一种CuCrO2/GaON异质结日盲紫外探测器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种CuCrO2/GaON异质结构的日盲紫外探测器及其制备方法，所述探测器依次包括石英衬底，位于石英衬底上方的GaON薄膜，并对其进行原位等离子体处理；位于GaON薄膜上方的CuCrO2层；位于GaON薄膜上方的第一测试电极以及位于CuCrO2层的上方的第二测试电极；其中GaON薄膜与CuCrO2层，形成CuCrO2/GaON异质结，构成内界电场，以分离光生载流子。所制备的CuCrO2/GaON异质结构的日盲紫外探测器性能稳定，灵敏度高，响应速度快，可实现对波长小于280nm的日盲紫外光的有效探测。280nm的日盲紫外光的有效探测。280nm的日盲紫外光的有效探测。

【技术实现步骤摘要】
一种CuCrO2/GaON异质结日盲紫外探测器及其制备方法


[0001]本专利技术涉及一种CuCrO2/GaON异质结日盲紫外探测器及其制备方法，属于光电探测


技术介绍

[0002]日盲紫外光通常是指波段为200
‑
280nm的电磁辐射。由于臭氧层对日盲紫外波段的强烈吸收,到达近地表的该波段紫外光很微弱,为日盲紫外信号的检测提供了天然的低背景窗口。日盲紫外探测器是指对日盲紫外波段有明显光响应的紫外探测器。日盲紫外探测器具有高的信噪比和低的误报率,且在检测微弱信号方面具有显著优势。近年来，日盲探测器因在民用及军事领域均具有重大应用价值而备受关注。紫外探测器在空间通讯、军事导弹预警、臭氧层监测、非视距保密光通信、高压电检测、火焰探测及生化检测等方面都具有广泛的应用前景。
[0003]GaON是一种新兴的超宽禁带半导体材料，由于其优异的物理特性，被视为制作日盲紫外光探测器的理想材料。基于光伏效应的自供电型探测器可以在无外加电源时工作且展现出优异的光探测性能，可以满足现代社会的需求，展现出巨大的应用潜力，已成为研究热本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种CuCrO2/GaON异质结构的日盲紫外探测器，其特征在于，该探测器包括石英衬底(1)、GaON薄膜(2)、CuCrO2层(3)、第一测试电极(4)、第二测试电极(5)。2.根据权利要求1所述的一种CuCrO2/GaON异质结构的日盲紫外探测器，其特征在于，包括石英衬底(1)，位于所述衬底(1)上方的GaON薄膜(2)，所述GaON薄膜(2)上方的CuCrO2层(3)，位于所述CuCrO2层(3)上的第一测试电极(4)，位于所述GaON薄膜(2)一侧且位于上方的第二测试电极(5)，所述GaON薄膜(2)与所述CuCrO2层(3)形成CuCrO2/GaON异质结，构成内界电场。3.根据权利要求1或2所述的一种CuCrO2/GaON异质结构的日盲紫外探测器及其制备方法，其特征在于,具体制备步骤为：步骤一：将石英衬底(1)进行预处理，依次用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗15～30min，清洗后用高纯氮气进行干燥。将处理后的所述石英衬底(1)放入沉积室内采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)生长GaON薄膜(2)。步骤二：所述CuCrO2层(3)通过水热法进行合成，并通过旋涂法使其均匀分布在GaON薄膜(2)上方，获得所述石英衬底(1)上的CuCrO2/GaON异质结。步骤三：采用磁控溅射法在所述CuCrO2层(3)上方蒸镀第一测试电极(4)，在所述GaON薄膜(2)上方蒸镀第二测试电极(5)。4.根据权利要求3所述的一种CuCrO2/GaON异质结构的日盲紫外探测器及其制备方法，其特征在于，所述GaON薄膜(2)通过PECVD的生长沉积，以高纯金属镓(99.999％)和高纯O2(99.999％)为前驱体，高纯Ar(99.999％)作为载气。5.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡海争，朱羽晨，王宇超，吴超，王顺利，郭道友，
申请(专利权)人：浙江理工大学常山研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：