【技术实现步骤摘要】
单像素成像的半导体晶圆表面缺陷提取方法及存储介质
[0001]本专利技术涉及半导体缺陷检测
,具体涉及一种单像素成像的半导体晶圆表面缺陷提取方法。
技术介绍
[0002]半导体芯片作为电子器件的核心,是现代科学技术最重要的成就之一。集成电路晶圆是制造半导体芯片流程的基础,直接决定了芯片的质量。在实际制造中,缺陷是极其常见的,并且很难通过改进生产工艺来完全避免。
[0003]最初的晶圆表面缺陷检测依赖于人工视觉,这种基于经验的检测方法,检测效率很低,且非常容易产生误判。现存的缺陷提取技术是先对待测样品进行拍摄成像,然后使用相关图像处理或者深度学习的方法对缺陷的图像进行提取和保留。
[0004]传统的缺陷提取技术是先对待测目标进行拍摄成像,然后使用相关图像处理或者深度学习的方法对获取的图像进行处理,从而实现提取缺陷部分的图像。这些基于图像的后处理方法,对待测样品的成像质量要求很高,样品的成像质量直接决定了缺陷提取的结果。
[0005]不同的图像处理和深度学习的算法,都是基于图像本身实现对缺陷的提取, ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种单像素成像的半导体晶圆表面缺陷提取方法,其特征在于,包括以下步骤,获取一个无缺陷晶圆的表面图像;将获取到的无缺陷的晶圆图像预处理到哈达玛投影图案中,形成一系列全新的编码照明图案;将这一系列新的编码照明图案投影到待测晶圆表面,并使用一个光电探测器获取编码照明图案调制到晶圆表面的反射光强值,所获取的反射光强值将只包含了晶圆表面缺陷的形貌特征,没有缺陷的部分将被滤除;根据获取到的反射光强值,计算晶圆表面缺陷的哈达玛谱,使用哈达玛反变换,将哈达玛谱转换成晶圆表面缺陷的图像,从而实现对晶圆表面缺陷的提取。2.根据权利要求1所述的单像素成像的半导体晶圆表面缺陷提取方法,其特征在于:具体包括,首先,使用公式(1)
‑
(3)生成一系列传统哈达玛编码图案:P
‑
(x,y;u,v)=1
‑
P
...
【专利技术属性】
技术研发人员:邓华夏,肖星志,王佳祺,马孟超,钟翔,
申请(专利权)人:合肥工业大学,
类型:发明
国别省市:
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