内容可寻址存储器和包括其的电子装置制造方法及图纸

提供了内容可寻址存储器和包括其的电子装置。该内容可寻址存储器可以包括连接到匹配线、字线和搜索线的存储器单元，存储器单元包括掺有不同掺杂剂的第一沟道层和第二沟道层。括掺有不同掺杂剂的第一沟道层和第二沟道层。括掺有不同掺杂剂的第一沟道层和第二沟道层。

【技术实现步骤摘要】
内容可寻址存储器和包括其的电子装置


[0001]本公开涉及内容可寻址存储器和包括其的电子装置。

技术介绍

[0002]一般而言，内容可寻址存储器(CAM)包括静态随机存取存储器(SRAM)。因为SRAM包括16个晶体管，所以存储器单元的面积可能较大。因此，为了减小存储器单元的面积，已经提出了使用诸如电阻式随机存取存储器(ReRAM)的电阻式存储或自旋转移矩磁性随机存取存储器(STT
‑
MRAM)的结构。
[0003]当CAM是三态内容可寻址存储器(TCAM)时，除了晶体管之外，可能还需要用于存储器单元中的信号镜像的反相器。因为反相器可能无法被实现为具有简单结构的互补金属
‑
氧化物
‑
半导体(CMOS)反相器，所以可能需要复杂的电路。因此，在减小CAM的尺寸方面可能存在限制。

技术实现思路

[0004]提供了不需要反相器的内容可寻址存储器和包括该内容可寻址存储器的电子装置。
[0005]提供了具有小面积的内容可寻址存储器和包括其的电子装置。<br/>[0006]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种内容可寻址存储器，包括：在第一方向上延伸的匹配线；与所述匹配线间隔开的字线，所述字线平行于所述第一方向延伸；与所述匹配线和所述字线间隔开的搜索线；以及多个存储器单元，每个存储器单元连接到所述匹配线、所述字线和所述搜索线，其中所述多个存储器单元中的至少一个包括：彼此间隔开的源电极和漏电极；掺有不同掺杂剂的第一沟道层和第二沟道层，所述第一沟道层和所述第二沟道层在所述源电极和所述漏电极之间，使得所述第一沟道层的第一端和所述第二沟道层的第一端接触所述源电极并且所述第一沟道层的第二端和所述第二沟道层的第二端接触所述漏电极；以及与所述第一沟道层、所述第二沟道层、所述源电极和所述漏电极中的全部间隔开的栅电极。2.根据权利要求1所述的内容可寻址存储器，进一步包括：衬底，其中所述源电极和所述漏电极位于所述衬底上，并且在平行于所述衬底的表面的方向上彼此间隔开，以及所述第一沟道层和所述第二沟道层位于所述衬底上，并且在所述衬底的厚度方向上彼此间隔开。3.根据权利要求1所述的内容可寻址存储器，其中所述第二沟道层的电荷迁移率相对于所述第一沟道层的电荷迁移率的比率等于或大于0.9且等于或小于1.1。4.根据权利要求1所述的内容可寻址存储器，其中所述第一沟道层和所述第二沟道层中的一个掺有n型掺杂剂，以及所述第一沟道层和所述第二沟道层中的另一个掺有p型掺杂剂。5.根据权利要求4所述的内容可寻址存储器，其中所述第一沟道层和所述第二沟道层中的所述另一个中的所述p型掺杂剂的掺杂浓度等于或大于所述第一沟道层和所述第二沟道层中的所述一个中的所述n型掺杂剂的掺杂浓度。6.根据权利要求1所述的内容可寻址存储器，其中所述第一沟道层、所述第二沟道层或者所述第一沟道层和所述第二沟道层两者包括硅(Si)、锗(Ge)、氧化物半导体、III
‑
V族材料、二维(2D)材料、过渡金属二硫族化物、量子点(QD)和有机材料中的至少一种。7.根据权利要求1所述的内容可寻址存储器，其中所述第一沟道层的基底材料和所述第二沟道层的基底材料是相同的材料。8.根据权利要求1所述的内容可寻址存储器，其中所述存储器单元进一步包括：围绕所述第一沟道层的第一栅极绝缘层；以及围绕所述第二沟道层的第二栅极绝缘层，其中所述第一栅极绝缘层和所述第二栅极绝缘层彼此间隔开，且所述栅电极的一部分在其间。9.根据权利要求8所述的内容可寻址存储器，其中所述第一栅极绝缘层和所述第二栅极绝缘层中的至少一个包括铁电材料。
10.根据权利要求9所述的内容可寻址存储器，其中所述铁电材料包括表示为MO2的材料，以及在MO2中，其中M是Hf、Zr或其组合，M是基底材料。11.根据权利要求8所述的内容可寻址存储器，其中所述第一栅极绝缘层和所述第二栅极绝缘层中的至少一个进一步包括选自C、Si、Ge、Sn、Pb、Al、Y、La、Gd、Mg、Ca、Sr、Ba、Ti、Zr、Hf和其组合的至少一种掺杂剂材料。12.根据权利要求8所述的内容可寻址存储器，其中所述第一栅极绝缘层和所述第二栅极绝缘层中的至少一个包括：包括顺电材料的第一层；以及包括铁电材...

【专利技术属性】
技术研发人员：许镇盛，裵鹤烈，南胜杰，李泫宰，崔悳铉，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：