【技术实现步骤摘要】
光电转换装置、光电转换系统和可移动体
[0001]本专利技术涉及光电转换装置、光电转换系统和可移动体。
技术介绍
[0002]存在一种光电转换装置，其具有通过在光电转换元件中延长入射光的光路长度而提高的量子转换效率。入射光的光路长度被配设在布线层中的对已穿过半导体基板的入射光进行反射的光反射器延长。美国专利申请公开第2020/0286946号讨论了一种单光子雪崩二极管(SPAD)，其配设有阳极布线作为光反射器。类似地，美国专利申请公开第2019/0181177号讨论了一种包括延长的阳极布线的SPAD。
技术实现思路
[0003]根据本专利技术的一方面，一种光电转换装置包括：雪崩二极管，其布置在具有第一表面和面对所述第一表面的第二表面的半导体层中。所述雪崩二极管包括：第一导电类型的第一半导体区域，其布置在第一深度处；第二导电类型的第二半导体区域，其布置在相对于所述第二表面比所述第一深度深的第二深度处；第三半导体区域，其配设为在从所述第二表面的平面视图中与所述第一半导体区域的端部接触；第一布线部，其连接到所述第一...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种光电转换装置，所述光电转换装置包括：雪崩二极管，其布置在具有第一表面和面对所述第一表面的第二表面的半导体层中，其中，所述雪崩二极管包括：第一导电类型的第一半导体区域，其布置在第一深度处，第二导电类型的第二半导体区域，其布置在相对于所述第二表面比所述第一深度深的第二深度处，第三半导体区域，其配设为在从所述第二表面的平面视图中与所述第一半导体区域的端部接触，第一布线部，其连接到所述第一半导体区域，以及第二布线部，其连接到所述第二半导体区域，并且其中，在从所述第二表面的平面视图中，所述第二布线部与面对所述第一布线部的绝缘膜之间的边界的至少一部分与所述第三半导体区域交叠并且不与所述第一半导体区域交叠。2.根据权利要求1所述的光电转换装置，其中，在从所述第二表面的平面视图中，所述第一半导体区域的面积小于所述第三半导体区域的面积。3.根据权利要求1所述的光电转换装置，其中，所述第三半导体区域中的杂质浓度低于所述第一半导体区域中的杂质浓度。4.根据权利要求1所述的光电转换装置，其中，在所述第二表面的侧上堆叠的多个布线层中形成所述第一布线部和所述第二布线部，并且其中，所述第二布线部在如下布线层中形成，所述布线层是比将所述第一半导体区域和所述第一布线部连接的接触部距所述第二表面更远的布线层，并且是所述多个布线层当中的最靠近所述第二表面的布线层。5.根据权利要求1所述的光电转换装置，其中，在所述第二表面的侧上堆叠的同一布线层中形成所述第一布线部和所述第二布线部。6.根据权利要求1所述的光电转换装置，其中，在与所述第二表面垂直的方向上从所述第二表面到所述第二布线部的距离短于在与所述第二表面水平的方向上从所述第一布线部到所述第二布线部的距离。7.根据权利要求1所述的光电转换装置，其中，所述第一表面是光入射面。8.根据权利要求1所述的光电转换装置，其中，在从所述第二表面的平面视图中，所述第二布线部围绕所述第一布线部的周边。9.根据权利要求1所述的光电转换装置，其中，在从所述第二表面的平面视图中，所述第一半导体区域被所述第二半导体区域包围。10.根据权利要求1所述的光电转换装置，其中，所述光电转换装置包括所述第二导电类型的第四半导体区域，所述第四半导体区域布置在相对于所述第二表面比所述第二深度深的第三深度处。11.根据权利要求10所述的光电转换装置，其中，所述第一导电类型的第五半导体区域配设在所述第二半导体区域与所述第四半导体区域之间，并且
其中，所述第五半导体区域中的所述第一导电类型的杂质浓度低于所述第一半导体区域中的所述第一导电类型的杂质浓度。12.根据权利要求11所述的光电转换装置，其中，所述第一半导体区域与所述第二半导体区域之间的电位差大于所述第二半导体区域与所述第五半导体区域之间的电位差。13.根据权利要求1所述的光电转换装置，其中，所述光电转换装置包括多个所述雪崩二极管，其中，所述多个雪崩二极管包括第一雪崩二极管和与所述第一雪崩二极管邻近的第二雪崩二极管，并且其中，在所述第一雪崩二极管与所述第二雪崩二极管之间包括像素隔离部分。14.根据权利要求13所述的光电转换装置，其中，所述多个雪崩二极管包括与所述第二雪崩二极管邻近的第三雪崩二极管，其中，在所述第一雪崩二极管与所述第二雪崩二极管之间包括第一像素隔离部分，其中，在所述第二雪崩二极管与所述第三雪崩二极管之间包括第二像素隔离部分，并且其中，所述第二雪崩二极管中的所述第二半导体区域在与所述第一表面垂...
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