适用于水下环境的强磁场多层复合屏蔽筒体及其制造方法技术

技术编号:37143449 阅读:29 留言:0更新日期:2023-04-06 21:52
本发明专利技术提供了一种适用于水下环境的强磁场多层复合屏蔽筒体及其制造方法,包括多层复合筒体,多层复合筒体包括由内至外依次设置的筒体基材层、高磁导率层、高饱和磁通密度层、高导电层以及防护层;筒体基材层上设置有基材层安装槽,高磁导率层、高饱和磁通密度层以及高导电层均设置在基材层安装槽内,且任一相邻两层之间均通过环氧胶粘接连接。本发明专利技术充分利用各层屏蔽材料在磁场屏蔽中的优势,有助于保护对抗设备内部敏感电路及器件不受外部磁场的干扰,通过在最外层设置防护层,有助于耐水压、耐腐蚀,从而满足水下对抗设备的耐腐蚀性要求。本发明专利技术制造方法简单,对制造设备要求低,有助于降低成本,有助于更换层材料,从而有助于延长使用寿命。延长使用寿命。延长使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
适用于水下环境的强磁场多层复合屏蔽筒体及其制造方法


[0001]本专利技术涉及水下装备的强磁场防护
,具体地,涉及一种适用于水下环境的强磁场多层复合屏蔽筒体及其制造方法。

技术介绍

[0002]电磁弹射技术因其具有响应时间快、噪声低、动力范围大等特点,而被广泛应用于水下对抗装备的发射中。电磁弹射装置所辐射脉冲强磁场具有强度大、上升沿时间短、频率低等特点。传统铝合金圆柱筒体无法满足上述特征磁场的防护需求,需要研制具备强磁场屏蔽、耐高水压、耐海水腐蚀的新型水下装备壳体。
[0003]当前实现低频强磁场屏蔽的技术手段,主要包括采用高导磁性材料、导电材料以及绝缘垫等不同特性的材料进行组合。
[0004]现有公开号为CN103472271B的中国专利,其公开了一种低频波段磁屏蔽筒,该设备包括:磁屏蔽筒(1)、筒帽(10)和筒支架(16);所述的磁屏蔽筒(1),包括外层铝屏蔽筒(2)和多层玻莫合金内层屏蔽筒(3),其特征在于,还包括铁质屏蔽筒(25),滑动摇架系统(4)和筒外的移动指示器(15),所述的筒帽(10)对应地由外而内包括最本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种适用于水下环境的强磁场多层复合屏蔽筒体,其特征在于,包括多层复合筒体(1),所述多层复合筒体(1)包括由内至外依次设置的筒体基材层(15)、高磁导率层(14)、高饱和磁通密度层(13)、高导电层(12)以及防护层(11);所述筒体基材层(15)上设置有基材层安装槽,所述高磁导率层(14)、所述高饱和磁通密度层(13)以及所述高导电层(12)均设置在所述基材层安装槽内,且任一相邻两层之间均通过环氧胶(16)粘接连接。2.如权利要求1所述的适用于水下环境的强磁场多层复合屏蔽筒体,其特征在于,所述筒体基材层(15)包括具有导电性能的铝合金、镁合金、钛合金或不锈钢。3.如权利要求1所述的适用于水下环境的强磁场多层复合屏蔽筒体,其特征在于,所述筒体基材层(15)两端均设置有安装接口和密封槽。4.如权利要求1所述的适用于水下环境的强磁场多层复合屏蔽筒体,其特征在于,所述高磁导率层(14)包括具有高磁导率的导磁材料,所述高磁导率层(14)包括坡莫合金板;所述高磁导率层(14)的厚度包括0.2mm~0.5mm。5.如权利要求1所述的适用于水下环境的强磁场多层复合屏蔽筒体,其特征在于,所述高饱和磁通密度层(13)包括具有高饱和磁通密度的导磁材料,所述高饱和磁通密度层(13)包括低碳钢1008;所述高饱和磁通密度层(13)的厚度包括0.5mm~1mm。6.如权利要求1所述的适用于水下环境的强磁场多层复合屏蔽筒体,其特征在于,所述高导电层(12)包括具有高导电率的材料,所述高导电层(12)包括铜板或铜网;所述高导电层(12)的厚度包括0.2mm~0.5mm。7.如权利要求1所述的适用于水下环境的强磁场多层复合屏蔽筒体,其特征在于,所述防护层(11)包括复合材料,所述复合材料包括基体材料和增强材料,所述基体材料包括树脂,所述增强材料包括玻璃纤维或碳纤维;所述防护层(11)的厚度包括1mm~1.5mm。8.一种适用于水下环境的强磁场多层复合屏蔽筒体的制造方法,采用权利要求1

【专利技术属性】
技术研发人员:苏卫军罗先培黄坤
申请(专利权)人:上海船舶电子设备研究所中国船舶集团有限公司第七二六研究所
类型:发明
国别省市:

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