一种超宽带收发多功能芯片制造技术

本发明专利技术公开了一种超宽带收发多功能芯片，集成电路技术领域，包括第一开关切换网络、第二开关切换网络、超宽带发射放大网络和超宽带接收放大网络；第一开关切换网络的输出端、超宽带发射放大网络和第二开关切换网络的输入端依次连接；第二开关切换网络的输出端、超宽带接收放大网络和第一开关切换网络的输入端依次连接；第一开关切换网络设置有超宽带收发多功能芯片的发射输入端/接收输出端；第二开关切换网络设置有超宽带收发多功能芯片的发射输出端/接收输入端。本发明专利技术具有超宽带、高收发隔离、接收高线性高谐波抑制、发射高增益高功率、高集成度和高一致性等特点。高集成度和高一致性等特点。高集成度和高一致性等特点。

【技术实现步骤摘要】
一种超宽带收发多功能芯片


[0001]本专利技术属于集成电路
，具体涉及一种超宽带收发多功能芯片。

技术介绍

[0002]收发组件是有源阵列天线的核心组成单元，在综合射频系统、相控阵雷达和数字阵列雷达等领域被广泛应用。收发多功能芯片是收发组件的关键部件，主要由微波单片集成电路技术实现。将收发组件中的低噪声放大器、开关和功率放大器等通过设计在芯片内部集成，就得到了典型的收发多功能芯片，这种设计方案有利于系统的小型化和集成化发展。目前越来越多的系统应用提出了超宽带、低噪声、高功率，高线性度和高谐波抑制度的要求，而如何在超宽带工作频带内实现这些性能指标，提高系统的动态范围和抗干扰能力，则对收发多功能芯片提出了更高的设计要求。

技术实现思路

[0003]本专利技术为了解决上述问题，提出了一种超宽带收发多功能芯片。
[0004]本专利技术的技术方案是：一种超宽带收发多功能芯片包括第一开关切换网络、第二开关切换网络、超宽带发射放大网络和超宽带接收放大网络；第一开关切换网络的输出端、超宽带发射放大网络和第二开关切换网络的输入端依次连接；第二开关切换网络的输出端、超宽带接收放大网络和第一开关切换网络的输入端依次连接；第一开关切换网络设置有超宽带收发多功能芯片的发射输入端/接收输出端；第二开关切换网络设置有超宽带收发多功能芯片的发射输出端/接收输入端。
[0005]本专利技术的有益效果是： 本专利技术第一开关切换网络采用一串一并对称结构，兼顾低插损和高隔离度，在超宽带内实现信号的接收通道输出和发射通道输入状态切换；第二开关切换网络采用双栅对称结构，兼顾低插损和高功率特性，在超宽带内实现信号的接收通道输入和发射通道输出状态切换；超宽带发射放大网络采用改进的共源共栅+行波结构，可实现高增益高功率输出特性；超宽带接收放大网络采用巴伦平衡式差分放大结构，可在超宽带范围内实现高线性和高谐波抑制放大功能。本专利技术具有超宽带、高收发隔离、接收高线性高谐波抑制、发射高增益高功率、高集成度和高一致性等特点。
[0006]进一步地，第一开关切换网络包括微带线TL1、微带线TL2、微带线TL3、晶体管M1、晶体管M2、晶体管M3和晶体管M4；晶体管M1的漏极作为第一开关切换网络的发射输入端/接收输出端，并与晶体管M1的源极连接；晶体管M1的栅极和开关通断状态控制信号V2连接，其源极分别与晶体管M4的源极和微带线TL1的一端连接；微带线TL1的另一端作为第一开关切换网络的输出端；晶体管M2的栅极和开关通断状态控制信号V1连接，其漏极和微带线TL2的一端连接；微带线TL2的另一端分别与晶体管M3的源极和微带线TL3的一端连接；微带线TL3的另一端作为第一开关切换网络的输入端；晶体管M3的栅极和开关通断状态控制信号V2连接；晶体管M3的漏极和晶体管M4的漏极均接地。
[0007]上述进一步方案的有益效果是：第一开关切换网络用在发射信号输入端和接收信号输出端，采用一串一并的开关管结构，在超宽带工作频带内兼顾低插损和高隔离度的需求，V1和V2为开关通断状态的控制信号，通过0/
‑
5V的高低电平切换实现开关状态的变换。
[0008]进一步地，超宽带发射放大网络包括电阻R19、电阻R20、电阻R21、电阻R22、电阻R23、电阻R25、电阻R26、电阻R27、电阻R28、电阻R29、电阻R30、电阻R31、电阻R32、电阻R33、电阻R34、电阻R35、电阻R36、电阻R37、电阻R38、电阻R39、电阻R40、电阻R41、电阻R42、电阻R43、电阻R44、电阻R45、电阻46、接地电阻R47、电阻R48、电阻R49、接地电阻R50、电阻R51、电阻R52、电阻R60、电阻R61、电容C17、电容C18、电容C19、电容C20、接地电容C21、接地电容C22、接地电容C23、接地电容C24、接地电容C25、接地电容C26、接地电容C27、接地电容C28、接地电容C29、接地电容C30、接地电容C31、接地电容C32、接地电容C33、接地电容C34、接地电容C35、接地电容C36、电容C37、接地电容C38、电容C39、电感L7、电感L8、微带线TL7、微带线TL8、微带线TL9、微带线TL10、微带线TL11、微带线TL12、微带线TL13、微带线TL14、微带线TL15、晶体管M13、晶体管M14、晶体管M15、晶体管M16、晶体管M17、晶体管M18、晶体管M19、晶体管M20、晶体管M21和晶体管M22；电容C39的一端作为超宽带发射放大网络的输入端，其另一端和微带线TL7的一端连接；微带线TL7的另一端分别与电阻R19的一端、电容C17的一端和微带线TL8的一端连接；微带线TL8的另一端分别与电阻R20的一端、电容C18的一端和微带线TL9的一端连接；微带线TL9的另一端分别与电阻R21的一端、电容C19的一端和微带线TL10的一端连接；微带线TL10的另一端分别与电阻R22的一端、电容C20的一端和微带线TL11的一端连接；微带线TL11的另一端和电阻R49的一端连接；电阻R49的另一端和接地电容C21连接；晶体管M21的栅极分别与晶体管M21的漏极、电阻R45的一端、电阻R46的一端和接地电容C34连接，其源极和接地电阻R47连接；晶体管M13的栅极分别与电阻R19的另一端、电阻R23的一端、电阻R46的另一端和电容C17的另一端连接，其源极接地，其漏极和晶体管M17的源极连接；晶体管M17的栅极分别与电阻R30的一端、电阻R34的一端和电阻R44的一端连接，其漏极分别与电阻R40的一端、电感L8的一端和微带线TL12的一端连接；电阻R30的另一端和接地电容C25连接；晶体管M22的栅极分别与晶体管M22的漏极、电阻R51的一端、电阻R52的一端和接地电容C38连接，其源极和接地电阻R50连接；电阻R52的另一端分别与电阻R42的一端、电阻R45的另一端、电阻R48的一端、接地电容C36、电感L7的一端和漏电压VDT连接；电阻R48的另一端和接地电容C35连接；电感L7的另一端分别与电阻R41的一端和电感L8的另一端连接；电阻R41的另一端和接地电容C33连接；电阻R40的另一端和接地电容C32连接；电阻R42的另一端分别与接地电阻R43和电阻R44的另一端连接；晶体管M18的栅极分别与电阻R31的一端、电阻R35的一端、电阻R36的一端和接地电容C29连接，其源极和晶体管M14的漏极连接，其漏极分别与微带线TL12的另一端和微带线TL13的一端连接；电阻R31的另一端和接地电容C26连接；电阻R34的另一端和电阻R35的另一端连接；电阻R23的另一端和电阻R27的一端连接；晶体管M14的栅极分别与电阻R20的另一端、电阻R25的一端、电阻R27的另一端、电容C18的另一端和接地电容C22连接，其源极接地；电阻R25的另一端和电阻R26的一端连接；电阻R36的另一端和电阻R37的一端连接； 晶体管M19的栅极分别与电阻R32的一端、电阻R37的另一端、电阻R38的一端和接地电容C30连接，其源极和晶体管M15的漏极连接，其漏极分别本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种超宽带收发多功能芯片，其特征在于，包括第一开关切换网络、第二开关切换网络、超宽带发射放大网络和超宽带接收放大网络；所述第一开关切换网络的输出端、超宽带发射放大网络和第二开关切换网络的输入端依次连接；所述第二开关切换网络的输出端、超宽带接收放大网络和第一开关切换网络的输入端依次连接；所述第一开关切换网络设置有超宽带收发多功能芯片的发射输入端/接收输出端；所述第二开关切换网络设置有超宽带收发多功能芯片的发射输出端/接收输入端。2.根据权利要求1所述的超宽带收发多功能芯片，其特征在于，所述第一开关切换网络包括微带线TL1、微带线TL2、微带线TL3、晶体管M1、晶体管M2、晶体管M3和晶体管M4；所述晶体管M1的漏极作为第一开关切换网络的发射输入端/接收输出端，并与晶体管M1的源极连接；所述晶体管M1的栅极和开关通断状态控制信号V2连接，其源极分别与晶体管M4的源极和微带线TL1的一端连接；所述微带线TL1的另一端作为第一开关切换网络的输出端；所述晶体管M2的栅极和开关通断状态控制信号V1连接，其漏极和微带线TL2的一端连接；所述微带线TL2的另一端分别与晶体管M3的源极和微带线TL3的一端连接；所述微带线TL3的另一端作为第一开关切换网络的输入端；所述晶体管M3的栅极和开关通断状态控制信号V2连接；所述晶体管M3的漏极和晶体管M4的漏极均接地。3.根据权利要求1所述的超宽带收发多功能芯片，其特征在于，所述超宽带发射放大网络包括电阻R19、电阻R20、电阻R21、电阻R22、电阻R23、电阻R25、电阻R26、电阻R27、电阻R28、电阻R29、电阻R30、电阻R31、电阻R32、电阻R33、电阻R34、电阻R35、电阻R36、电阻R37、电阻R38、电阻R39、电阻R40、电阻R41、电阻R42、电阻R43、电阻R44、电阻R45、电阻46、接地电阻R47、电阻R48、电阻R49、接地电阻R50、电阻R51、电阻R52、电阻R60、电阻R61、电容C17、电容C18、电容C19、电容C20、接地电容C21、接地电容C22、接地电容C23、接地电容C24、接地电容C25、接地电容C26、接地电容C27、接地电容C28、接地电容C29、接地电容C30、接地电容C31、接地电容C32、接地电容C33、接地电容C34、接地电容C35、接地电容C36、电容C37、接地电容C38、电容C39、电感L7、电感L8、微带线TL7、微带线TL8、微带线TL9、微带线TL10、微带线TL11、微带线TL12、微带线TL13、微带线TL14、微带线TL15、晶体管M13、晶体管M14、晶体管M15、晶体管M16、晶体管M17、晶体管M18、晶体管M19、晶体管M20、晶体管M21和晶体管M22；所述电容C39的一端作为超宽带发射放大网络的输入端，其另一端和微带线TL7的一端连接；所述微带线TL7的另一端分别与电阻R19的一端、电容C17的一端和微带线TL8的一端连接；所述微带线TL8的另一端分别与电阻R20的一端、电容C18的一端和微带线TL9的一端连接；所述微带线TL9的另一端分别与电阻R21的一端、电容C19的一端和微带线TL10的一端连接；所述微带线TL10的另一端分别与电阻R22的一端、电容C20的一端和微带线TL11的一端连接；所述微带线TL11的另一端和电阻R49的一端连接；所述电阻R49的另一端和接地电容C21连接；所述晶体管M21的栅极分别与晶体管M21的漏极、电阻R45的一端、电阻R46的一端和接地电容C34连接，其源极和接地电阻R47连接；所述晶体管M13的栅极分别与电阻R19的另一端、电阻R23的一端、电阻R46的另一端和电容C17的另一端连接，其源极接地，其漏极和晶体管M17的源极连接；所述晶体管M17的栅极分别与电阻R30的一端、电阻R34的一端和电阻R44的一端连接，其漏极分别与电阻R40的一端、电感L8的一端和微带线TL12的一端连接；所述电阻R30的另一端和接地电容C25连接；所述晶体管M22的栅极分别与晶体管M22的
漏极、电阻R51的一端、电阻R52的一端和接地电容C38连接，其源极和接地电阻R50连接；所述电阻R52的另一端分别与电阻R42的一端、电阻R45的另一端、电阻R48的一端、接地电容C36、电感L7的一端和漏电压VDT连接；所述电阻R48的另一端和接地电容C35连接；所述电感L7的另一端分别与电阻R41的一端和电感L8的另一端连接；所述电阻R41的另一端和接地电容C33连接；所述电阻R40的另一端和接地电容C32连接；所述电阻R42的另一端分别与接地电阻R43和电阻R44的另一端连接；所述晶体管M18的栅极分别与电阻R31的一端、电阻R35的一端、电阻R36的一端和接地电容C29连接，其源极和晶体管M14的漏极连接，其漏极分别与微带线TL12的另一端和微带线TL13的一端连接；所述电阻R31的另一端和接地电容C26连接；所述电阻R34的另一端和电阻R35的另一端连接；所述电阻R23的另一端和电阻R27的一端连接；所述晶体管M14的栅极分别与电阻R20的另一端、电阻R25的一端、电阻R27的另一端、电容C18的另一端和接地电容C22连接，其源极接地；所述电阻R25的另一端和电阻R26的一端连接；所述电阻R36的另一端和电阻R37的一端连接； 所述晶体管M19的栅极分别与电阻R32的一端、电...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖学介，王测天，刘莹，童伟，邬海峰，羊洪轮，叶珍，黄梦，蒋文兵，黄敏，叶倩，石君，卢娜，姚乃文，
申请(专利权)人：成都嘉纳海威科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：