一种可重构的三态内容可寻址存储器单元制造技术

本发明专利技术公开一种可重构的三态内容可寻址存储器单元，本存储器单元利用三个或大于三个三态内容可寻址存储器不同态的组合和对调控存储单元施加不同的栅极调控电压以实现单元的重构，从而达到从而达到三态内容可寻址存储器单元在并联型和串联型两种功能形态之间切换和工作的目的；所述的三态内容可寻址存储器的不同态，是指存储器阈值电压被调控到不同范围的闪存存储单元的状态。本发明专利技术结合并联型内容可寻址存储器和串联型内容可寻址存储器优点，在面积成本较低的基础上可重构内容可寻址存储器，该可重构单元组成的阵列不仅能实现以上二者组成的阵列原本能实现的功能，还提供了二者在同一阵列种混用的可能性。二者在同一阵列种混用的可能性。二者在同一阵列种混用的可能性。

【技术实现步骤摘要】
一种可重构的三态内容可寻址存储器单元


[0001]本专利技术涉及内容可寻址存储器领域，具体是一种可重构的三态内容可寻址存储器单元。

技术介绍

[0002]TCAM(Ternary Content Addressable Memory，三态内容可寻址存储器)是一种在CAM(Content Addressable Memory，内容可寻址存储器)的基础上发展出来的存储单元结构。在应用中，输入通过数据线(DL, Data Line)与TCAM单元连接，搜索线连接的是单元中存储单元的栅极，输入以栅极电压的形式施加到TCAM上。同时每个TCAM单元均通过闪存存储单元的源极施加一个较小的偏置电压。目前主流使用的TCAM单元的主要功能是将输入表示的状态与TCAM单元中存储的状态作比较，最终以电流大小的形式在匹配线(ML, Match Line)上评估匹配程度。对于单个TCAM单元，若输入与TCAM单元中存储的状态一致，即输入与TCAM存储状态匹配，则该TCAM单元不导通，匹配线上无电流输出。反之，状态不匹配时，该TCAM单元导通，此时匹配线上有电流输出。相较本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种可重构的三态内容可寻址存储器单元，其特征在于：本存储器单元利用三个或大于三个三态内容可寻址存储器不同态的组合和对调控存储单元施加不同的栅极调控电压以实现单元的重构，从而达到从而达到三态内容可寻址存储器单元在并联型和串联型两种功能形态之间切换和工作的目的；所述的三态内容可寻址存储器的不同态，是指存储器阈值电压被调控到不同范围的闪存存储单元的状态。2.根据权利要求1所述的可重构的三态内容可寻址存储器单元，其特征在于：本存储器单元包括三个三态内容可寻址存储器M1、M2、M3，三态内容可寻址存储器M1、M3串联，串联后的M1、M3与M2并联；需要将该存储器单元调控到并联模式时，给M3的栅极施加电压V0，V0是远大于Vt2但又不致使M3击穿的电压，Vt2是X态对应的阈值电压，V0作为过电压减小M3的电阻，从而降低M3对M1的分压，继而减小M3的存在对本存储器单元输出的影响；需要将该存储器单元调控到串联模式时，给M2的栅极施加电压V1，V1是小于Vt2使得M2不导通的电压，Vt2是X态对应的阈值电压，施加V1保证M2不导通，从而使存储器单元正常工作在串联型结构下。3.根据权利要求1所述的可重构的三态内容可寻址存储器单元，其特征在于：本存储器单元包括四个三态内容可寻址存储器M1、M2、M3、M4，M1、M2串联，M3、M4串联，串联在一起的M1、M2与串联在一起的M3、M4并联；需要将该存储器单元调控到并联模式时，给M2、M4的栅极均施加电压V0，V0是远大于Vt2但又不致使M2、M4击穿的电压，Vt2是X态对应的阈值电压，V0作为过电压减小M2、M4的电阻，从而降低M2对M1的分压、M4对M3的分压，继而减小M2、M4的存在对本存储器单元输出的影响；需要将该存储器单元调控到串联模式时，给M1、M2或者M3、M4的栅极施加电压V1，V1是小于Vt2使得三态内容可寻址存储器不导通的电压，Vt2是X态对应的阈值电压，施加V1保证M1、M2不导通，串联在一起的M3、M4组成串...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈杰智，柏茂颖，詹学鹏，
申请(专利权)人：山东大学，
类型：发明
国别省市：