半导体装置制造方法及图纸

提供一种半导体装置。在对半导体芯片接合大面积的铜连接器时，即使在不能充分确保与接合面的间隙的情况下，也抑制连接(接合)不良、焊料焊脚形成不良，实现钎焊连接部的可靠性的提高。实施方式的半导体装置具备：引线框；半导体芯片，其搭载于引线框；以及条带部件，其经由导电性粘接剂而与半导体芯片的电极连接；条带部件的连接面的外周缘的至少一部分在俯视的情况下与条带部件的最外周缘相比位于内侧。情况下与条带部件的最外周缘相比位于内侧。情况下与条带部件的最外周缘相比位于内侧。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置


[0001]本专利技术的实施方式涉及半导体装置。

技术介绍

[0002]已知利用例如板状的连接器将引线框与半导体芯片的电极电连接的半导体装置。电极与连接器之间以及引线框与连接器之间通过焊料这样的导电性粘接剂机械连接且电连接。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特表2015
‑
530748号公报
[0006]专利文献1：日本特开2013
‑
251500号公报
[0007]专利文献1：日本特开2012
‑
089563号公报

技术实现思路

[0008]专利技术所要解决的课题
[0009]例如，在使用铅焊料将硅(Si)芯片接合于引线框及铜(Cu)连接器进行模塑密封而制造出的半导体封装中，在接合工序中使用回流炉。
[0010]在对硅芯片(半导体芯片)接合大面积的铜连接器时，在不能充分确保与接合面的间隙的情况下，存在如下课题：产生连接(接合)不良、焊料焊脚形成不良，从焊料接合部的可靠性的观点来看为不合格品。
[0011]用于解决课题的手段
[0012]实施方式的半导体装置具备：引线框；半导体芯片，其搭载于引线框；以及条带(clip)部件，其经由导电性粘接剂而与半导体芯片的电极连接；条带部件的连接面的外周缘的至少一部分在俯视的情况下与条带部件的外周缘相比位于内侧。
附图说明
[0013]图1是实施方式的模塑前的半导体装置的外观立体图。
[0014]图2是实施方式的模塑前的半导体装置的主要部位的俯视图。
[0015]图3是硅芯片的俯视图。
[0016]图4是实施方式的第一电极的钎焊连接部分的剖面示意图。
[0017]图5是与第一实施方式对应的图4的虚线圆C部分的放大图。
[0018]图6是铜条带移动量的测定结果的说明图。
[0019]图7是与第二实施方式对应的图4的虚线圆C部分的放大图。
[0020]图8是与第三实施方式对应的图4的虚线圆C部分的放大图。
[0021]附图标记说明
[0022]10 半导体装置
[0023]11 引线框
[0024]11C 焊料层
[0025]11C 接合面
[0026]12 硅芯片
[0027]12A 第一电极
[0028]12B 第二电极
[0029]12P 外周缘
[0030]13 铜条带
[0031]13A 连接面
[0032]13A 第一连接部
[0033]13AX～13AZ 凹部
[0034]13B 延伸部
[0035]13C 外部端子部
[0036]13D 第二连接部
[0037]13E 延伸部
[0038]15 焊料层
[0039]15F 焊料焊脚
[0040]16 表面保护膜
[0041]12A1 连接面
[0042]13P1 最外周缘
[0043]13P2 外周缘
[0044]E1～E4 端面
[0045]L、L1 距离
具体实施方式
[0046]接下来，参照附图对实施方式进行说明。
[0047]在本说明书中，实施方式的构成要素及该要素的说明有时会通过多个表达进行记载。构成要素及其说明是一个例子，不被本说明书的表达限定。构成要素可能会通过与本说明书中的名称不同的名称来确定。另外，构成要素可能会通过与本说明书的表达不同的表达来说明。
[0048]图1是实施方式的模塑前的半导体装置的外观立体图。
[0049]图2是实施方式的模塑前的半导体装置的主要部位的俯视图。
[0050]半导体装置10例如构成为功率器件(功率晶体管)。此外，半导体装置10并不限于该例子，也可以是其它装置。
[0051]如图1所示，在本说明书中，为方便起见，定义X轴、Y轴及Z轴。X轴、Y轴和Z轴相互正交。X轴是沿着半导体装置10的宽度设置的。Y轴是沿着半导体装置10的长度(进深)设置的。Z轴是沿着半导体装置10的厚度设置的。
[0052]而且，在本说明书中，定义X方向、Y方向及Z方向。X方向是沿着X轴的方向，包含X轴的箭头所表示的+X方向和X轴的箭头的相反方向即﹣X方向。Y方向是沿着Y轴的方向，包含Y
轴的箭头所表示的+Y方向和Y轴的箭头的相反方向即﹣Y方向。Z方向是沿着Z轴的方向，包含Z轴的箭头所表示的+Z方向和Z轴的箭头的相反方向即﹣Z方向。
[0053]如图1所示，半导体装置10具备引线框11、硅芯片12和铜条带13。
[0054]在上述结构中，引线框11作为导电性部件(电极)及热传导性部件(散热部件)发挥功能。
[0055]另外，硅芯片12是所谓的半导体芯片。
[0056]与引线框11相同，铜条带13作为导电性部件(电极)及热传导性部件(散热部件)发挥功能。
[0057]并且，引线框11设有平板状的板部11A，并沿Y轴方向设有多个长方形状的开口11B，该开口11B设于板部11A，且在俯视(向﹣Z方向观察)的情况下将Y轴方向作为长度方向。
[0058]该开口11B在模塑时供树脂侵入而对模塑树脂的固定起作用。
[0059]而且，在引线框11上，设有被钎焊接合硅芯片12的一个面(在图1中是下表面)的电极的、具有平面形状的接合面11C。
[0060]另外，在图2中，附图标记E1是构成对铜条带13进行俯视的情况下的外周缘(外周面)的+X方向的端面。
[0061]另外，附图标记E2是构成铜条带13的外周缘(外周面)的+Y方向的端面。
[0062]另外，附图标记E3是构成铜条带13的外周缘(外周面)的﹣Y方向的端面。
[0063]另外，附图标记E4是构成铜条带13的外周缘(外周面)的﹣X方向的端面。
[0064]图3是硅芯片的俯视图。
[0065]在硅芯片12的上表面(位于+Z方向的面)，设有第一电极12A及第二电极12B。
[0066]第一电极12A具有将长方形的一个角呈长方形状地切除而成的大致L形状。
[0067]另外，第二电极设于与第一电极12A的切除部分对应的位置，且具有长方形状。
[0068]在此，硅芯片12例如是纵型MOSFET(Metal
‑
Oxide
‑
Semiconductor Field Effect Transistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)这种纵型元件。硅芯片12并不限于该例子，也可以是纵型IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor：绝缘栅双极型晶体管)、纵型二极管或其它半导体芯片。
[0069]硅芯片12包含硅(Si)作为半导体。作为半导体芯片，并不限于硅芯片12，例如也可以包含SiC、GaN这本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：引线框；半导体芯片，其搭载于所述引线框；以及条带部件，其经由导电性粘接剂而与所述半导体芯片的电极连接；所述条带部件的连接面的外周缘的至少一部分在俯视的情况下位于比所述条带部件的最外周缘靠内侧。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述条带部件的连接面的外周缘的至少一部分在所述电极的连接面的范围内被设为自所述电极的连接面的外周缘位置分离规定距离的位置。...

【专利技术属性】
技术研发人员：山口翔，山本哲也，
申请(专利权)人：东芝电子元件及存储装置株式会社，
类型：发明
国别省市：