参考电压产生电路制造技术

本公开的实施例提供一种参考电压产生电路，其包括：偏置电路、第一和第二晶体管、第一和第二反馈电路、第一和第二采样电路、第一和第二电流放大电路。偏置电路根据偏置电流在第一和第二节点处分别生成第一和第二偏置电压。第一晶体管的控制极耦接第一节点。第一晶体管的第一极耦接参考电压输出端和第二晶体管的第一极。第二晶体管的控制极耦接第二节点。第一采样电路采样流过第一晶体管的第一电流。第二采样电路采样流过第二晶体管的第二电流。第一反馈电路根据第一电流生成第一反馈电流。第二反馈电路根据第二电流生成第二反馈电流。第一电流放大电路将第一电流放大为第一放大电流。第二电流放大电路将第二电流放大为第二放大电流。大电流。大电流。

【技术实现步骤摘要】
参考电压产生电路


[0001]本公开的实施例涉及集成电路
，具体地，涉及参考电压产生电路。

技术介绍

[0002]在各种集成电路中常使用参考电压产生电路来提供参考电压。参考电压作为集成电路中的比较基准需要保持稳定。然而在参考电压产生电路带负载的情况下，参考电压产生电路可能需要对负载提供拉电流，也可能需要从负载吸收灌电流。因此，在一些应用场景下，希望参考电压产生电路具有推挽输出能力。进一步地，希望在负载电流增大的情况下参考电压产生电路输出的参考电压也是稳定的。

技术实现思路

[0003]本文中描述的实施例提供了一种参考电压产生电路。
[0004]根据本公开的第一方面，提供了一种参考电压产生电路。该参考电压产生电路包括：偏置电路、第一晶体管、第二晶体管、第一反馈电路、第二反馈电路、第一采样电路、第二采样电路、第一电流放大电路、以及第二电流放大电路。其中，偏置电路被配置为根据来自偏置电流源的偏置电流在第一节点处生成第一偏置电压并在第二节点处生成第二偏置电压。第一晶体管的控制极耦接第一节点。第一晶体管的第一极耦接参考电压输出端。第一晶体管的第二极耦接第三节点。第二晶体管的控制极耦接第二节点。第二晶体管的第一极耦接参考电压输出端。第二晶体管的第二极耦接第四节点。第一采样电路被配置为经由第三节点采样流过第一晶体管的第一电流。第二采样电路被配置为经由第四节点采样流过第二晶体管的第二电流。第一反馈电路被配置为根据第一电流生成第一反馈电流。第一反馈电流用于调整第一偏置电压以稳定从参考电压输出端输出的参考电压。第二反馈电路被配置为根据第二电流生成第二反馈电流。第二反馈电流用于调整第二偏置电压以稳定参考电压。第一电流放大电路被配置为将第一电流放大为第一放大电流。第二电流放大电路被配置为将第二电流放大为第二放大电流。其中，在参考电压产生电路对负载提供拉电流的情况下，第一晶体管导通，第二晶体管截止，拉电流包括第一电流与第一放大电流。在参考电压产生电路从负载吸收灌电流的情况下，第一晶体管截止，第二晶体管导通，灌电流包括第二电流与第二放大电流。
[0005]在本公开的一些实施例中，参考电压产生电路还包括：第一补偿电路、以及第二补偿电路。其中，第一补偿电路被配置为：在拉电流大于或者等于第一电流阈值的情况下生成第一补偿电流以补偿第一电流的增量。第二补偿电路被配置为：在灌电流大于或者等于第二电流阈值的情况下生成第二补偿电流以补偿第二电流的增量。
[0006]在本公开的一些实施例中，偏置电路包括：第一电阻器、第二电阻器、第三电阻器、第三晶体管、以及第四晶体管。其中，第一电阻器的第一端耦接偏置电流源和第三晶体管的控制极。第一电阻器的第二端耦接第一节点和第二电阻器的第一端。第二电阻器的第二端耦接第三晶体管的第二极。第三晶体管的第一极耦接第四晶体管的第一极。第四晶体管的
控制极耦接第四晶体管的第二极和第二节点。第三电阻器的第一端耦接第二节点。第三电阻器的第二端耦接第二电压端。
[0007]在本公开的一些实施例中，第一反馈电路包括：第五晶体管、以及第四电阻器。其中，第五晶体管的控制极耦接第三节点。第五晶体管的第一极耦接第四电阻器的第一端。第五晶体管的第二极耦接偏置电流源。第四电阻器的第二端耦接第一电压端。
[0008]在本公开的一些实施例中，第一采样电路包括：第六晶体管、以及第五电阻器。其中，第六晶体管的控制极耦接第六晶体管的第二极和第三节点。第六晶体管的第一极耦接第五电阻器的第一端。第五电阻器的第二端耦接第一电压端。
[0009]在本公开的一些实施例中，第一电流放大电路包括：第七晶体管。其中，第七晶体管的控制极耦接第三节点。第七晶体管的第一极耦接第一电压端。第七晶体管的第二极耦接参考电压输出端。
[0010]在本公开的一些实施例中，第二反馈电路包括：第八晶体管、以及第六电阻器。其中，第八晶体管的控制极耦接第四节点。第八晶体管的第一极耦接第六电阻器的第一端。第八晶体管的第二极耦接第二节点。第六电阻器的第二端耦接第二电压端。
[0011]在本公开的一些实施例中，第二采样电路包括：第九晶体管、以及第七电阻器。其中，第九晶体管的控制极耦接第九晶体管的第二极和第四节点。第九晶体管的第一极耦接第七电阻器的第一端。第七电阻器的第二端耦接第二电压端。
[0012]在本公开的一些实施例中，第二电流放大电路包括：第十晶体管。其中，第十晶体管的控制极耦接第四节点。第十晶体管的第一极耦接第二电压端。第十晶体管的第二极耦接参考电压输出端。
[0013]在本公开的一些实施例中，第一补偿电路包括：第十一晶体管。第二补偿电路包括：第十二晶体管。其中，第十一晶体管的控制极耦接第三节点。第十一晶体管的第一极耦接第一电压端。第十一晶体管的第二极耦接参考电压输出端。第十二晶体管的控制极耦接第四节点。第十二晶体管的第一极耦接第二电压端。第十二晶体管的第二极耦接参考电压输出端。其中，第十一晶体管的阈值电压和第十二晶体管的阈值电压高于参考电压产生电路中的其它晶体管的阈值电压。
[0014]根据本公开的第二方面，提供了一种参考电压产生电路。该参考电压产生电路包括：第一晶体管至第十二晶体管、以及第一电阻器至第七电阻器。其中，第一晶体管的控制极耦接第一节点。第一晶体管的第一极耦接参考电压输出端。第一晶体管的第二极耦接第三节点。第二晶体管的控制极耦接第二节点。第二晶体管的第一极耦接参考电压输出端。第二晶体管的第二极耦接第四节点。第一电阻器的第一端耦接偏置电流源和第三晶体管的控制极。第一电阻器的第二端耦接第一节点和第二电阻器的第一端。第二电阻器的第二端耦接第三晶体管的第二极。第三晶体管的第一极耦接第四晶体管的第一极。第四晶体管的控制极耦接第四晶体管的第二极和第二节点。第三电阻器的第一端耦接第二节点。第三电阻器的第二端耦接第二电压端。第五晶体管的控制极耦接第三节点。第五晶体管的第一极耦接第四电阻器的第一端。第五晶体管的第二极耦接偏置电流源。第四电阻器的第二端耦接第一电压端。第六晶体管的控制极耦接第六晶体管的第二极和第三节点。第六晶体管的第一极耦接第五电阻器的第一端。第五电阻器的第二端耦接第一电压端。第七晶体管的控制极耦接第三节点。第七晶体管的第一极耦接第一电压端。第七晶体管的第二极耦接参考电
压输出端。第八晶体管的控制极耦接第四节点。第八晶体管的第一极耦接第六电阻器的第一端。第八晶体管的第二极耦接第二节点。第六电阻器的第二端耦接第二电压端。第九晶体管的控制极耦接第九晶体管的第二极和第四节点。第九晶体管的第一极耦接第七电阻器的第一端。第七电阻器的第二端耦接第二电压端。第十晶体管的控制极耦接第四节点。第十晶体管的第一极耦接第二电压端。第十晶体管的第二极耦接参考电压输出端。第十一晶体管的第一极耦接第一电压端。第十一晶体管的第二极耦接参考电压输出端。第十二晶体管的控制极耦接第四节点。第十二晶体管的第一极耦接第二电压端。第十二晶体管的第二极耦接参考电压输出端。其中，第十一晶体管的阈值电压和第十二晶体管的阈值电压高于参考电压产生电路中的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种参考电压产生电路，包括：偏置电路、第一晶体管、第二晶体管、第一反馈电路、第二反馈电路、第一采样电路、第二采样电路、第一电流放大电路、以及第二电流放大电路，其中，所述偏置电路被配置为根据来自偏置电流源的偏置电流在第一节点处生成第一偏置电压并在第二节点处生成第二偏置电压；所述第一晶体管的控制极耦接所述第一节点，所述第一晶体管的第一极耦接参考电压输出端，所述第一晶体管的第二极耦接第三节点；所述第二晶体管的控制极耦接所述第二节点，所述第二晶体管的第一极耦接所述参考电压输出端，所述第二晶体管的第二极耦接第四节点；所述第一采样电路被配置为经由所述第三节点采样流过所述第一晶体管的第一电流；所述第二采样电路被配置为经由所述第四节点采样流过所述第二晶体管的第二电流；所述第一反馈电路被配置为根据所述第一电流生成第一反馈电流，所述第一反馈电流用于调整所述第一偏置电压以稳定从所述参考电压输出端输出的参考电压；所述第二反馈电路被配置为根据所述第二电流生成第二反馈电流，所述第二反馈电流用于调整所述第二偏置电压以稳定所述参考电压；第一电流放大电路被配置为将所述第一电流放大为第一放大电流；第二电流放大电路被配置为将所述第二电流放大为第二放大电流；其中，在所述参考电压产生电路对负载提供拉电流的情况下，所述第一晶体管导通，所述第二晶体管截止，所述拉电流包括所述第一电流与所述第一放大电流；在所述参考电压产生电路从所述负载吸收灌电流的情况下，所述第一晶体管截止，所述第二晶体管导通，所述灌电流包括所述第二电流与所述第二放大电流。2.根据权利要求1所述的参考电压产生电路，还包括：第一补偿电路、以及第二补偿电路，其中，所述第一补偿电路被配置为：在所述拉电流大于或者等于第一电流阈值的情况下生成第一补偿电流以补偿所述第一电流的增量；所述第二补偿电路被配置为：在所述灌电流大于或者等于第二电流阈值的情况下生成第二补偿电流以补偿所述第二电流的增量。3.根据权利要求1或2所述的参考电压产生电路，其中，所述偏置电路包括：第一电阻器、第二电阻器、第三电阻器、第三晶体管、以及第四晶体管，其中，所述第一电阻器的第一端耦接所述偏置电流源和所述第三晶体管的控制极，所述第一电阻器的第二端耦接所述第一节点和所述第二电阻器的第一端；所述第二电阻器的第二端耦接所述第三晶体管的第二极；所述第三晶体管的第一极耦接所述第四晶体管的第一极；所述第四晶体管的控制极耦接所述第四晶体管的第二极和所述第二节点；所述第三电阻器的第一端耦接所...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈家隆，黄育江，
申请(专利权)人：圣邦微电子北京股份有限公司，
类型：发明
国别省市：