一种单粒子瞬态模拟方法技术

本发明专利技术提出了一种单粒子瞬态模拟方法，包括：获取预设的粒子入射的径向参数、粒子入射深度、轨道路径系数、时间参数和电子

【技术实现步骤摘要】
一种单粒子瞬态模拟方法


[0001]本专利技术涉及半导体器件单粒子仿真领域，具体而言，涉及一种单粒子瞬态模拟方法。

技术介绍

[0002]随着空间技术的不断进步，越来越多半导体器件和设备工作出现在各类辐射环境中，常见的辐射环境包括空间辐射、空中辐射以及人为辐射等，依据电子元器件所受辐射损伤的机理和性能退化规律，常见的辐照效应是单个高能粒子入射到半导体器件后，由于电离能量沉积的作用，在器件敏感区中诱发大量电子空穴对，在电子空穴对被电场收集后形成脉冲电流，从而导致器件工作状态发生改变的一种现象。
[0003]然而，目前技术中，难以判断器件受到单粒子效应时的电学性能变化，以此半导体器件往往会因辐射环境受到致命损伤以及性能退化。

技术实现思路

[0004]本专利技术要解决的问题是如何判断器件受到单粒子效应的电学性能变化。
[0005]为解决上述问题，本专利技术提供一种单粒子瞬态模拟方法，包括以下步骤：
[0006]获取预设的粒子入射的径向参数、粒子入射深度、轨道路径系数、时间参数和电子
>‑
空穴对本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种单粒子瞬态模拟方法，其特征在于，包括：获取预设的粒子入射的径向参数、粒子入射深度、轨道路径系数、时间参数和电子
‑
空穴对密度；根据所述时间参数确定粒子的电荷产生时间，根据所述粒子入射深度和所述轨道路径系数确定粒子在轨道路径上的变化情况；根据所述径向参数、所述电荷产生时间、所述变化情况、所述电子
‑
空穴对密度和预设电子
‑
空穴对生成率模型模拟电子
‑
空穴对生成率。2.根据权利要求1所述的单粒子瞬态模拟方法，其特征在于，所述时间参数包括持续产生电子空穴对时间、粒子入射产生电子空穴对延迟时间和当前时间；所述根据所述时间参数确定粒子的电荷产生时间包括：当所述持续产生电子空穴对时间等于0时，通过所述粒子入射产生电子空穴对延迟时间、所述当前时间和第一电荷产生时间确定公式确定所述电荷产生时间；当所述持续产生电子空穴对时间大于0时，通过所述粒子入射产生电子空穴对延迟时间、所述持续产生电子空穴对时间、所述当前时间和第二电荷产生时间确定公式得到所述电荷产生时间。3.根据权利要求2所述的单粒子瞬态模拟方法，其特征在于，所述第一电荷产生时间确定公式包括：T(t)＝deltafunction(t
‑
t0)；所述第二电荷产生时间确定公式包括：其中，T(t)为所述电荷产生时间，t为所述当前时间，t0为所述粒子入射产生电子空穴对延迟时间，t
c
为所述持续产生电子空穴对时间，π为圆周率。4.根据权利要求1
‑
3任一项所述的单粒子瞬态模拟方法，其特征在于，所述电子
‑
空穴对密度包括第一电子
‑
空穴对密度和第二电子
‑
空穴对密度，所述变化情况包括第一轨道路径变化参数和第二轨道路径变化参数，所述预设电子
‑
空穴对生成率模型包括：G(r，l，t)＝(DENSITY
·
L1(l)+S
·
B.DENSITY
·
L2(l))
·
R(r)
·
T(t)；其中，G(r，l，t)为所述电子
‑
空...

【专利技术属性】
技术研发人员：李兴冀，杨剑群，武磊，刘中利，
申请(专利权)人：哈尔滨工业大学，
类型：发明
国别省市：