具有一步成型微结构及外凸锥形光放大器的半导体激光器制造技术

具有一步成型微结构及外凸锥形光放大器的半导体激光器属于半导体光电子技术领域。现有技术难以兼顾锥形半导体激光器的输出光功率和输出光质量。本发明专利技术其特征在于，跨层脊形主振荡器与外凸锥形光放大器的厚度相同，均从上波导层向下跨越有源增益层止于下波导层某一高度位置；在跨层脊形主振荡器两个侧面上制作有上下走向的条形光栅，外凸锥形光放大器具有两个外凸侧面，外凸侧面是由上下走向的若干个部分柱面组成；跨层脊形主振荡器的里端与外凸锥形光放大器的窄端相通，跨层脊形主振荡器的里端与外凸锥形光放大器的窄端的宽度相同；跨层脊形主振荡器的外端端面或者外凸锥形光放大器的宽端端面为半导体激光器的出光面。放大器的宽端端面为半导体激光器的出光面。放大器的宽端端面为半导体激光器的出光面。

【技术实现步骤摘要】
具有一步成型微结构及外凸锥形光放大器的半导体激光器


[0001]本专利技术涉及具有一步成型微结构及外凸锥形光放大器的半导体激光器，属于半导体光电子


技术介绍

[0002]半导体激光器作为固体激光器和光纤激光器的泵浦源，被广泛应用在通信、医疗、材料加工等领域。近年来，通过采用各种不同的技术来提升半导体激光器的输出光功率和质量，成为国内外激光技术研究的热点之一。现阶段的研究中兼顾高功率和高质量的半导体激光器主要有4种，相对于其他三种结构类型半导体激光器，锥形半导体激光器不仅输出光功率与质量方面优势明显，而且制作工艺相对简单，制造成本相对低廉。
[0003]如图1、图2所示，所述锥形半导体激光器自上而下依次是上电极1、上波导层2、有源增益层3、下波导层4、缓冲层5、衬底6、下电极7，在上波导层2上制作有脊形主振荡器8、锥形光放大器9，脊形主振荡器8的厚度大于锥形光放大器9，在脊形主振荡器8两侧的上波导层2的台面上各制作一个隔离槽10，隔离槽10的底位于有源增益区3。脊形主振荡器8通过折射率导引机制提供模式质量较好的低功率单模种子光注本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.具有一步成型微结构及外凸锥形光放大器的半导体激光器自上而下依次是上电极(1)、上波导层(2)、有源增益层(3)、下波导层(4)、缓冲层(5)、衬底(6)、下电极(7)；其特征在于，跨层脊形主振荡器(11)与外凸锥形光放大器(12)的厚度相同，均从上波导层(2)向下跨越有源增益层(3)止于下波导层(4)某一高度位置；在跨层脊形主振荡器(11)两个侧面上制作有上下走向的条形光栅(13)，外凸锥形光放大器(12)具有两个外凸侧面(14)，外凸侧面(14)是由上下走向的若干个部分柱面组成；跨层脊形主振荡器(11)的里端与外凸锥形光放大器(12)的窄端相通，跨层脊形主振荡器(11)的里端与外凸锥形光放大器(12)的窄端的宽度相同；跨层脊形主振荡器(11)的外端端面或者外凸锥形光放大器(12)的宽端端面为半导体激光器的出光面。2.根据权利要求1所述的具有一步成型微结构及外凸锥形光放大器的半导体激光器，其特征在于，所述厚度为2μm～9μm。3.根据权利要求1所述的具有一步成型微...

【专利技术属性】
技术研发人员：晏长岭，钱冉，杨静航，李奕霏，冯源，郝永芹，李辉，
申请(专利权)人：长春理工大学，
类型：发明
国别省市：