均匀地混合在第一层中。
[0037]第一层通过改善初始粗糙度来确保第二层的薄膜的膜质量。例如，第一层用作第二层的晶种层。
[0038]在实施方案中，第一金属可以选自Mg、Ca、Li、Au、Al、Yb、Cu、Sm及其组合。
[0039]在实施方案中，第二金属可以选自Ag、Au、Cu、Al、Mg及其组合。
[0040]在实施方案中，第一金属可以是Mg，并且第二金属可以是Ag、Au、Cu、Al或其任意组合。
[0041]在实施方案中，第二金属可以是Ag，并且第一金属可以是Mg、Ca、Li、Au、Al、Yb、Cu、Sm或其任意组合。
[0042]在实施方案中，第一金属可以是Mg，并且第二金属可以是Ag。
[0043]第二电极的第一层的厚度可以是约至约并且第二层的厚度可以是约至约当第一层包含具有约5.2eV或小于5.2eV的绝对值的功函数的第一金属和具有约1
×
107S/m或大于1
×
107S/m的电导率的第二金属并且在厚度范围内时，并且当第二层包含(例如，由以下组成)具有约1
×
107S/m或大于1
×
107S/本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.发光装置，包括：第一电极；面向所述第一电极的第二电极；以及在所述第一电极与所述第二电极之间并且包括发射层的中间层，其中所述第二电极包括：包含具有5.2eV或小于5.2eV的绝对值的功函数的第一金属和具有1
×
107S/m或大于1
×
107S/m的电导率的第二金属的第一层；以及由具有1
×
107S/m或大于1
×
107S/m的电导率的所述第二金属组成的第二层，所述第一金属和所述第二金属彼此不同，所述第一层的厚度为至以及所述第二层的厚度为至2.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一金属是选自由Mg、Ca、Li、Au、Al、Yb、Cu、Sm及其组合组成的组中的至少一种。3.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第二金属是选自由Ag、Au、Cu、Al、Mg及其组合组成的组中的至少一种。4.如权利要求1所述的发光装置，其中在所述第一层中，所述第二金属按体积计的量大于所述第一金属按体积计的量。5.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一电极是阳极，所述第二电极是阴极，以及所述发光装置进一步包括：在所述第一电极与所述发射层之间并且包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层或其任意组合的空穴传输区；和/或在所述第二电极与所述发射层之间并且包括空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层或其任意组合的电子传输区。6.如权利要求1所述的发光装置，进一步包括在所述第二电极与所述发射层之间的电子注入层。7.如权利要求6所述的发光装置，其中所述电子注入层与所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：李学忠，贾允硕，金东赞，文智永，宋河珍，尹智焕，黄载薰，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：