【技术实现步骤摘要】
一种显示装置及其制作方法
[0001]本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种显示装置及其制作方法。
技术介绍
[0002]发光二极管(Light Emitting Diode，简称LED)显示技术是指利用LED发光器件直接作为显示单元的显示技术。其中，Mini LED(Mini Light Emitting Diode，简称Mini LED)和Micro LED(Micro Light Emitting Diode，简称Micro LED)是常用的发光器件，Mini LED的尺寸大于Micro LED的尺寸，根据应用场景可选择适合尺寸的发光芯片进行图像显示。
[0003]Mini LED和Micro LED继承了传统发光二极管的高效率、高亮度、高可靠度及反应时间快等特点，并且具自发光无需背光源的特性，更具节能、机构简易、体积小、薄型等优势。目前发光二极管显示装置可以采用无源驱动和有源驱动两种方式，对于有源驱动的显示装置来说，显示装置中设置有薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)作为驱动元...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种显示装置，其特征在于，包括：驱动基板，用于提供驱动信号；发光单元，位于所述驱动基板之上，与所述驱动基板电连接；其中，所述驱动基板包括多个开关晶体管，所述发光单元包括发光芯片和位于所述发光芯片上的驱动晶体管；所述开关晶体管和所述驱动晶体管的类型不同，所述驱动晶体管采用的材料与所述发光芯片相同。2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述发光芯片包括：第一掺杂层，与所述驱动基板相对设置；发光层，位于所述第一掺杂层面向所述驱动基板的一侧；第二掺杂层，位于所述发光层面向所述驱动基板的一侧；绝缘层，覆盖所述第二掺杂层面向所述驱动基板一侧的表面；其中，所述第一掺杂层和所述第二掺杂层的掺杂类型不同；所述第二掺杂层划分为相邻设置的植入区和非植入区，所述驱动晶体管位于所述植入区内。3.如权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述驱动晶体管包括：阻隔层，位于所述第二掺杂层中，所述阻隔层是在所述第二掺杂层进行离子注入形成的；所述阻隔层与所述绝缘层之间相距设定距离；第一沟道，位于所述阻隔层与所述绝缘层之间的所述第二掺杂层中，所述第一沟道是在所述第二掺杂层进行离子注入形成的；所述第一沟道面向所述阻隔层的一侧表面与所述阻隔层相接触，所述第一沟道面向所述绝缘层一侧的表面与所述第二掺杂层面向所述绝缘层一侧的表面齐平；所述第一沟道在所述绝缘层的正投影在所述阻隔层在所述绝缘层的正投影之内；第一栅极，位于所述绝缘层背离所述第一沟道的一侧；所述第一栅极在所述绝缘层的正投影与所述第一沟道在所述绝缘层的正投影存在交叠区域；第一源极，位于所述绝缘层背离所述阻隔层的一侧，所述第一源极位于所述第一沟道背离所述非植入区的一侧，所述第一源极通过所述绝缘层的过孔与所述第二掺杂层接触。4.如权利要求3所述的显示装置，其特征在于，所述阻隔层在所述绝缘层的正投影与所述植入区在所述绝缘层的正投影重合；所述第一沟道沿所述植入区和所述非植入区的交界方向贯穿所述植入区。5.如权利要求3所述的显示装置，其特征在于，所述阻隔层和所述第一沟道的离子注入类型相同，所述阻隔层的离子注入浓度大于所述第一沟道的离子注入浓度。6.如权利要求3所述的显示装置，其特征在于，所述驱动基板还包括：多条扫描信号线，沿第一方向延伸，沿第二方向排列；所述第一方向和所述第二方向交叉；多条数据信号线，沿所述第二方向延伸，沿所述第一方向排列；多条所述扫描信号线和多条所述数据信号线划分出多个子像素单元，所述开关晶体管与所述子像素单元一一对应，所述发光单元与所述子像素单元一一对应；所述开关晶体管包括第二栅极、第二源极和第二漏极；所述二栅极连接对应的所述扫描信号线，所述第二源极连接对应的所述数据信号线，所述第二漏极连接对应的所述发光单元。
7.如权利要求6所述的显示装置，其特征在于，所述驱动基板还包括多条第一电源信号线和多条第二电源信号线...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘晓伟，刘永锋，张廷斌，孙明晓，林昌廷，
申请(专利权)人：海信视像科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。