一种高性能TFT阵列基板制造技术

本实用新型专利技术涉及液晶显示屏技术领域，提供一种高性能TFT阵列基板，包括：玻璃衬底；第一金属层，固定设置在玻璃衬底的上表面，形成栅极；栅绝缘层，固定设置在第一金属层与玻璃衬底的上表面；左有源层，固定设置在栅绝缘层的上表面；右有源层，固定设置在栅绝缘层的上表面；桥接层，左右两端分别跟左有源层与右有源层连接；第二金属层，固定设置在栅绝缘层的上表面，还与左有源层连接，形成源极；第三金属层，固定设置在栅绝缘层的上表面，还与右有源层连接，形成漏极。本实用新型专利技术的优点在于：在不缩短TFT器件的源极漏极距离的前提下，缩短有源层沟道长度，本实用新型专利技术的TFT阵列基板具有反应快、开态电流大、阈值电压小等优势。阈值电压小等优势。阈值电压小等优势。

【技术实现步骤摘要】
一种高性能TFT阵列基板


[0001]本技术涉及液晶显示屏
，具体地涉及一种高性能TFT阵列基板。

技术介绍

[0002]随着人工智能突飞猛进的发展，使得TFT
‑
LCD液晶屏技术也不断提升，高清晰度、快速、低功耗等将成为TFT
‑
LCD液晶屏发展趋势。
[0003]为了实现高性能的显示屏，目前的生产商其中一种制作方法是通过缩短TFT器件的有源层沟道长度来实现TFT器件的小型化，有源层沟道长度的缩短能够实现较大的开态电流，提高器件的反应速度，减小阈值电压等优点。但是实际上有源层沟道长度的设计局限于TFT器件源漏极之间的距离，主要考虑到源极漏极的距离太近会出现短路等风险。经过多年的技术发展，目前的薄膜晶体管(TFT)的源极漏极间距都会选择安全的最小距离，业界一般控制在5～6μm。
[0004]参阅图1，为传统的TFT器件的结构示意图。有源层为半导体，有源层沟道长度指的是源极到漏极之间的半导体长度。
[0005]因此，如何在不缩短TFT器件的源极漏极距离的前提下，缩短有源层沟道长度，是本领域亟待解决的一个技术问题。

技术实现思路

[0006]本技术要解决的技术问题，在于提供一种高性能TFT阵列基板，在不缩短TFT器件的源极漏极距离的前提下，缩短有源层沟道长度。
[0007]本技术是这样实现的：一种高性能TFT阵列基板，包括：
[0008]玻璃衬底；
[0009]第一金属层，固定设置在所述玻璃衬底的上表面，形成栅极；/>[0010]栅绝缘层，固定设置在所述第一金属层与所述玻璃衬底的上表面；
[0011]左有源层，固定设置在所述栅绝缘层的上表面，还位于所述第一金属层的左端上方；
[0012]右有源层，固定设置在所述栅绝缘层的上表面，还位于所述第一金属层的右端上方；
[0013]桥接层，固定设置在所述栅绝缘层的上表面，左右两端分别跟所述左有源层与所述右有源层连接；
[0014]第二金属层，固定设置在所述栅绝缘层的上表面，还与所述左有源层连接，形成源极；
[0015]第三金属层，固定设置在所述栅绝缘层的上表面，还与所述右有源层连接，形成漏极。
[0016]进一步地，还包括：
[0017]画素电极，固定设置在所述栅绝缘层的上表面，还与所述第三金属层连接；
[0018]导电层，固定设置在所述栅绝缘层的上表面，还位于所述画素电极的侧方；
[0019]钝化层，固定设置在所述第二金属层、第三金属层、左有源层、右有源层、桥接层、栅绝缘层、画素电极、导电层的上表面，所述钝化层开设有通孔；
[0020]公共电极，固定设置在所述钝化层的上表面，还穿过所述通孔与所述导电层连接。
[0021]进一步地，还包括：
[0022]导电层，固定设置在所述栅绝缘层的上表面；
[0023]公共电极，固定设置在所述栅绝缘层的上表面，还与所述导电层连接；
[0024]钝化层，固定设置在所述第二金属层、第三金属层、左有源层、右有源层、桥接层、栅绝缘层、公共电极、导电层的上表面，所述钝化层开设有通孔；
[0025]画素电极，固定设置在所述钝化层的上表面，还穿过所述通孔与所述第三金属层连接。
[0026]进一步地，所述第一金属层、第二金属层、第三金属层、导电层都是MO单层结构、Ti单层结构、MO/AL/MO三层结构、Ti/AL/Ti三层结构、AL/MO双层结构、AL/Ti双层结构之中的任意一个。
[0027]进一步地，所述左有源层与右有源层都是IGZO材质，所述桥接层、画素电极、公共电极都是ITO材质。
[0028]进一步地，所述栅绝缘层是SiOx单层结构或者SiNx/SiOx双层结构，所述钝化层是SiOx或者SiNO或者SiNx材质。
[0029]进一步地，所述通孔是倒锥形。
[0030]本技术的优点在于：1、与传统的TFT器件不同之处在于，本技术是将一个桥接层代替了有源层中间的一段，桥接层为导体，有源层为半导体，从而整体的有源层沟道长度就缩短了，但此时源极与漏极之间的距离还是保持不变，保证了器件的安全性；即在不缩短TFT器件的源极漏极距离的前提下，缩短有源层沟道长度，本技术的TFT阵列基板具有反应快、开态电流大、阈值电压小等优势，实际应用后提高显示屏的性能。2、由于ITO材料具有优良的导电性和透光的特点，本技术的TFT器件的桥接层和画素电极选用的材料都是ITO，该结构下的桥接层和画素电极成膜是在同一道工序进行，这样就简化阵列基板的结构，提高产生，降低成本。
附图说明
[0031]下面参照附图结合实施例对本技术作进一步的说明。
[0032]图1是
技术介绍
中传统的TFT器件的结构示意图。
[0033]图2是本技术的高性能TFT阵列基板的制作流程图一。
[0034]图3是本技术的高性能TFT阵列基板的制作流程图二。
[0035]图4是本技术的高性能TFT阵列基板的制作流程图三。
[0036]图5是本技术的高性能TFT阵列基板的制作流程图四。
[0037]图6是本技术的高性能TFT阵列基板的制作流程图五。
[0038]图7是本技术的高性能TFT阵列基板的制作流程图六。
[0039]图8是本技术的高性能TFT阵列基板的制作流程图七。
[0040]图9是将图8中的画素电极与公共电极的位置互换后的示意图。
[0041]附图标记：玻璃衬底1；栅极2；栅绝缘层3；有源层4；左有源层41；右有源层42；桥接层5；源极6；漏极7；画素电极8；导电层9；钝化层10；通孔101；公共电极20。
具体实施方式
[0042]本技术实施例通过提供一种高性能TFT阵列基板，解决了
技术介绍
中有源层沟道长度的设计局限于TFT器件源漏极之间的距离，当源极漏极间距在安全的最小距离时，如果继续缩短源极漏极间距，源极漏极会出现短路的缺点；实现了在不缩短TFT器件的源极漏极距离的前提下，缩短有源层沟道长度，本技术的阵列基板搭载的TFT器件具有反应快、开态电流大、阈值电压小等优势，实际应用后提高显示屏的性能。
[0043]本技术实施例中的技术方案为解决上述缺点，总体思路如下：
[0044]与传统的TFT器件不同之处在于，本技术的TFT器件是将一个桥接层代替了有源层中间的一段，桥接层为导体，有源层为半导体，从而整体的有源层沟道长度就缩短了，即半导体的长度缩短，但此时源极与漏极之间的距离还是保持不变，保证了器件的安全性；在不缩短TFT器件的源极漏极距离的前提下，缩短有源层沟道长度。
[0045]有源层沟道长度对薄膜晶体管(TFT)栅极特性的影响是很显著的，总的变化趋势是：沟道越短，开态电流越大，沟道越长，开态电流越小。这可以归因于随着沟道长度的增加，载流子在漂移过程中被捕获本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高性能TFT阵列基板，其特征在于，包括：玻璃衬底；第一金属层，固定设置在所述玻璃衬底的上表面，形成栅极；栅绝缘层，固定设置在所述第一金属层与所述玻璃衬底的上表面；左有源层，固定设置在所述栅绝缘层的上表面，还位于所述第一金属层的左端上方；右有源层，固定设置在所述栅绝缘层的上表面，还位于所述第一金属层的右端上方；桥接层，固定设置在所述栅绝缘层的上表面，左右两端分别跟所述左有源层与所述右有源层连接；第二金属层，固定设置在所述栅绝缘层的上表面，还与所述左有源层连接，形成源极；第三金属层，固定设置在所述栅绝缘层的上表面，还与所述右有源层连接，形成漏极。2.根据权利要求1所述的一种高性能TFT阵列基板，其特征在于，还包括：画素电极，固定设置在所述栅绝缘层的上表面，还与所述第三金属层连接；导电层，固定设置在所述栅绝缘层的上表面，还位于所述画素电极的侧方；钝化层，固定设置在所述第二金属层、第三金属层、左有源层、右有源层、桥接层、栅绝缘层、画素电极、导电层的上表面，所述钝化层开设有通孔；公共电极，固定设置在所述钝化层的上表面，还穿过所述通孔与所述导电层连接。3.根据权利要求1所述的一种高性能TFT...

【专利技术属性】
技术研发人员：毛清平，
申请(专利权)人：福建华佳彩有限公司，
类型：新型
国别省市：