含有并环烷基的化合物和使用该化合物的有机发光器件制造技术

本发明专利技术公开了含有并环烷基的化合物和使用该化合物的有机发光器件，其具有化学式1所示的结构，A选自为取代或未取代的苯并环烷基，B、C和Ar独立选自取代或未取代的C6

【技术实现步骤摘要】
含有并环烷基的化合物和使用该化合物的有机发光器件


[0001]本专利技术属于有机材料领域，具体涉及含有并环烷基的化合物和使用该化合物的有机发光器件。

技术介绍

[0002]有机电激发光二极管(OLED)具有薄型且能在低驱动电压下高亮度发光以及能通过选择发光材料进行多色发光的特征，因此倍受关注。该研究自从由柯达公司的C.W.Tang等揭示有机薄膜元件能以高亮度发光以来，大量OLED行业研究人员对于其应用进行很多研究。有机薄膜发光器件被广泛应用在各种主显示屏中，其实用化取得长足进展。尽管有机电致发光的研究进展非常迅速，但仍有很多亟待解决的问题，例如发光的高效利用及减少发光损耗是一个很大课题。
[0003]根据OLED器件的出光方式，可以分为底发射有机发光器件和顶发射有机发光器件。最初的OLED器件均是底发射型器件，器件结构从上至下依次是：不透明的金属阴极/有机功能层/透明阳极，光线从阳极出射，因而称为底发射。顶发射OLED器件光从器件顶部射出，由于不受基板是否透光的影响，可有效提高显示面板的开口率，拓展了基板上TFT电路的设计，丰富了电极材料的选择，有利于器件与TFT电路的集成。如果器件是以底发射形式出光，光经过基板时会被基板上的TF和金属配线阻挡，从而影响实际的发光面积。如果光线是从器件上方出射，采用顶发射器件结构，那么基板的线路设计不会影响器件的出光面积，相同亮度下OLED的工作电压更低，可以获得更长的使用寿命。因此，顶发射器件是小像素、高PPI的小屏如手机等主动显示的首选。
[0004]现有技术中，为提高顶发射有机发光元件的出光效率采用的方法有：在使发光层的光透过的上部半透明金属电极上形成有机覆盖层，以此调节光学干涉距离，抑制外光反射和由表面等离子体能量移动引起的消光等(参见专利文献WO2001/039554、CN105849113A、JP2007
‑
103303、CN109535125A、CN103579521A等)，通过使用具有高折射率的特定结构的芳香胺衍生物或使用符合特定参数要求的材料作为有机覆盖层材料来改善光取出效率和色纯度，但尚未解决兼顾发光效率和色纯度的问题，特别是在制备蓝光发光元件的情况，并且芳香胺类衍生物还存在蒸镀温度高导致能耗高的问题。另外，化合物在有机溶剂中的溶解度太小，导致清洗较为困难，制约其在工业上的应用。

技术实现思路

[0005]如前所述，本专利技术提供一种含有并环烷基的化合物，其具有优异色纯度、高亮度和高发光效率，可作为覆盖层材料用于有机发光器件，以此提高器件的光取出效率和色纯度。另外，本专利技术提供的化合物在溶剂中有较好的溶解性，并且真空蒸镀温度较低，适合工业应用。
[0006]本专利技术一方面提供一种含有并环烷基的化合物，其具有化学式1所示的结构：
[0007][0008]在化学式1中，A选自以下基团：
[0009][0010]B、C和Ar各自独立选自取代或未取代的C6
‑
C30芳基、取代或未取代的C5
‑
C30杂芳基，且B和C至少一个选自如下基团：
[0011]L1‑
L3各自独立选自单键、取代或未取代的C6
‑
C30亚芳基或取代或未取代的C5
‑
C30亚杂芳基；
[0012]Y1‑
Y3和Z1‑
Z9各自独立选自C(R1R2)、N
‑
R3、O或S；
[0013]X1‑
X3各自独立选自N
‑
R4或C(R5R6)；
[0014]其中，R1‑
R6相同或不相同，各自独立选自氢、氘、氰基、取代或未取代的C1
‑
C60烷基、取代或未取代的C3
‑
C60环烷基、取代或未取代的C1
‑
C60杂烷基、取代或未取代的C3
‑
C60杂环烷基、取代或未取代的C6
‑
C60芳基、取代或未取代的C5
‑
C60杂芳基，或与相邻原子键合成环；
[0015]*表示连接位置。
[0016]本专利技术另一方面提供如本专利技术前述含有并环烷基的化合物在有机光电器件中的应用。
[0017]本专利技术另一方面提供一种有机光电器件，其包括第一电极、第二电极和有机层，其中所述有机层为空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子注入层或电子传输层中的至少一层；还包括覆盖层，且所述覆盖层的材料包含本专利技术前述含有并环烷基的化合物的一种或多种。
[0018]本专利技术另一方面提供一种显示或照明装置，包括如本专利技术前述有机光电器件。
[0019]与现有技术相比，本专利技术的有益效果在于：
[0020]1、本专利技术中含有并环烷基的化合物因其含有并环烷结构，使分子间的堆积变得较为松散，从而降低蒸镀时的温度，而且并环烷基的引入使之在常用的有机溶剂中溶解性得
以提升，更加利于工业应用。
[0021]2、本专利技术中含有并环烷基的化合物是一种具有优异色纯度、高亮度和高发光效率的可溶性有机化合物，其作为覆盖层材料用于有机发光器件具有较高的折射率，能较大地提升器件的出光效率，具有热稳定性好、发光效率高和使用寿命长等优点。
具体实施方式
[0022]下面通过实施例和对比例进一步说明本专利技术，这些实施例只是用于说明本专利技术，本专利技术不限于以下实施例。凡是对本专利技术技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本专利技术技术方案的范围，均应涵盖在本专利技术的保护范围内。
[0023]本专利技术提供一种含有并环烷基的化合物，其具有化学式1所示的结构：
[0024][0025]在化学式1中，A选自以下基团：
[0026][0027]B、C和Ar各自独立选自取代或未取代的C6
‑
C30芳基、取代或未取代的C5
‑
C30杂芳基，且B和C至少一个选自如下基团：
[0028]L1‑
L3各自独立选自单键、取代或未取代的C6
‑
C30亚芳基或取代或未取代的C5
‑
C30亚杂芳基；
[0029]Y1‑
Y3和Z1‑
Z9各自独立选自C(R1R2)、N
‑
R3、O或S；
[0030]X1‑
X3各自独立选自N
‑
R4或C(R5R6)；
[0031]其中，R1‑
R6相同或不相同，各自独立选自氢、氘、氰基、取代或未取代的C1
‑
C60烷基、取代或未取代的C3
‑
C60环烷基、取代或未取代的C1
‑
C60杂烷基、取代或未取代的C3
‑
C60杂环烷基、取代或未取代的C6
‑
C60芳基、取代或未取代的C5
‑
C60杂芳基，或与相邻原子键合成环；
[0032]*表示连接位置。
[0033]本专利技术中的取代基描述如下，但不限于此：...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.含有并环烷基的化合物，其具有化学式1所示的结构：在化学式1中，A选自以下基团：B、C和Ar各自独立选自取代或未取代的C6
‑
C30芳基、取代或未取代的C5
‑
C30杂芳基，且B和C至少一个选自如下基团：L1‑
L3各自独立选自单键、取代或未取代的C6
‑
C30亚芳基或取代或未取代的C5
‑
C30亚杂芳基；Y1‑
Y3、Z1‑
Z9各自独立选自C(R1R2)、N
‑
R3、O或S；X1‑
X3各自独立选自N
‑
R4或C(R5R6)；R1‑
R6相同或不相同，各自独立选自氢、氘、氰基、取代或未取代的C1
‑
C60烷基、取代或未取代的C3
‑
C60环烷基、取代或未取代的C1
‑
C60杂烷基、取代或未取代的C3
‑
C60杂环烷基、取代或未取代的C6
‑
C60芳基、取代或未取代的C5
‑
C60杂芳基，或与相邻原子键合成环；*表示连接位置；其中，“取代或未取代的”的“取代的”表示选自以下一个或多个取代基取代：氘、卤素、腈基、硝基、羟基、羰基、酯基、酰亚胺基、胺基、氧化膦基、烷氧基、芳氧基...

【专利技术属性】
技术研发人员：王鹏，王湘成，何睦，
申请(专利权)人：上海钥熠电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：