一种可重构放大器芯片制造技术

本发明专利技术公开了一种可重构放大器芯片，包括依次连接的可重构输入匹配网络、共源共栅网络以及可重构增益网络，可重构输入匹配网络作为所述可重构放大器芯片的射频输入端，可重构增益网络的输出端作为所述可重构放大器芯片的射频输出端。本发明专利技术通过开关调整可选择不同的通道工作，可实现直通、放大、衰减多种工作状态，从而可完成放大器放大能力的重构；本发明专利技术通过多个二极管工作状态的调整，实现了匹配网络的可重构性，从而不仅可完成不同的噪声匹配，更可实现不同的工作中心频率，甚至对不同的带外信号也具有一定的抑制能力。的带外信号也具有一定的抑制能力。的带外信号也具有一定的抑制能力。

【技术实现步骤摘要】
一种可重构放大器芯片


[0001]本专利技术属于集成电路设计
，具体涉及一种可重构放大器芯片。

技术介绍

[0002]随着无线通信的发展，现代通信标准也逐渐多样化，因此可重构放大器呼之欲出。可重构技术使器件具有很大的灵活性。目前在可重构放大器领域，比较多见的是采用可变匹配网络的可拓展性来对工作频段重构或者输出功率的重构；或者调整增益大小对放大器放大能力的重构。但是随着信息吞吐量的增加，频频资源也愈发紧张，进而对可重构放大器也提出了更多的要求，比如不仅能够处理变化的中心频率、多变的信号带宽和对带内信号有不同的放大能力，甚至要求对不同的带外信号也需一定的抑制能力。

技术实现思路

[0003]针对现有技术中的上述不足，本专利技术提供的可重构放大器芯片解决了同时对不同中心频率和带宽、不同增益大小和噪声匹配的重构，以及对带外信号也可进行不同频率和大小的抑制。
[0004]为了达到上述专利技术目的，本专利技术采用的技术方案为：一种可重构放大器芯片，包括依次连接的可重构输入匹配网络、共源共栅网络以及可重构增益网络，所述可重构输入匹配网络作为所述可重构放大器芯片的射频输入端，所述可重构增益网络的输出端作为所述可重构放大器芯片的射频输出端；所述可重构输入匹配网络用于对放大器芯片噪声、不同工作频率以及带外抑制进行调整；所述共源共栅网络用于信号放大，并通过其隔离度使所述可重构输入匹配网络和可重构增益网络易于实现，并提供温补效应；所述可重构增益网络用于提供链路不同增益大小。
[0005]进一步地，所述可重构输入匹配网络包括电容C1；所述电容C1的一端作为所述可重构输入匹配网络的输入端，其另一端分别与电容C2的一端和微带线TL1的一端连接，所述电容C2的另一端分别与电阻Rc1的一端和二极管D1的正极连接，所述电阻Rc1的另一端与控制电压V1连接，所述二极管D1的负极接地，所述微带线TL1的另一端分别与电感L1的一端和微带线TL2的一端连接，所述电感L1的另一端与电容C3的一端连接，所述电容C3的另一端分别与电阻Rc2的一端和二极管D2的一端连接，所述电阻Rc2的另一端与控制电压V2连接，所述二极管D2的负极接地，所述微带线TL2的另一端分别与电感L2的一端和微带线TL3的一端连接，所述电感L2的另一端与电容C4的一端连接，所述电容C4的另一端分别与电阻Rc3的一端和二极管D3的正极连接，所述电阻Rc3的另一端与控制电压V3连接，所述二极管D3的负极接地，所述微带线TL3的另一端作为所述可重构输入匹配网络的输出端。
[0006]上述进一步方案的有益效果为：本专利技术中的可重构输入匹配网络通过控制电压决定二极管D1、D2、D3的工作状态，结合一定波长的传输线从而选择不同的阻抗变换，实现不
同的带外抑制和工作频率，同时也可完成不同的噪声匹配。V1控制的支路主要通过阻抗变换实现工作中心频段的改变；V2和V3控制的支路可以通过电感电容合理的取值，使频率抑制选择在相同的频段来加深带外抑制，或者选择不同的频段得到不同频段的带外抑制，或者也可结合V1支路的控制通过匹配调整实现不同的工作中心频段。
[0007]进一步地，所述共源共栅网络包括晶体管M1、晶体管M2以及晶体管M3；所述晶体管M2的栅极作为所述可重构输入匹配网络的输入端，并与电阻R3的一端连接，所述电阻R3的另一端分别与电阻R1的一端、晶体管M3的栅极以及晶体管M3的漏极连接，所述晶体管M3的源极与接地电阻R2连接，所述电阻R1的另一端与电源VD连接；所述晶体管M2的源极接地，所述晶体管M2的漏极与晶体管M1的源极连接，所述晶体管M1的栅极分别与接地电容C5和电阻R6的一端连接，所述电阻R6的另一端分别与接地电阻R5和电阻R4的一端连接，所述电阻R4的另一端与电源VD连接，所述晶体管M1的漏极与微带线TL4的一端连接，所述微带线TL4的另一端作为所述共源共栅网络的输出端，并与电感L3的一端连接，所述电感L3的另一端分别与电源VD和接地电容C7连接。
[0008]上述进一步方案的有益效果为：上述进一步方案中的共源共栅网络具有很高的隔离度，使可重构输入匹配网络和可重构增益网络实现起来较为容易，同时放大管采用了有源偏置，使放大电路具有一定的温补效应。
[0009]进一步地，所述可重构增益网络包括电容C6；所述电容C6的一端作为所述可重构增益网络的输入端，所述电容C6的另一端与微带线TL5的一端连接，所述微带线TL5的另一端分别与开关管Ms1的源极、开关管Ms2的源极以及开关管Ms3的源极连接；所述开关管Ms1的栅极与电阻Rc4的一端连接，所述电阻Rc4的另一端与控制电压V4连接，所述开关管Ms1的漏极与微带线TL6的一端连接，所述微带线TL6的另一端与电容C8的一端连接，所述电容C8的另一端分别与电阻R9的一端和晶体管M4的栅极连接，所述电阻R9的另一端分别与晶体管M5的漏极、晶体管M5的栅极以及电阻R7的一端连接，所述晶体管M5的源极与接地电阻R8连接，所述电阻R7的另一端与电源VD连接，所述晶体管M4的源极接地，所述晶体管M4的漏极与微带线TL7的一端连接，所述微带线TL7的另一端分别与接地电容C10、电感L4的一端以及电容C11的一端连接，所述电感L4的另一端分别与接地电容C9和电源VD连接，所述电容C11的另一端与微带线TL14的一端连接，所述微带线TL14的另一端与开关管Ms4的漏极连接，所述开关管Ms4的栅极与电阻Rc7的一端连，所述电阻Rc7的另一端与控制电压V4连接，所述开关管Ms4的源极与微带线TL16的一端连接；所述开关管Ms2的栅极与电阻Rc5的一端连接，所述电阻Rc5的另一端与控制电压V5连接，所述开关管Ms2的漏极与电感L5的一端连接，所述电感L5的另一端与开关管Ms5的漏极连接，所述开关管Ms5的栅极与电阻Rc8的一端连接，所述电阻Rc8的另一端与控制电压V5连接，所述开关管Ms5的源极与微带线TL16的一端连接；所述开关管Ms3的栅极与电阻Rc6的一端连接，所述电阻Rc6的另一端与控制电压V6连接，所述开关管Ms3的漏极与微带线TL8的一端连接，所述微带线TL8的另一端分别与开关管Ms8的漏极和微带线TL9的一端连接，所述开关管Ms8的源极与接地电阻R11连接，所述开关管Ms8的栅极与电阻Rc11的一端连接，所述电阻Rc11的另一端与控制电压V8连接，所述微带线TL9的另一端分别与电阻R10的一端和开关管Ms7的源极连接，所述开关管Ms7的栅极
与电阻Rc10的一端连接，所述电阻Rc10的另一端与控制电压V7连接，所述开关管Ms7的漏极分别与电阻R10的另一端和微带线TL10的一端连接，所述微带线TL10的另一端分别与开关管Ms9的漏极和微带线TL11的一端连接，所述开关管Ms9的源极与接地电阻R12连接，所述开关管Ms9的栅极与电阻Rc12的一端连接，所述电阻Rc12的另一端与控制电压V8连接，所述微带线TL11的另一端分别与微带线TL12的一端和开关管Ms11的漏极连接，所述开关管Ms11的源极与接地电阻R12连接，所述开关管Ms11的栅本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种可重构放大器芯片，其特征在于，包括依次连接的可重构输入匹配网络、共源共栅网络以及可重构增益网络，所述可重构输入匹配网络作为所述可重构放大器芯片的射频输入端，所述可重构增益网络的输出端作为所述可重构放大器芯片的射频输出端；所述可重构输入匹配网络用于对放大器芯片噪声、不同工作频率以及带外抑制进行调整；所述共源共栅网络用于信号放大，并通过其隔离度使所述可重构输入匹配网络和可重构增益网络易于实现，并提供温补效应；所述可重构增益网络用于提供链路不同增益大小。2.根据权利要求1所述的可重构放大器芯片，其特征在于，所述可重构输入匹配网络包括电容C1；所述电容C1的一端作为所述可重构输入匹配网络的输入端，其另一端分别与电容C2的一端和微带线TL1的一端连接，所述电容C2的另一端分别与电阻Rc1的一端和二极管D1的正极连接，所述电阻Rc1的另一端与控制电压V1连接，所述二极管D1的负极接地，所述微带线TL1的另一端分别与电感L1的一端和微带线TL2的一端连接，所述电感L1的另一端与电容C3的一端连接，所述电容C3的另一端分别与电阻Rc2的一端和二极管D2的一端连接，所述电阻Rc2的另一端与控制电压V2连接，所述二极管D2的负极接地，所述微带线TL2的另一端分别与电感L2的一端和微带线TL3的一端连接，所述电感L2的另一端与电容C4的一端连接，所述电容C4的另一端分别与电阻Rc3的一端和二极管D3的正极连接，所述电阻Rc3的另一端与控制电压V3连接，所述二极管D3的负极接地，所述微带线TL3的另一端作为所述可重构输入匹配网络的输出端。3.根据权利要求1所述的可重构放大器芯片，其特征在于，所述共源共栅网络包括晶体管M1、晶体管M2以及晶体管M3；所述晶体管M2的栅极作为所述可重构输入匹配网络的输入端，并与电阻R3的一端连接，所述电阻R3的另一端分别与电阻R1的一端、晶体管M3的栅极以及晶体管M3的漏极连接，所述晶体管M3的源极与接地电阻R2连接，所述电阻R1的另一端与电源VD连接；所述晶体管M2的源极接地，所述晶体管M2的漏极与晶体管M1的源极连接，所述晶体管M1的栅极分别与接地电容C5和电阻R6的一端连接，所述电阻R6的另一端分别与接地电阻R5和电阻R4的一端连接，所述电阻R4的另一端与电源VD连接，所述晶体管M1的漏极与微带线TL4的一端连接，所述微带线TL4的另一端作为所述共源共栅网络的输出端，并与电感L3的一端连接，所述电感L3的另一端分别与电源VD和接地电容C7连接。4.根据权利要求1所述的可重构放大器芯片，其特征在于，所述可重构增益网络包括电容C6；所述电容C6的一端作为所述可重构增益网络的输入端，所述电容C6的另一端与微带线TL5的一端连接，所述微带线TL5的另一端分别与开关管Ms1的源极、开关管Ms2的源极以及开关管Ms3的源极连接；所述开关管Ms1的栅极与电阻Rc4的一端连接，所述电阻Rc4的另一端与控制电压V4连接，所述开关管Ms1的漏极与微带线TL6的一端连接，所述微带线TL6的另一端与电容C8的一端连接，所述电容C8的另一端分别与电阻R9的一端和晶体管M4的栅极连接，所述电阻R9的另一端分别与晶体管M5的漏极、晶体管M5的...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶珍，杨聪聪，钟丹，罗丰廷，白杨，彭宇，童伟，王测天，
申请(专利权)人：成都嘉纳海威科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：