【技术实现步骤摘要】
显示面板及其制备方法
[0001]本申请涉及显示
，特别是涉及一种显示面板及其制备方法。
技术介绍
[0002]随着光电显示技术和半导体制造技术的发展，微发光二极管(micro LED)显示面板因其稳定性好、寿命长、分辨率高等优点，受到越来越多的关注。
[0003]现有技术中，在micro LED显示面板的制程中，需要将大量的发光元件转移并绑定到驱动基板上。这些发光元件绑定到驱动基板后，往往会有少数发光元件存在异常而无法正常发光，因此需要替换掉异常的发光元件。因此，通常会在驱动基板上制作备用电路，每个像素点由两个或以上可供发光元件绑定的位置，若原发光元件异常，则切断原发光元件线路，然后在备用绑定焊盘绑定新的发光元件；但是，该方案仅适用于像素密度(Pixels Per Inch，PPI)较低的产品，对于PPI较高的显示面板，每个像素位置没有多余的空间设置两对绑定焊盘。目前，对于PPI较高的显示面板，通常采用高能量激光击碎异常发光元件，以将其去除；然而，高能量的激光极易损伤绑定焊盘，导致驱动背板被损坏以及新的发光元
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种显示面板，包括：驱动基板，包括多对第一焊盘和第二焊盘；第一发光元件，包括第一半导体层、第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极分别电连接于所述第一半导体层，且位于所述第一半导体层的同一侧；所述第一电极和所述第二电极分别对位绑定于所述第一焊盘和所述第二焊盘；其特征在于，所述第一电极包括沿远离所述第一半导体层的方向依次电连接的第一金属层、第一掺杂半导体层和第二金属层，所述第二电极包括沿远离所述第一半导体层的方向依次电连接的第三金属层、第二掺杂半导体层和第四金属层；所述第一金属层和所述第三金属层分别电连接于所述第一半导体层，所述第二金属层和所述第四金属层分别对位绑定于所述第一焊盘和所述第二焊盘，以使所述第一发光元件电连接于所述驱动基板。2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一掺杂半导体层和所述第二掺杂半导体层均包括重掺杂的N型半导体材料，掺杂浓度大于10
18
cm
‑3；所述第一掺杂半导体层的厚度和所述第二掺杂半导体层的厚度为0.3～0.7μm。3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括第二发光元件，用于替换异常的所述第一发光元件；所述第二发光元件包括第二半导体层、第三电极和第四电极，所述第三电极和所述第四电极分别电连接于所述第二半导体层，且位于所述第一半导体层的同一侧；异常的所述第一发光元件保留所述第二电极和部分所述第一掺杂半导体层以及所述第四电极和部分所述第二掺杂半导体层于所述驱动基板上；所述第三电极对位绑定于保留的部分所述第一掺杂半导体层，所述第四电极对位绑定于保留的部分所述第二掺杂半导体层，以使所述第二发光元件电连接于所述驱动基板。4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第三电极远离所述第二半导体层的一侧覆盖保留的部分所述第一掺杂半导体层，所述第四电极远离所述第二半导体层的一侧覆盖保留的部分所述第二掺杂半导体层；所述第二金属层远离所述第一半导体层的一侧到所述第一掺杂半导体层的中位线所在平面的距离与所述第四金属层远离所述第一半导体层的一侧到所述第二掺杂半导体层的中位线所在平面的距离均等于预设距离；所述第三电极的长度小于所述第一电极的长度，且所述第三电极与所述第一电极的长度差等于所述预设距离；所述第四电极的长度小于所述第二电极的长度，且所述第四电极与所述第二电极的长度差也等于所述预设距离。5.根据权利要求1或3所述的显示面板，其特征在于，所述第一发光元件还包括第一保护层，所述第一保护层包裹于所述第一半导体层的外表面；所述第二发光元件还包括第二保护层，所述第二保护层包裹于所述第二半导体层的外表面；所述第一保护层和所述第二保护层均包括有机高分子材料。6.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括：提供驱动基板，所述驱动基板包括多对第一焊盘和第二焊盘；将第一发光元件转移并对位绑定于所述驱动基板；其中，所述第一发光元件包括第一半导体层、第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极分别电连接于所述第一半导体层，且位于所述第一半导体层的同一侧；所述第一电极包括沿远离所述第一半导体层
的方向依次电连接的第一金属层、第一掺杂半导体层和第二金属层，所述第二电极包括沿远离所述第一半导体层的方向依次电连接的第三金属层、第二掺杂半导体层和第四...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。