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单像素成像的半导体晶圆表面缺陷提取方法及存储介质技术
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文档序号:37157085
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本发明的一种单像素成像的半导体晶圆表面缺陷提取方法及存储介质,其方法包括以下步骤,获取一个无缺陷晶圆的表面图像;将获取到的无缺陷的晶圆图像预处理到哈达玛投影图案中,形成一系列全新的编码照明图案;将这一系列新的编码照明图案投影到待测晶圆表面,...
该专利属于合肥工业大学所有,仅供学习研究参考,未经过合肥工业大学授权不得商用。
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