有机材料的选择性沉积制造技术

本公开涉及用于制造半导体装置的方法和设备。更具体地，本公开涉及用于在包括至少两个不同表面的基板上选择性沉积有机层的方法和设备。该方法包括在反应室中提供基板、在反应室中提供第一气相前体以及在反应室中提供第二气相前体。在该方法中，第一和第二气相前体相对于第二表面选择性地在第一表面上形成有机材料，并且第一气相前体包含二胺化合物，该二胺化合物包含至少五个碳原子以及连接到不相邻的碳原子上的胺基。不相邻的碳原子上的胺基。不相邻的碳原子上的胺基。

【技术实现步骤摘要】
有机材料的选择性沉积


[0001]本公开涉及用于制造半导体装置的方法和设备。更具体地，本公开涉及用于选择性地在包括至少两个不同表面的基板上沉积有机层的方法和设备。

技术介绍

[0002]半导体装置制造工艺通常使用先进的沉积方法。图案化通常用于在半导体基板上沉积不同的材料。在半导体制造商中越来越受到关注的选择性沉积能够减少常规图案化中所需的步骤，降低加工成本。选择性沉积也可以容许狭窄结构中的提升的缩小尺寸。实现选择性沉积的各种备选方案已经被提出，并且需要额外的改进来扩展选择性沉积在工业规模装置制造中的使用。
[0003]有机聚合物层可以在用于无定形碳膜或层的半导体应用中用作例如开始点。例如，含聚酰亚胺的层的价值在于它们的热稳定性和对机械应力和化学品的抵抗性，并且它们被描述为钝化层，以容许不同材料的选择性沉积。气相沉积工艺，例如化学气相沉积(CVD)、气相沉积聚合(VDP)、分子层沉积(MLD)、以及连续沉积工艺，例如原子层沉积(ALD)和循环CVD可用于沉积有机聚合物层。在这种工艺中，用于沉积材料的前体对沉积层的性质有重要作用。当不同的材本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种通过循环沉积工艺在包括第一表面和第二表面的基板上选择性沉积有机材料的层的方法，该工艺包括:在反应室中提供所述基板；在所述反应室中提供第一气相前体；以及在所述反应室中提供第二气相前体，其中所述第一气相前体和所述第二气相前体相对于所述第二表面选择性地在所述第一表面上形成所述有机材料；其中所述第一气相前体包括二胺化合物，所述二胺化合物包括至少五个碳原子以及连接到不相邻的碳原子的胺基，其中所述第一前体在15
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40℃的温度下为液体。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一前体的蒸气压为1托(Torr)时的温度低于40℃，或低于20℃。3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述第二气相前体包括二酐。4.根据权利要求1
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3中任一项所述的方法，其中所述有机材料包括聚酰亚胺。5.根据权利要求1
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4中任一项所述的方法，其中所述有机材料包括聚酰胺酸。6.根据权利要求1
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5中任一项所述的方法，其中在所述沉积工艺期间，所述基板保持在高于约100℃的温度下。7.根据权利要求1
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6中任一项所述的方法，其中所述第二表面包括无机介电表面。8.根据权利要求1
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7中任一项所述的方法，其中所述第二表面包含硅。9.根据权利要求8所述的方法，其中所述第二表面包括二氧化硅。10.根据权利要求1
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9中任一项所述的方法，其中所述有机材料相对于所述第二表面以约50％以上的选择性沉积在所述第一表面上。11.根据权利要求1
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10中任一项所述的方法，其中所述第一表面包括金属氧化物、元素金属或金属性表面。12.根据权利要求1
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11中任一项所述的方法，其中所述第一表面包含选自由铝、铜、钨、钴、镍、铌、铁、钼、锰、锌、钌和钒组成的组的金属。13.根据权利要求1
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12中任一项所述的方法，其中每个沉积循环还包括在将所述第一气相前体提供到所述反应室中之后，移除过量的所述第一气相前体和反应副产物。14.根据权利要求1
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13中任一项所述的方法，其中每个沉积循环还包括在将所述第二气相前体提供到所述反应室中之后，移除过量的所述第二气相前体和反应副产物。15.根据权利要求1
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14中任一项所述的方法，其中所述二胺化合物是C5至C11化合物。16.根据权利要求1
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15中任一项所述的方法，其中所述二胺化合物中与胺氮(amine nitrogen)键合的碳原子与至少两个碳原子键合。17.根据权利要求1
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16中任一项所述的方法，其中所述二胺选自由1，3
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二氨基戊烷、1，4
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二氨基戊烷、2，4
‑
二氨基戊烷、2，4
‑
二氨基
‑
2，4
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二甲基戊烷、1，5
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二氨基
‑2‑
甲基戊烷、1，3
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二氨基丁烷、1，3
‑
二氨基
‑3‑
甲基丁烷、2，5
‑
二氨基
‑
2，5<...

【专利技术属性】
技术研发人员：E托伊斯，D基亚佩，M图米恩，V马德希瓦拉，C德泽拉，韩镕圭，A钱德拉塞卡兰，邓少任，
申请(专利权)人：ASMIP私人控股有限公司，
类型：发明
国别省市：