一种高温半导体催化剂及其应用制造技术

本发明专利技术公开了一种高温半导体催化剂，可在高温下保持优良光还原CO2性能。该种催化剂主要目的是针对光热催化过程中需要能够耐受高温的半导体催化剂，解决经典光催化剂稳定性受到温度限制的问题的同时，更有效地提高了二氧化碳转化效率及太阳能的利用率，能够将二氧化碳转化为更多的高价值的烷烃类产物，具有较强的实际应用前景。的实际应用前景。

【技术实现步骤摘要】
一种高温半导体催化剂及其应用


[0001]本专利技术属于光催化还原CO2
，具体涉及一种高温半导体催化剂，及其在光催化还原CO2
中的应用。

技术介绍

[0002]随着经济社会的发展，人们对能源的需求与日俱增。作为主要能源的化石能源与矿石能源带来了不可避免的环境问题，同时造成了能源危机。化石燃料燃烧排放的CO2打破了自然界的碳循环平衡，导致大气中CO2浓度持续增加，温室效应对人类生活的影响越来越突出。
[0003]开发新的能源是解决能源危机的关键之一。太阳能作为诸多能源之一，其庞大的能源储量一直被普遍认为是拯救人类免受即将到来的能源短缺以及使用化石燃料造成的环境问题的解决方法之一，光催化技术的探索对于能源行业有着非常重大的意义。
[0004]上个世纪末期就已经有了光催化技术的探索，1972年日本学者本多
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藤岛发现光催化技术可以用于分解水制氢，从此光催化技术引起了很多研究者的关注。现如今，利用太阳光这种丰富、清洁的可再生能源，以温室气体的主要成分CO2作为碳源，将CO2还原为高附加值产物，既能变废为本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高温半导体催化剂，其特征在于所述高温半导体催化剂按如下方法制备：将Si3N4置于氙灯光源聚光下的焦点位置，第一次照射下将过渡金属盐的水溶液喷涂至所述Si3N4的表面，得到喷涂后的Si3N4；将所述喷涂后的Si3N4超声20
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40min后，继续置于氙灯光源聚光下的焦点位置，第二次照射10
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20min，于马弗炉中300
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500℃焙烧1
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3h，得到所述高温半导体催化剂；所述过渡金属盐的水溶液所含过渡金属盐为硝酸盐，所述过渡金属盐的水溶液所含过渡金属的理论质量为所述过渡金属盐的水溶液所含过渡金属理论质量和Si3N4的质量总和的0.2％
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0.5％。2.如权利要求1所述的高温半导体催化剂，其特征在于：所述Si3N4为β相Si3N4，粒径为1～3μm。3.如权利要求1或2所述的高温半导体催化剂，其特征在于：所述Si3N4还经过了如下预处理：于500℃，氮气气氛下焙烧2h。4.如权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：张泽凯，严威，章鼎，崔国凯，卢晗锋，
申请(专利权)人：浙江工业大学，
类型：发明
国别省市：