加热组件及其制备方法和烹饪器具技术

本发明专利技术提供了加热组件及其制备方法和烹饪器具，该加热组件包括：基体；发热层，所述发热层设在所述基体的一个表面上；以及封装层，所述封装层设在所述发热层远离所述基体的一侧；定义所述基体的热膨胀系数为A1，所述发热层的热膨胀系数为A2，所述封装层的热膨胀系数为A3，其中，A1、A2和A3满足：|A1

【技术实现步骤摘要】
加热组件及其制备方法和烹饪器具


[0001]本专利技术涉及膜加热
，具体涉及加热组件及其制备方法和烹饪器具。

技术介绍

[0002]膜发热的发热体是一种面状电阻，应用于烹饪器具中可以实现均匀的加热效果，获得更好的烹饪效果。但是，电阻材料在高温下会出现电阻变化的现象，如何确保膜发热实现高温条件下长期稳定工作是亟待解决的问题。

技术实现思路

[0003]本专利技术旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本专利技术的一个目的在于提出一种能够在高温下长期稳定工作的加热组件和烹饪器具。
[0004]在本专利技术的一方面，本专利技术提出了一种加热组件，所述加热组件包括：基体；发热层，所述发热层设在所述基体的一个表面上；以及封装层，所述封装层设在所述发热层远离所述基体的一侧；定义所述基体的热膨胀系数为A1，所述发热层的热膨胀系数为A2，所述封装层的热膨胀系数为A3，其中，A1、A2和A3满足：
[0005]|A1
‑
A2|
÷
[(A1+A2)
>÷
2]×本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种加热组件，其特征在于，包括：基体；发热层，所述发热层设在所述基体的一个表面上；以及封装层，所述封装层设在所述发热层远离所述基体的一侧；定义所述基体的热膨胀系数为A1，所述发热层的热膨胀系数为A2，所述封装层的热膨胀系数为A3，其中，A1、A2和A3满足：|A1
‑
A2|
÷
[(A1+A2)
÷
2]
×
100％≤60％；|A2
‑
A3|
÷
[(A2+A3)
÷
2]
×
100％≤60％。2.根据权利要求1所述的加热组件，其特征在于，在0℃～300℃的温度范围内，所述基体的热膨胀系数为20
×
10
‑7/℃～200
×
10
‑7/℃，所述发热层的热膨胀系数为20
×
10
‑7/℃～180
×
10
‑7/℃，所述封装层的热膨胀系数为20
×
10
‑7/℃～150
×
10
‑7/℃。3.根据权利要求1所述的加热组件，其特征在于，|A2
‑
A3|大于等于|A1
‑
A2|。4.根据权利要求1所述的加热组件，其特征在于，在0℃～300℃的温度范围内，所述封装层的热膨胀系数小于等于所述发热层的热膨胀系数，和/或在0℃～300℃的温度范围内，所述发热层的热膨胀系数小于等于所述基体的热膨胀系数。5.根据权利要求1所述的加热组件，其特征在于，所述封装层包括氧化硅、氧化硼和氧化钠，且所述封装层中氧化硼的质量分数大于氧化钠的质量分数。6.根据权利要求5所述的加热组件，其特征在于，所述封装层中进一步包括氧化锌、氧化铝、氧化钾、氧化钡以及不可避免的杂质，并且，基于所述封装层的总质量，按照质量百分数计，所述封装层中，氧化硅的质量分数为15％～50％，氧化硼的质量分数为5％～31％，氧化钠的质量分数为5％～15％，氧化锌的质量分数为2％～15％，氧化铝的质量分数为1％～10.5％，氧化钾的质量分数为1％～10％，氧化钡的质量分数为1％～10％，杂质的质量分数不超过3％。7.根据权利要求6所述的加热组件，其特征在于，基于所述封装层的总质量，按照质量百分数计，所述封装层中，氧化硅的质量分数为23.5％～40％，氧化硼的质量分数为10％～25％，氧化钠的质量分数为8％～14％，氧化锌的质量分数为4％～14％，氧化铝的质量分数为2％～8％，氧化钾的质量分数为2％～8％，氧化钡的质量分数为2％～8％，杂质的质量分数不超过3％。8.根据权利要求1～7中任一项...

【专利技术属性】
技术研发人员：程炳坤，杨卫星，曹达华，许智波，
申请(专利权)人：佛山市顺德区美的电热电器制造有限公司，
类型：发明
国别省市：