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本发明公开了一种CuCrO2/GaON异质结构的日盲紫外探测器及其制备方法，所述探测器依次包括石英衬底，位于石英衬底上方的GaON薄膜，并对其进行原位等离子体处理；位于GaON薄膜上方的CuCrO2层；位于GaON薄膜上方的第一测试电极以及...
该专利属于浙江理工大学常山研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江理工大学常山研究院有限公司授权不得商用。

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