一种高性能TFT阵列基板制造技术

本实用新型专利技术涉及液晶显示屏技术领域，提供一种高性能TFT阵列基板，包括：玻璃衬底；第一金属层，固定设置在玻璃衬底的上表面，形成栅极；栅绝缘层，固定设置在第一金属层与玻璃衬底的上表面；左有源层，固定设置在栅绝缘层的上表面；右有源层，固定设置在栅绝缘层的上表面；桥接层，左右两端分别跟左有源层与右有源层连接；第二金属层，固定设置在栅绝缘层的上表面，还与左有源层连接，形成源极；第三金属层，固定设置在栅绝缘层的上表面，还与右有源层连接，形成漏极。本实用新型专利技术的优点在于：在不缩短TFT器件的源极漏极距离的前提下，缩短有源层沟道长度，本实用新型专利技术的TFT阵列基板具有反应快、开态电流大、阈值电压小等优势。阈值电压小等优势。阈值电压小等优势。

【技术实现步骤摘要】
一种高性能TFT阵列基板


[0001]本技术涉及液晶显示屏
，具体地涉及一种高性能TFT阵列基板。

技术介绍

[0002]随着人工智能突飞猛进的发展，使得TFT
‑
LCD液晶屏技术也不断提升，高清晰度、快速、低功耗等将成为TFT
‑
LCD液晶屏发展趋势。
[0003]为了实现高性能的显示屏，目前的生产商其中一种制作方法是通过缩短TFT器件的有源层沟道长度来实现TFT器件的小型化，有源层沟道长度的缩短能够实现较大的开态电流，提高器件的反应速度，减小阈值电压等优点。但是实际上有源层沟道长度的设计局限于TFT器件源漏极之间的距离，主要考虑到源极漏极的距离太近会出现短路等风险。经过多年的技术发展，目前的薄膜晶体管(TFT)的源极漏极间距都会选择安全的最小距离，业界一般控制在5～6μm。
[0004]参阅图1，为传统的TFT器件的结构示意图。有源层为半导体，有源层沟道长度指的是源极到漏极之间的半导体长度。
[0005]因此，如何在不缩短TFT器件的源极漏极距离的前提下，缩短有源层沟道长度，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高性能TFT阵列基板，其特征在于，包括：玻璃衬底；第一金属层，固定设置在所述玻璃衬底的上表面，形成栅极；栅绝缘层，固定设置在所述第一金属层与所述玻璃衬底的上表面；左有源层，固定设置在所述栅绝缘层的上表面，还位于所述第一金属层的左端上方；右有源层，固定设置在所述栅绝缘层的上表面，还位于所述第一金属层的右端上方；桥接层，固定设置在所述栅绝缘层的上表面，左右两端分别跟所述左有源层与所述右有源层连接；第二金属层，固定设置在所述栅绝缘层的上表面，还与所述左有源层连接，形成源极；第三金属层，固定设置在所述栅绝缘层的上表面，还与所述右有源层连接，形成漏极。2.根据权利要求1所述的一种高性能TFT阵列基板，其特征在于，还包括：画素电极，固定设置在所述栅绝缘层的上表面，还与所述第三金属层连接；导电层，固定设置在所述栅绝缘层的上表面，还位于所述画素电极的侧方；钝化层，固定设置在所述第二金属层、第三金属层、左有源层、右有源层、桥接层、栅绝缘层、画素电极、导电层的上表面，所述钝化层开设有通孔；公共电极，固定设置在所述钝化层的上表面，还穿过所述通孔与所述导电层连接。3.根据权利要求1所述的一种高性能TFT...

【专利技术属性】
技术研发人员：毛清平，
申请(专利权)人：福建华佳彩有限公司，
类型：新型
国别省市：