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本发明提供一种图像传感器及其制作方法,所述方法包括:提供一衬底,在衬底上形成绝缘层;形成贯穿绝缘层并延伸至衬底内的深沟槽;在深沟槽的侧壁及底部填充绝缘材料形成深沟槽隔离结构,并在深沟槽内填充金属材料形成金属格栅;去除绝缘层;形成半导体材料在...该专利属于合肥晶合集成电路股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过合肥晶合集成电路股份有限公司授权不得商用。
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本发明提供一种图像传感器及其制作方法,所述方法包括:提供一衬底,在衬底上形成绝缘层;形成贯穿绝缘层并延伸至衬底内的深沟槽;在深沟槽的侧壁及底部填充绝缘材料形成深沟槽隔离结构,并在深沟槽内填充金属材料形成金属格栅;去除绝缘层;形成半导体材料在...