集成缝隙波导光学相位调制器制造技术

技术编号:37145163 阅读:32 留言:0更新日期:2023-04-06 21:56
一种用于调制光波的装置,包括:缝隙波导结构,其包括:被掺杂以包括具有第一导电类型的区域的第一较高折射率结构,被掺杂以包括具有第一导电类型的区域的第二较高折射率结构,以及第一和第二较高折射率结构之间的一个或多个缝隙区域。该一个或多个缝隙区域具有比第一和第二较高折射率结构更低的折射率。该装置包括第一支撑结构,使第一较高折射率结构能够移动以改变一个或多个缝隙区域中的至少一个的尺寸。第一支撑结构被掺杂以包括具有不同于第一导电类型的第二导电类型的区域。该装置包括第二支撑结构,使第二较高折射率结构能够移动以改变一个或多个缝隙区域中的至少一个的尺寸。第二支撑结构被掺杂以包括具有第二导电类型的区域。类型的区域。类型的区域。

【技术实现步骤摘要】
集成缝隙波导光学相位调制器


[0001]本公开涉及一种集成缝隙(slot)波导光学相位调制器。

技术介绍

[0002]光学相位调制器是一种能够改变通过调制器传播的光学信号的相位的设备。例如,光学相位调制器被配置成通过改变波导内材料(例如波导的芯)的折射率来改变在波导中传播的本征模式(eigenmode)的相位。光学相位调制器可用于其他设备内,例如在马赫

曾德尔干涉仪的一个或两个臂中使用光学相位调制器的光学幅度调制器。

技术实现思路

[0003]在总体方面,提供了一种用于调制光波的装置。该装置包括:缝隙波导结构,其包括:被掺杂以包括具有第一导电类型的区域的第一较高折射率结构,被掺杂以包括具有第一导电类型的区域的第二较高折射率结构,以及第一较高折射率结构和第二较高折射率结构之间的一个或多个缝隙区域,缝隙区域基本上由具有比第一较高折射率结构和第二较高折射率结构更低的折射率的气体、液体或粘性材料组成。该装置包括:第一支撑结构,其被配置为使第一较高折射率结构能够移动以改变一个或多个缝隙区域中的至少一个的尺寸,其中第一支本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于调制光波的装置,所述装置包括:缝隙波导结构,其包括:被掺杂以包括具有第一导电类型的区域的第一较高折射率结构,被掺杂以包括具有所述第一导电类型的区域的第二较高折射率结构,以及所述第一较高折射率结构和所述第二较高折射率结构之间的一个或多个缝隙区域,所述缝隙区域基本上由具有比所述第一较高折射率结构和所述第二较高折射率结构更低的折射率的气体、液体或粘性材料组成;第一支撑结构,其被配置为使所述第一较高折射率结构能够移动以改变所述一个或多个缝隙区域中的至少一个的尺寸,其中所述第一支撑结构被掺杂以包括具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的区域;以及第二支撑结构,其被配置为使所述第二较高折射率结构能够移动以改变所述一个或多个缝隙区域中的至少一个的尺寸,其中所述第二支撑结构被掺杂以包括具有所述第二导电类型的区域。2.根据权利要求1所述的装置,其中所述缝隙波导结构包括多缝隙波导结构,其中一个或多个缝隙区域包括两个或更多个缝隙区域。3.根据权利要求2所述的装置,其中所述缝隙波导结构还包括:在所述第一较高折射率结构和所述第二较高折射率结构之间的第三较高折射率结构。4.根据权利要求3所述的装置,其中:所述第一支撑结构被配置成使得所述第一较高折射率结构能够移动以改变所述第一较高折射率结构和所述第三较高折射率结构之间的缝隙区域的尺寸;以及所述第二支撑结构被配置成使得所述第二较高折射率结构能够移动以改变所述第二较高折射率结构和所述第三较高折射率结构之间的缝隙区域的尺寸。5.根据权利要求1所述的装置,还包括:输入耦合结构,其被配置为接收所述光波并提供所述光波的空间模式和所述缝隙波导结构的本征模式之间的耦合;以及输出耦合结构,其被配置为在所述缝隙波导结构的所述本征模式和调制光波的空间模式之间提供耦合,所述调制光波已经在所述光波传播通过所述缝隙波导结构期间至少部分地基于所述一个或多个缝隙区域中的至少一个的尺寸变化而被调制。6.根据权利要求1所述的装置,其中所述第一较高折射率结构的所述掺杂区域和所述第二较高折射率结构的所述掺杂区域具有基本相等的掺杂浓度。7.根据权利要求6所述的装置,其中所述第一支撑结构的所述掺杂区域和所述第二支撑结构的所述掺杂区域具有基本相等的掺杂浓度。8.根据权利要求1所述的装置,其中所述第一支撑结构的所述掺杂区域电耦合到第一电极,所述第二支撑结构的所述掺杂区域电耦合到第二电极。9.根据权利要求8所述的装置,还包括电压源,其被配置为在所述第一电极和所述第二电极之间提供电压,以引起改变所述一个或多个缝隙区域中的至少一个的尺寸的移动。10.根据权利要求1所述的装置,其中所述缝隙波导结构包括干涉结构的臂的一部分。11.根据权利要求1至10中任一项所述的装置,包括干涉结构,其中所述缝隙波导结构是所述干涉结构的臂的一部分。
12.根据权利要求11所述的装置,其中所述缝隙波导结构被配置为调制在所述干涉结构的所述臂中传播的光波的相位。13.根据权利要求12所述的装置,其中所述干涉结构被配置为调制在所述干涉结构中传播的光波的幅度。14.根据权利要求11所述的装置,其中所述干涉结构包括马赫

曾德尔干涉仪。15.根据权利要求1至10中任一项所述的装置,其中所述第一较高折射率结构和所述第一支撑结构形成集成的结构,和/或所述第一支撑结构和所述第二支撑结构形成集成的结构。16.根据权利要求15所述的装置,其中所述第二较高折射率结构和所述第二支撑结构形成集成的结构。17.根据权利要求16所述的装置,其中所述第一较高折射率结构、所述第二较高折射率结构、所述第一支撑结构和所述第二支撑结构形成集成的结构。18.根据权利要求1至10中任一项所述的装置,其中,第一支撑结构被配置为支撑所述第一较高折射率结构,以及第二支撑结构被配置为支撑所述第二较高折射率结构。19.一种装置,包括:缝隙波导结构,其包括:两个或更多个较高折射率结构,每个较高折射率结构被掺杂以包括具有第一导电类型的区域,以及所述两个或更多个较高折射率结构之间的一个或多个缝隙区域,与所述两个或更多个较高折射率结构的折射率相比,所述一个或多个缝隙区域具有更低的折射率;以及支撑结构,其被配置为支撑对应的较高折射率结构并使所述对应的较高折射率结构能够移动以改变所述一个或多个缝隙区域中的至少一个的尺寸,其中每个支撑结构被掺杂以具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型。20.根据权利要求19所述的装置,包括电极,所述电极被配置为使得能够跨被掺杂以具有第一导电类型的所述高折射率结构中的区域和被掺杂以具有所述第二导电类型的对应的支撑结构中的区域来施加电压。21.一种系统,包括:处理器单元,其包括:配置为提供多个光输出的光源;耦合到所述光源和第一单元的多个光学调制器,所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:苏湛孟怀宇沈亦晨
申请(专利权)人:上海曦智科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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