图像传感器及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种图像传感器及其制作方法，所述方法包括：提供一衬底，在衬底上形成绝缘层；形成贯穿绝缘层并延伸至衬底内的深沟槽；在深沟槽的侧壁及底部填充绝缘材料形成深沟槽隔离结构，并在深沟槽内填充金属材料形成金属格栅；去除绝缘层；形成半导体材料在深沟槽隔离结构之间的衬底上，以形成光电二极管区域。本发明专利技术提供的图像传感器的制作方法，无需通过离子注入形成光电二极管区域，从而避免了由于离子注入对衬底造成的损伤。并且，在深沟槽的侧壁及底部形成深沟槽隔离结构之后，可直接在深沟槽内形成金属格栅，相比于现有技术中通过两次图案化工艺分别形成深沟槽隔离结构与金属格栅，本发明专利技术减少了工艺步骤，降低了工艺复杂度和成本。艺复杂度和成本。艺复杂度和成本。

【技术实现步骤摘要】
图像传感器及其制作方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种图像传感器及其制作方法。

技术介绍

[0002]图像传感器是指将光学图像转换成像素信号输出的设备。图像传感器包括电荷耦合器件（CCD）与互补金属氧化物半导体（CMOS）图像传感器。与传统的CCD图像传感器相比，CMOS图像传感器具有低功耗、低成本和与CMOS工艺兼容等特点，因此得到越来越广泛的应用。现在CMOS图像传感器不仅应用于消费电子领域，例如微型数模相机（DSC）、手机摄像头、摄像机和数码单反（DSLR）等，而且在汽车电子、监控、生物技术和医学领域也得到了广泛的应用。
[0003]现有的CMOS图像传感器一般分为前照式（FSI）图像传感器和背照式（BSI）图像传感器两种。与传统的前照式图像传感器相比，背照式图像传感器可以允许光通过背侧进入并由光电二极管检测，由于光线无需穿过布线层，因此背照式图像传感器可以显示比前照式更高的灵敏度。
[0004]然而，在BSI CMOS的先进制程中，需要在前段制程中进行比较深的离子注入形成光电二极管（Photo本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种图像传感器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一衬底，在所述衬底上形成绝缘层；形成贯穿所述绝缘层并延伸至所述衬底内的深沟槽；在所述深沟槽的侧壁及底部填充绝缘材料形成深沟槽隔离结构，并在所述深沟槽内填充金属材料形成金属格栅；去除所述绝缘层；以及形成半导体材料在所述深沟槽隔离结构之间的所述衬底上，以形成光电二极管区域。2.根据权利要求1所述的图像传感器的制作方法，其特征在于，在所述衬底上形成绝缘层之前，所述制作方法还包括：形成第一保护层在所述衬底上；去除所述绝缘层之后，所述制作方法还包括：去除所述第一保护层。3.根据权利要求2所述的图像传感器的制作方法，其特征在于，所述第一保护层包括氧化层与高k介质层。4.根据权利要求1所述的图像传感器的制作方法，其特征在于，在所述深沟槽的侧壁及底部填充绝缘材料形成深沟槽隔离结构的方法包括：在所述深沟槽的侧壁及底部形成氧化硅层；以及在所述深沟槽的侧壁及底部形成二氧化铪层，所述二氧化铪层覆盖所述氧化硅层。5.根据权利要求1所述的图像传感器的制作方法，其特征在于，在所述深沟槽的侧壁及底部填充绝缘材料形成深沟槽隔离结构之后，在所述深沟槽内填充金属材料形成金属格栅...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈维邦，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：